专利名称：有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及导体膜厚度测量技术领域，特别涉及一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法及装置。
背景技术：
目前，导体膜厚度的测量方法通常包括:四点探针法、电涡流法、X射线吸收法、X射线荧光法、激光超声法等。四点探针法会对导体膜的表面造成损伤。X射线吸收法与X射线荧光法具有放射性，因此不适宜于在常规环境中应用。传统的电涡流测量方法多通过单频点的电涡流传感器的阻抗变化、电感变化或Q值变化来测量单层薄膜的厚度。在实际应用过程中电涡流法主要存在如下问题:a)测量分辨率和精度有限；b)实际测量过程中存在提离高度(即电涡流传感器与被测薄膜间的距离)变化的影响。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一。为此，本发明的 一个目的在于提出一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，该方法可以简便、快速地测量导体薄膜(即导体膜)厚度，且能够减小提离(指传感器与待测样品之间的测量距离)波动对厚度测量的影响，从而提高测量精度。本发明的另一个目的在于提出一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。为达到上述目的，本发明第一方面的实施例公开了有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，包括以下步骤:将所述电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置；向所述电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号；获取所述电涡流传感器的等效阻抗随所述激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到所述等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值；得到所述比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线，并得到所述关系曲线中的峰值点的激励频率；以及比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到所述待测导体膜的厚度值。根据本发明实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，测量导体膜的厚度，受到提离距离波动的影响非常小。因此，尽管测量过程中提离距离可能发生波动，但对厚度测量的结果影响非常小。因此，该方法可以简便、快速地测量导体膜的厚度、并且可以极大地减小提离距离波动对厚度测量结果的影响。另外，该方法操作简单，易于实现。另外，根据本发明上述实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法还可以具有如下附加的技术特征:在一些示例中，所述预定频率范围位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之间。在一些示例中，所述导体膜的厚度位于[10纳米至5微米]之间。在一些示例中，所述电涡流传感器的探头线圈匝数为[I匝至100匝]之间。
本发明第二方面的实施例公开了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置，包括:电涡流传感器，所述电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置；前置信号处理�？椋銮爸眯藕糯砟？橛糜谙蛩龅缥辛鞔衅魇淙爰だ藕牛⒒竦盟龅缥辛鞔衅鞯牟饬啃藕牛渲校黾だ藕盼ざㄆ德史段У慕槐涞缌鳎灰约笆莶杉砟？椋鍪莶杉砟？橛糜谠谒鼋槐涞缌鞯脑ざㄏ辔皇保杉銮爸眯藕糯砟？樘峁┑牟饬啃藕牛愿菟霾饬啃藕诺玫剿龅缥辛鞔衅鞯牡刃ё杩沟氖挡坑爰だ藕诺钠德实谋戎担⒌玫剿霰戎邓嫠黾だ藕诺钠德时浠墓叵登撸⒌玫剿龉叵登咧械姆逯档愕募だ德剩约氨冉洗獾继迥ざ杂Φ姆逯导だ德视氡暄姆逯导だ德剩缘玫剿龃獾继迥さ暮穸戎�。根据本发明实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置，测量导体膜的厚度，受到提离距离波动的影响非常小。因此，尽管测量过程中提离距离可能发生波动，但对厚度测量的结果影响非常小。因此，该装置可以简便、快速地测量导体膜的厚度、并且可以极大地减小提离距离波动对厚度测量结果的影响。另外，该装置结构简单，成本低。另外，根据本发明上述实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置还可以具有如下附加的技术特征:在一些示例中，所述前置信号处理�？榛褂糜�:将所述测量信号转换为模拟电信号。进一步地，所述数据采集处理�？榛褂糜�:将所述模拟电信号转换为数字信号。在一些示例中，所述电涡流传感器的线圈的外径大于3毫米，所述线圈的匝数为I胆至100胆。在一些示例中，所述预定频率范围位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之间。本发明附加的方面和优点`将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明所述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:图1是根据本发明一个实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法的流程图；以及图2是根据本发明另一个实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置的不意图；图3a和3b分别示出了采用本发明实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置在不同薄膜厚度和不同提离下，利用电涡流传感器测量导体膜时传感器的阻抗实部与激励频率的比值随激励频率变化的关系曲线；以及图4a和4b分别示出了根据本发明一个实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置中激励频率随导体膜厚度和提离变化的关系曲线。
