专利名称：充电器老化控制板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种充电器老化控制板，属于电子技术领域。
背景技术：
电子产品如充电器等在出厂前，通常需要进行一定时间的老化以期性能稳定，剔除早期的不合格产品，是品质控制的一项重要工序。充电器老化就是在一定的输入电压、负载电流下工作，检测其性能是否稳定。传统的充电器老化系统通常使用电阻等作为功率负载，这种老化方法不管是从原理上还是结构上来说都很简单被老化充电器连接市电后输出电压为恒定时，输出电流等于电压除以电阻。然而，由于充电器规格繁多，需要配备多种规格电阻负载，以达到充电器输出最大工作电流的目标，由此引起老化房空间大，老化架规格多，不利于批量生产老化。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种充电器老化控制板，利用固定电阻加 MOSFET的方式，通过PWM脉宽调制调整负载，实现定电压老化模式，保证充电器最大电流输出，同一个老化�？槲扌韪还潭ǖ缱杈涂梢月憷匣嘀植煌娓竦某涞缙�。本实用新型所采用的技术方案是一种充电器老化控制板，包含用于与充电器连接的4个端子，其中，2个端子连接至市电输出端，另2个端子连接至调控电路的两个端口， 其特征在于所述调控电路包含MOSFET、PWM脉宽调制�？楹统涞缙鞯缪辜觳饪刂颇？椋龅缪辜觳饪刂颇？榈男藕挪杉鞯牧蕉俗鑫龅骺氐缏返牧礁龆丝冢龅缪辜觳饪刂颇？榈男藕挪杉鞯牧蕉送庇隡OSFET的漏极和MOSFET的源极相连接，电压检测控制模块的信号输出端与PWM脉宽调制�？榈男藕攀淙攵讼嗔樱凰鯬WM脉宽调制�？榈穆龀迨涑龆擞隡OSFET的栅极相连接。前述的一种充电器老化控制板，其特征在于所述调控电路的一个端口通过一阻值固定的电阻与所述连接至调控电路的两个端口中的其中之一连接。前述的一种充电器老化控制板，其特征在于=MOSFET的源极连接一阻值固定的电阻，所述电阻另一端与所述电压检测控制�？榈男藕挪杉鞯囊欢肆�。前述的一种充电器老化控制板，其特征在于所述的MOSFET为增强型N沟道场效应管。前述的一种充电器老化控制板，其特征在于所述的MOSFET为耗尽型N沟道场效应管。本实用新型的有益效果是本实用新型提供的充电器老化控制板，利用固定电阻加MOSFET的方式，通过PWM脉宽调制调整负载，从而实现定电压老化模式，同一个老化模块无需更换固定电阻就可以满足老化多种不同规格的充电器，从而大大的节省了老化设备空间，十分利于批量生产。
图1是充电器老化控制板连接示意图；图2是增强型N沟道场效应管Ves— Id关系示意图；图3是耗尽型N沟道场效应管Ves— Id关系示意图。
具体实施方式
下面将结合说明书附图，对本实用新型作进一步的说明。第一实施例如图1所示，一种充电器老化控制板，包括固定电阻，所述充电器连接市电，还包括一增强型N沟道场效应管、PWM脉宽调制�？楹统涞缙鞯缪辜觳饪刂颇？椋凰龉潭ǖ缱璧囊欢撕驮銮啃蚇沟道场效应管的漏极串联，固定电阻的另一端、增强型N沟道场效应管的源极分别与充电器的两端相连接；所述电压检测控制�？榈男藕挪杉鞯牧蕉朔直鹩牍潭ǖ缱璧牡缪故淙攵撕驮銮啃蚇沟道场效应管的源极相连接，电压检测控制�？榈男藕攀涑龆擞隤WM脉宽调制�？榈男藕攀淙攵讼嗔樱凰鯬WM脉宽调制�？榈穆龀迨涑龆擞朐銮啃蚇沟道场效应管的栅极相连接。充电器老化控制板工作时，充电器与市电连接后为增强型N沟道场效应管提供电压Vds，PWM脉宽调制�？槭涑龅母叩缙轿狽沟道场效应管提供电压Ves，当Ves的大小达到增强型N沟道场效应管的开启电压后，场效应管导通。充电器电压检测控制�？橥ü杉缱栌氤⌒в芰蕉说难菇担胧导市枰难菇当榷院蟛桓隹刂菩藕攀淙氲絇WM脉宽调制�？椋佣鹘赑WM脉宽输出的高低电平占空比，以控制Ves的大�。婧罂梢愿軻es的大小来控制通过电阻的电流，从而实现电阻两端的电压恒定。