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参比电极的制作方法

时间:2025-06-28    作者: 管理员

专利名称:参比电极的制作方法
技术领域
本发明涉及参比电极,所述参比电极具有位于内充溶液中的银/氯化银内电极。
背景技术:
上述类型的参比电极工作时,可溶性银离子(Ag+)从银/氯化银电极中浸出,通过如下反应等形成了溶解的氯络离子(如AgCl2-)。
如果氯络离子在液接部位遇到氯离子浓度低的水溶液,上述反应均会从右向左移动,从而可产生AgCl(氯化银)沉淀。
特别是,在60℃或以上的高温下连续工作时,银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)的浓度会增加,而在温度降低时,它们可形成氯化银,该氯化银可堵塞液接部位。特别是,当在100℃下连续工作时,数天内液接部位就会被氯化银堵塞。电解液中所含的干扰物质如蛋白质、银、汞和H2S也能通过液接部位进入内充溶液。在此情形下,干扰物质可使内电极电位偏移,或者这些干扰物质与银离子反应而形成难溶的沉淀物,从而堵塞液接部位。
于是,现有技术包括,例如通过定期更换内充溶液,来防止银或氯络离子含量增加的方法,还包括强制排出内充溶液的方法,当因温度发生周期性变化而引起压力变化时,可以防止液体被检物的吸入。
然而,上述前一方法不能彻底清除堵塞液接部位的银离子,而且其维护也不很容易。上述后一方法需要参比电极具有复杂的结构,这不但会增加成本,而且其连续工作的效率也不高。

发明内容
基于上述问题而完成了本发明。本发明的目的是提供一种参比电极,所述参比电极可捕集向内充溶液渗透的银离子和氯络离子,从而可以防止堵塞液接部位。
为了达到本发明的目的,根据本发明的参比电极包括置于内充溶液中的银/氯化银电极作为内电极;和一个管,在所述的管中从上到下依次容纳有所述内电极、无机阳离子交换剂和陶瓷元件,所述无机阳离子交换剂用来捕集从内电极浸出的银离子和/或氯络离子,所述陶瓷元件用来防止银离子和/或氯络离子扩散进入内充溶液,其中所述的管被浸泡在内充溶液中。
特别地,例如,在内电极与无机阳离子交换剂之间,所述的管可以容纳其另一个陶瓷元件,该陶瓷元件用来防止从内电极浸出的银离子和/或氯络离子进入无机阳离子交换剂。