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解所述术语的具体含义。以下结合附图描述根据本发明实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测
量方法及装置。图1是根据本发明一个实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法的流程图。如图1所示，该方法包括如下步骤:步骤SlOl:将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置。即将电涡流传感器放置在与导体膜间隔预定提离距离h的位置处，其中，该预定距离(预定提离距离h)根据经验值确定。
步骤S102:向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号。即向电涡流传感器输入多频交变电流，并将该多频交变电流作为激励信号。在该示例中，电涡流传感器的探头线圈匝数为但不限于[I匝至100匝]之间。另夕卜，预定频率范围位于但不限于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之间。步骤S103:获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值。例如:可通过测量的方式，得到电涡流传感器的等效阻抗Z随激励信号的频率f的变化关系曲线，并可根据该变化关系曲线推导出等效阻抗Z的实部R与激励信号的频率f的比值R/f。步骤S104:得到比值随激励信号的频率变化的关系曲线，并得到关系曲线中的峰值点的激励频率。该比值R/f随激励信号的频率f的变化关系曲线中存在一个峰值点，峰值点对应的激励频率(即峰值点的激励频率)记为fo。由此，当导体膜的厚度处于5微米以内时，激励频率f。随导体膜厚度变化的灵敏度远远大于其随提离距离h变化的灵敏度。在该实例中，导体膜的厚度位于但不限于:[10纳米至5微米]之间。步骤S105:比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到待测导体膜的厚度值。例如:首先对激励频率fo进行分析，通过比较待测样品导体膜(待测导体膜)与标样(导体膜)的峰值频率值(激励频率)fo，从而得出待测导体膜的厚度值。根据本发明实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法可以简便地、快速地测量导体膜的厚度，并且极大地减小提离波动对厚度测量的影响，从而提升测量的精度。另外，该方法操作简单，易于实现。图2是根据本发明一个实施例的有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置的示意图。
如图2所示，该有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置10包括:电涡流传感器100、前置信号处理�？�200和数据采集处理�？�300。其中，电涡流传感器100置于与导体膜20间隔预定距离的位置。即将电涡流传感器100放置在与导体膜20间隔预定提离距离h的位置处，其中，该预定距离(预定提离距离h)根据经验值确定。此外，在本发明的一个或多个实施例中，电涡流传感器100的线圈的外径大于3毫米，线圈的匝数为但不限于I匝至100匝。前置信号处理�？�200与电涡流传感器100相连，用于向电涡流传感器100输入激励信号，并获得电涡流传感器100的测量信号，其中，激励信号为预定频率范围的交变电流(即多频交变电流)。在本发明的一个实施例中，前置信号处理�？�200还用于将测量信号转换为模拟电信号。即前置信号处理�？�200向电涡流传感器100输入激励信号的同时，将获得的电涡流传感器100的测量信号转换为模拟电信号。数据采集处理�？�300与前置信号处理�？�200相连，数据采集处理模块300用于在交变电流的预定相位时，采集前置信号处理�？�200提供的测量信号，以根据测量信号得到电涡流传感器100的等 效阻抗的实部与激励信号的频率的比值，并得到比值随激励信号的频率变化的关系曲线，并得到关系曲线中的峰值点的激励频率，以及比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到待测导体膜的厚度值。在本发明的一个实施例中，数据采集处理�？�300还用于:将所述模拟电信号转换为数字信号。即数据采集处理�？�300在交变电流的预定相位时采集前置信号处理�？�200提供的模拟电信号并将模拟电信号转换为数字信号，继而通过计算机400处理分析得到比值R/f随激励信号频率f的变化关系，进一步分析得到峰值点频率(即峰值点的激励频率)&，最终通过比较待测样品与标样的峰值频率值(激励频率)&，从而得出待测导体膜的厚度值。具体地，结合图2所示，可以将电涡流传感器100放置在与已知厚度的导体膜20间隔预定提离距离h的上方位置处。然后向电涡流传感器100输入预定频率范围的交变电流，例如预定频率范围位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之间，这样可以在电涡流传感器100的周围产生源电磁场。由于所述源电磁场的作用，已知厚度的导体膜20中会产生感应电涡流，并且伴随产生相应的感应电磁场。由于所述源电磁场和所述感应电磁场的相互作用，导致电涡流传感器100的电涡流线圈的阻抗Z发生变化。因此电涡流传感器100的阻抗Z及其分量实部R中会包含导体膜20的厚度、提离h等信息。利用前置信号处理模块200可以获得电涡流传感器100阻抗Z的大小。构造一个新参数:阻抗Z的实部R与激励信号频率f的比值R/f。R/f随f变化的关系曲线存在一个峰值点，峰值点对应的激励频率记做该峰值点频率f。随导体膜20的厚度变化远远大于其随提离h的变化。因此分析比较待测样品与标样的峰值频率值A可以得到导体膜20的厚度大小，且基本不受测量时提离h变化的影响。例如:选取多个厚度彼此不同的已知厚度的导体膜20 (例如100nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm),并且选取一定的提离距离h进行测量，以便得到电润流传感器100在多个不同已知厚度下，峰值点频率&随导体膜厚度t的关系(例如关系曲线)，得到标定。