专利名称：一种聚能工业级微波炉腔的制作方法
技术领域：
本实用新型属于分析装置领域，尤其涉及一种用于工业级微波仪器的微波炉腔。
背景技术：
在微波仪器中，炉腔的设计基本按单模腔和多模腔来设计.单模腔的优点是微波场强高度集中，加热效率高，但是单模腔容积太�。源蟛糠治⑽⒉ㄒ瞧鞯那惶寰捎枚嗄Ｇ簧杓�。目前市场上的多模腔体基本是按照矩形结构来设计的，但是矩形腔体存在微波场强过度分散的缺点，所以实际微波利用率并不高，特别是微波消解和微波合成仪，由于其样品均处于腔体底部位置，所以腔体顶部的功率根本无法对样品加热，无形中浪费了大量微波功率。同时顶部的微波场强过高，对于安装在顶部的温度传感器导线等其它部件均有不·同程度的影响和伤害，导致元器件过度发热，从而影响其使用寿命。市场上目前也存在能将微波聚能在腔体某个位置的炉腔，例如圆弧形炉腔能将微波聚焦在炉腔中轴线附近，球形炉腔能将微波聚焦在球心位置等，但这些聚焦方式均不适应微波消解的实际使用要求。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种聚能工业级微波炉腔，该炉腔能将腔体内的微波场强聚焦集中在腔体底部或指定区域，并在腔体底部或指定区域中均匀分布，以便均匀加热位于炉腔底部或指定区域的所有样品。本实用新型的技术方案是提供一种聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面、左侧面、右侧面、前侧面和后侧面6个面构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是在所述的上顶面与至少一个所述侧面之间的交界处，设置辅助反射斜面；所述的辅助反射斜面，朝向下底面上放置有样品的区域；所述的辅助反射斜面，为平面、曲面或弧形面。具体的，其所述的辅助反射斜面为平面，所述的辅助反射平面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射平面的平面垂线，朝向下底面上放置有样品的区域。或者。其所述的辅助反射斜面为曲面，所述的辅助反射曲面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射曲面的曲面焦点或从曲面到其焦点的延长线，朝向下底面上放置有样品的区域。或者，其所述的辅助反射斜面为弧形面，所述的辅助反射弧形面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射弧形面的弧面内焦点或从弧面到其内焦点的延长线，朝向下底面上放置有样品的区域。进一步的，所述的辅助反射斜面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面之一的交界处。[0012]其所述的波导口设置在腔体后侧面的炉腔壁上。本实用新型的技术方案还提供一种聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面和左、右、前、后四个侧立面相交而构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是在所述各个侧立面之间至少一个相交的交界处，设置辅助反射斜面；所述的辅助反射斜面，朝向下底面上放置有样品的区域；所述的辅助反射斜面为平面、曲面或弧形面。进一步的，所述的辅助反射斜面设置在左侧面、右侧面、前侧面或后侧面之间的至少一个交界处，所述辅助反射斜面的平面或曲面垂线，朝向下底面上放置有样品的区域。本实用新型的技术方案又提供一种聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面和左、右、前、后四个侧立面相交而构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是在所述的下底面与至少一个所述侧面之间的交界处，设置辅助反射斜面；所述的辅助反射斜面，为平面、曲面或弧形面。 其所述的辅助反射斜面为平面，所述的辅助反射平面设置在下底面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处。其所述的辅助反射斜面为曲面，所述的辅助反射曲面设置在下底面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处。与现有技术比较，本实用新型的优点是I.通过设置辅助反射斜面结构，能将腔体内的微波场强聚焦、集中在腔体的底部，并在腔体底部均匀分布，以便均匀加热位于炉腔底部的所有样品；在该炉腔的聚能作用下，就能使得炉腔底部整个平面的样品都能得到高效、均匀、充分的加热；2.腔体内的微波场强被集中反射到腔体底部，从而使得腔体底部能形成均匀密集的微波场强；同时，由于顶部各面的反射作用，使得腔体顶部的微波场强会比较低，有助于延长设置在腔体顶部的温度传感器、导线或其它部件的使用寿命；3.相对于弧形和球形腔来说，本技术方案除了同时拥有聚能作用外，在均匀性及腔体机械加工工艺的简化上，都优于其他结构的腔体。