增强型N沟道场效应管栅极与源极之间的Ves与通过场效应管的电流Id之间的线性关系如图2所示。第二实施例如图1所示，一种充电器老化控制板，包括充电器、固定电阻，所述充电器连接市电，还包括一耗尽型N沟道场效应管、PWM脉宽调制�？楹统涞缙鞯缪辜觳饪刂颇？椋凰龉潭ǖ缱璧囊欢撕秃木⌒蚇沟道场效应管的漏极串联，固定电阻的另一端、耗尽型N沟道场效应管的源极分别与充电器的两端相连接；所述电压检测控制�？榈男藕挪杉鞯牧蕉朔直鹩牍潭ǖ缱璧牡缪故淙攵撕秃木⌒蚇沟道场效应管的源极相连接，电压检测控制�？榈男藕攀涑龆擞隤WM脉宽调制�？榈男藕攀淙攵讼嗔樱凰鯬WM脉宽调制模块的脉冲输出端与耗尽型N沟道场效应管的栅极相连接。充电器老化控制板工作时，充电器与市电连接后为增强型N沟道场效应管提供电压Vds，当增强型N沟道场效应管栅极与源极之间的Ves= 0时，场效应管导通，且电流为I。。 充电器电压检测控制�？橥ü杉缱栌氤⌒в芰蕉说难菇担胧导市枰难菇当榷院蟛桓隹刂菩藕攀淙氲絇WM脉宽调制�？椋佣鹘赑WM脉宽输出的高低电平占空比，以控制Ves的大�。婧罂梢愿軻es的大小来控制通过电阻的电流，从而实现电阻两端的电压恒定。耗尽型N沟道场效应管栅极与源极之间的Ves与通过场效应管的电流Id之间的线性关系如图3所示。[0023]综上所述，本实用新型利用固定电阻加MOSFET的方式，通过PffM脉宽调制调整负载，从而实现定电压老化模式，同一个老化�？槲扌韪还潭ǖ缱杈涂梢月憷匣嘀植煌娓竦某涞缙鳎佣蟠蟮慕谑×死匣璞缚占洌掷谂可�。以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。
权利要求1.一种充电器老化控制板，包含用于与充电器连接的4个端子，其中，2个端子连接至市电输出端，另2个端子连接至调控电路的两个端口，其特征在于所述调控电路包含 M0SFET、PWM脉宽调制模块和充电器电压检测控制模块，所述电压检测控制�？榈男藕挪杉鞯牧蕉俗鑫龅骺氐缏返牧礁龆丝冢龅缪辜觳饪刂颇？榈男藕挪杉鞯牧蕉送庇隡OSFET的漏极和MOSFET的源极相连接，电压检测控制�？榈男藕攀涑龆擞隤WM脉宽调制�？榈男藕攀淙攵讼嗔樱凰鯬WM脉宽调制�？榈穆龀迨涑龆擞隡OSFET的栅极相连接。
2.根据权利要求1所述的一种充电器老化控制板，其特征在于所述调控电路的一个端口通过一阻值固定的电阻与所述连接至调控电路的两个端口中的其中之一连接。
3.根据权利要求1所述的一种充电器老化控制板，其特征在于=MOSFET的源极连接一阻值固定的电阻，所述电阻另一端与所述电压检测控制�？榈男藕挪杉鞯囊欢肆印�
4.根据权利要求2或3所述的一种充电器老化控制板，其特征在于所述的MOSFET为增强型N沟道场效应管。
5.根据权利要求2或3所述的一种充电器老化控制板，其特征在于所述的MOSFET为耗尽型N沟道场效应管。
专利摘要本实用新型提供了一种充电器老化控制板，包含用于与充电器连接的4个端子，其中，2个端子连接至市电输出端，另2个端子连接至调控电路的两个端口，调控电路包含MOSFET、PWM脉宽调制模块和充电器电压检测控制�？椋缪辜觳饪刂颇？榈男藕挪杉鞯牧蕉俗鑫龅骺氐缏返牧礁龆丝冢龅缪辜觳饪刂颇？榈男藕挪杉鞯牧蕉送庇隡OSFET的漏极和MOSFET的源极相连接，电压检测控制模块的信号输出端与PWM脉宽调制�？榈男藕攀淙攵讼嗔樱籔WM脉宽调制�？榈穆龀迨涑龆擞隡OSFET的栅极相连接。本实用新型解决了现有技术中由于充电器规格繁多，需要配备多种规格电阻负载的问题，实现了老化�？槲扌韪还潭ǖ缱杈湍苈憷匣煌娓竦某涞缙鳎谑×死匣璞缚占洌谂可�。
文档编号G01R31/00GK202204889SQ20112034803
公开日2012年4月25日 申请日期2011年9月16日 优先权日2011年9月16日
发明者赵克泉 申请人:昆山隆泰电子有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