将电涡流传感器100放置在与待测厚度的导体膜20间隔所上述一定的提离h的位置处，然后再次进行测量，以便得到待测厚度的导体膜20的峰值点频率&，最后对比所述关系(例如关系曲线)即可得到所述待测厚度的导体膜20的厚度。利用本发明实施例的测量装置10测量导体膜20的厚度，受到提离距离h波动的影响非常小。因此，尽管测量过程中提离距离h可能发生波动，但对厚度测量的结果影响非常小。因此，本发明实施例的装置可以简便、快速地测量导体膜20的厚度、并且可以极大地减小提离距离h波动对厚度测量结果的影响。图3a和3b分别示出了在不同薄膜厚度和不同提离下，利用电涡流传感器测量导体膜时传感器的阻抗实部R与激励频率f的比值R/f随激励频率f变化的关系曲线。由图3a和图3b可以看出，R/f随激励频率f变化的关系曲线存在一个峰值点，且峰值点频率fQ随膜厚的变化大于其随提离h的变化。图4a和4b分别示出了峰值频率fQ随导体膜厚度t和提离h变化的关系曲线。由图4a和图4b可以看出，峰值点频率&随膜厚的变化曲线为幂函数关系，当导体膜20厚度在一定厚度范围内时，其灵敏度非常高；而峰值点频率fo随提离h的变化曲线为线性关系，其灵敏度远远小于&随膜厚的灵敏度。如下表所示，导体膜20处于部分厚度下时，f0随提离h的灵敏度和其厚度的灵敏度对比。从表I中可以看出，&随厚度变化的灵敏度远远大于其随提离h变化的灵敏度。即有效的减小了提离波动对膜厚测量精度的影响。
权利要求
1.一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，其特征在于，包括以下步骤: 将所述电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置； 向所述电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号； 获取所述电涡流传感器的等效阻抗随所述激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到所述等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值； 得到所述比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线，并得到所述关系曲线中的峰值点的激励频率；以及 比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到所述待测导体膜的厚度值。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定频率范围位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之间。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述导体膜的厚度位于[10纳米至5微米]之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电涡流传感器的探头线圈匝数为[I匝至100匝]之间。
5.一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置，其特征在于，包括: 电涡流传感器，所述电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置； 前置信号处理�？椋銮爸眯藕糯砟？橛糜谙蛩龅缥辛鞔衅魇淙爰だ藕牛⒒竦盟龅缥辛鞔衅鞯牟饬啃藕牛渲校黾だ藕盼ざㄆ德史段У慕槐涞缌鳎灰约� 数据采集处理�？椋鍪莶杉砟？橛糜谠谒鼋槐涞缌鞯脑ざㄏ辔皇保杉銮爸眯藕糯砟？樘峁┑牟饬啃藕牛愿菟霾饬啃藕诺玫剿龅缥辛鞔衅鞯牡刃ё杩沟氖挡坑爰だ藕诺钠德实谋戎担⒌玫剿霰戎邓嫠黾だ藕诺钠德时浠墓叵登撸⒌玫剿龉叵登咧械姆逯档愕募だ德剩约氨冉洗獾继迥ざ杂Φ姆逯导だ德视氡暄姆逯导だ德剩缘玫剿龃獾继迥さ暮穸戎�。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述前置信号处理�？榛褂糜�:将所述测量信号转换为模拟电信号。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述数据采集处理�？榛褂糜�:将所述模拟电信号转换为数字信号。
8.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述电涡流传感器的线圈的外径大于3毫米，所述线圈的匝数为I匝至100匝。
9.根据权利要求5所述的装置，其特征在 于，所述预定频率范围位于[1ΚΗζ-200ΜΗζ]之间。
全文摘要
本发明提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，包括以下步骤将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置；向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号；获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值；得到比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线；得到关系曲线中的峰值点的激励频率；比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到待测导体膜的厚度值。该方法可以简便、快速地测量导体膜厚度，且能够减小提离波动对厚度测量的影响，从而提高测量精度。本发明还提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。
文档编号G01B7/06GK103234449SQ20131017014
公开日2013年8月7日 申请日期2013年5月9日 优先权日2013年5月9日
发明者赵乾, 余强, 孟永钢, 路新春 申请人:清华大学
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