图1是根据本发明第一个实施方式的结构视图;图2是根据本发明第二个实施方式的结构视图;图3是本发明效果的特性曲线;和图4是根据本发明第三个实施方式的结构视图。
具体实施例方式
下面将参照附图对本发明进行详细描述。
图1显示了根据本发明的第一个实施方式,该实施方式包括一个管,在所述的管中从上到下依次容纳有银/氯化银内电极、无机阳离子交换剂和陶瓷元件,其中所述的管被浸泡在内充溶液中。
在图1中,标号1表示参比电极C的外管,所述外管由例如玻璃管等管材形成。标号2表示充装在外管1中的内充溶液,例如KCl。标号3表示银/氯化银内电极,所述银/氯化银内电极具有银丝4和附着在尖端A上的熔融态氯化银。内电极3被容纳在下述内管6中。
标号5表示液接部位,该液接部位由例如陶瓷等材料制成,其位于管1的底部。陶瓷的例子包括基于(SiO2+Al2O3)的陶瓷和基于ZrO2的陶瓷。
标号6表示浸入内充溶液2中的内管。内管6中从上到下依次容纳有银/氯化银内电极3、无机阳离子交换剂7和陶瓷元件8,该陶瓷元件8用来防止银离子(Ag+)和氯络离子(如AgCl2-)向内充溶液2中扩散。无机阳离子交换剂7具有捕集从内电极3浸出的银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)的功能。
陶瓷元件8的材料不同于液接部位5的材料,该陶瓷元件8具有防止银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)从内电极3向内充溶液2中扩散的功能。例如,陶瓷元件8由多孔陶瓷(优选Al2O3多孔陶瓷)制成。
例如,采用由东亚合成化学工业株式会社(Toagosei Co.,Ltd.)制造,其商品名为IXE的基于ZrO2的阳离子交换剂来作为无机阳离子交换剂7。
在该实施方式中,内管6由可热收缩的管(优选基于聚烯烃的热收缩管)形成。内管6的内表面涂有粘合剂,从而银丝4的下部4a与在其下连接的内电极3被良好地密封在内管6的上部。优选的粘合剂包括聚酰胺。
陶瓷元件8也被良好地密封在内管6的下部。
在内管6的中间部位,无机阳离子交换剂7被夹在上部的内电极3和下部的陶瓷元件8之间,并被良好地密封在内管6中。
在该结构中,从内电极3浸出的银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)被无机阳离子交换剂7捕获,这样就可防止氯化银的产生。电极电位也可不受液接部位5的氯化银沉淀的影响。此外,位于无机阳离子交换剂7之下的陶瓷元件8可以防止银离子(Ag+)和氯络离子(AgCl2-)向内充溶液2中扩散。
由图3中的特性曲线X可见,在内电极3的最底端具有无机阳离子交换剂7的结构抑制了液接部位5中氯离子的产生,与此相比,传统的结构仅在银/氯化银内电极上涂有聚四氟乙烯(注册商标Teflon)涂层。在图3中,纵坐标表示内充溶液2中的银离子浓度。
图2显示了本发明的第二个实施方式,该实施方式包括内管6,在内管6中从上到下依次容纳有银/氯化银内电极3;陶瓷元件8,用来即时阻止从内电极3中浸出的银离子(Ag+)和氯络离子(如AgCl2-)向无机阳离子交换剂7扩散;无机阳离子交换剂7,用来捕集从内电极3浸出的银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-);和陶瓷元件8,用来防止来自内电极3的银离子(Ag+)和氯络离子(AgCl2-)向内充溶液2扩散,其中内管6浸渍在内充溶液2中。在图1和图2中,相同的标号表示相同或相应的组件。
在该实施方式中,无机阳离子交换剂7被夹在两个分别位于上部和下部的陶瓷元件8之间。在该结构中,电极电位可更可靠地不受在液接部位5的氯化银沉淀的影响。
位于内电极3和无机阳离子交换剂7之间的陶瓷元件8可防止银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)溶解(渗透)进入无机阳离子交换剂7。因此,无机阳离子交换剂7的离子交换反应可更为有效地防止离子进入内充溶液2。
由图3的特性曲线Y可见,与传统的仅具有聚四氟乙烯涂层的银/氯化银内电极相比,如下结构可更为有效地抑制银离子和溶解的氯络离子向内充溶液2的扩散,所述结构具有夹在两个陶瓷元件8之间的无机阳离子交换剂7,其中一个陶瓷元件8位于内电极3的最下部,可以即时阻止银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)向无机阳离子交换剂7渗透;另一个陶瓷元件8位于无机阳离子交换剂7的最下部,具有防止来自内电极3的银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(AgCl2-)向内充溶液2中扩散的功能。
图4显示了本发明的第三个实施方式,该实施方式包括位于内充溶液2中的无机阳离子交换剂7,该无机阳离子交换剂7用以捕集从内电极3浸出的银离子(Ag+)和溶解的氯络离子(如AgCl2-)。在图1到3和图4中,相同的标号表示相同或相应的组件。
在该结构中,无机阳离子交换剂7位于液接部位5之上。无机阳离子交换剂7可作为内充溶液2的添加物。
该实施方式具有如下效果。
如上述各实施方式所述,无机阳离子交换剂7捕集如银离子(Ag+)等离子,从而防止了氯化银与液接部位5接触而堵塞该液接部位5。
此外,如果例如蛋白质、银、汞和H2S等干扰物质通过液接部位5进入内充溶液2,无机阳离子交换剂7可将其清除。因此,可以避免因干扰物质所引起的电极电位的偏移。
如上所述,根据本发明的参比电极包括置于内充溶液中的银/氯化银内电极;和一个浸渍在内充溶液中的管,该管中从上到下依次容纳有所述内电极、无机阳离子交换剂和陶瓷元件,所述无机阳离子交换剂用来捕集从内电极浸出的银离子和/或氯络离子,所述陶瓷元件用来防止银离子和/或氯络离子扩散进入内充溶液。
在内电极与无机阳离子交换剂之间,所述的管还具有另一个陶瓷元件,该陶瓷元件用来阻止从内电极浸出的银离子和/或氯络离子进入无机阳离子交换剂。
于是,无机阳离子交换剂捕集了银离子和/或氯络离子,而且即时抑制了银离子和/或氯络离子向内充溶液的扩散,从而防止了氯化银的产生。此外,防止了液接部位上的氯化银沉淀对电极电位的影响。
权利要求
1.一种参比电极,其特征在于,所述参比电极包括置于内充溶液中的银和氯化银电极作为内电极;和一个管,在所述的管中从上到下依次容纳有所述内电极、无机阳离子交换剂和陶瓷元件,所述无机阳离子交换剂用来捕集从内电极浸出的银离子和/或氯络离子,所述陶瓷元件用来防止银离子和/或氯络离子扩散进入内充溶液,其中所述的管被浸泡在内充溶液中。
2.根据权利要求1的参比电极,其中,在所述内电极与无机阳离子交换剂之间,所述的管还容纳有另一个陶瓷元件,该陶瓷元件用来阻止从内电极浸出的银离子和/或氯络离子进入无机阳离子交换剂。
3.一种参比电极,其特征在于,所述参比电极包括置于内充溶液中的银和氯化银电极作为内电极;和位于内充溶液中并在液接部位之上,的无机阳离子交换剂,该无机阳离子交换剂用来捕集从内电极浸出的银离子和/或氯络离子。
全文摘要
本发明提供了一种参比电极,所述参比电极可捕集向内充溶液渗透的银离子和氯络离子,从而可以防止堵塞液接部位。本发明所述参比电极包括置于内充溶液中的银/氯化银电极作为内电极;和一个管,在所述的管中从上到下依次容纳有所述内电极、无机阳离子交换剂和陶瓷元件,所述无机阳离子交换剂用来捕集从内电极浸出的银离子和/或氯络离子,所述陶瓷元件用来防止银离子和/或氯络离子扩散进入内充溶液,其中所述的管被浸泡在内充溶液中。
文档编号G01N27/401GK1444040SQ0311926
公开日2003年9月24日 申请日期2003年3月6日 优先权日2002年3月8日
发明者岩本惠和, 北冈直美 申请人:株式会社堀场制作所

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