图I是本实用新型的侧视结构示意图；图2是本实用新型实施例的正视结构示意图；图3为本实用新型另一实施例的正视结构示意图。图中I为炉腔前面，2为炉腔底面，3为炉腔后面，4为炉腔顶面，5为炉腔顶后辅助反射斜面，6为波导管，7为波导口，8为样品，9为炉腔左侧面，10为炉腔右侧面，11为炉腔顶部左侧辅助反射斜面，12为炉腔顶部右侧辅助反射斜面，13为微波场强分布示意线，14为经反射的微波场强示意线，15为炉腔底部右侧辅助反射斜面，16为炉腔底部左侧辅助反射斜面。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型做进一步说明。图I中，本实用新型的聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面、左侧面、右侧面、前侧面和后侧面6个面构成(图中因为是侧视图，故只能显示出上顶面4、下底面2、前侧面I和后侧面3共四个侧面)，在所述的下底面上放置有样品8，其发明点在于在所述的上顶面4与至少一个所述侧面(图中以后侧面3为例)之间的交界处，设置辅助反射斜面5 ;所述的辅助反射斜面，朝向下底面上放置有样品的区域。所述的辅助反射斜面，为平面、曲面或弧形面。由图可知，当所述的辅助反射斜面为平面，所述的辅助反射平面可以设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射平面的平面垂线，朝向下底面上放置有样品的区域。或者，当其所述的辅助反射斜面为曲面，所述的辅助反射曲面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射曲面的曲面焦点或从曲面到其焦点的延长线，朝向下底面上放置有样品的区域。或者，当其所述的辅助反射斜面为弧形面，所述的辅助反射弧形面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射弧形面的弧面内焦点或从弧面到其内焦点的延长线，朝向下底面上放置有样品的区域。具体的，所述的辅助反射斜面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面之一的交界处。进一步的，其所述的辅助反射斜面分别设置在上顶面与左侧面或右侧面的交界处。或者，其所述的辅助反射斜面分别设置在上顶面与左侧面和右侧面的交界处。或者，其所述的辅助反射斜面分别设置在上顶面与左侧面、右侧面和后侧面的交界处。或者，其所述的辅助反射斜面分别设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面和后侧面的交界处。其所述的波导口 6设置在腔体后侧面3的炉腔壁上。由图可知，当波导管6将微波通过波导口 7馈入到腔体内后，通过设置辅助反射斜面结构，能将腔体内的微波场强聚焦、集中在腔体的下底部(图中以微波场强分布示意线13的密度来表示微波场强的高低变化，下同)，并在腔体底部均匀分布，以便均匀加热位于炉腔底部的所有样品8 ;在该炉腔的“聚能”作用下，就能使得炉腔底部整个平面(相当于指定的区域)的样品都能得到高效、均匀、充分的加热。同时，由于顶部各个反射面和辅助反射面的综合反射作用，使得腔体顶部的微波场强会比较低，有助于延长设置在腔体顶部的温度传感器、导线或其它部件的使用寿命。该“聚能”炉腔，相对于“弧形”或“球形”微波腔结构来说，除了同时拥有“聚能”作用外，使得腔体内的微波场强在指定区域的均匀性以及腔体机械加工工艺的简化等方面都优于其他结构腔体。图2中，给出了在上顶面与左侧面9和右侧面10的交界处，分别设置辅助反射斜面11和12的结构示意图。图3中，给出了在下底面2与左侧面9和右侧面10的交界处，分别设置辅助反射斜面15和16的结构不意图。应该加以说明的是，本技术方案中的辅助反射斜面不仅仅局限于图1、2或3中所示的，设置在上顶面和各个侧立面的相交处，其还可以分别设置在各个侧立面的相交处，这种节骨形式，也能通过“聚能”作用的方式，改善腔体内微波场强的分布情况，有助于使得炉腔底部整个平面(相当于指定的区域)的样品都能得到高效、均匀、充分的加热。故上述说明书附图中显示内容所给出的结构，仅仅是为了说明本申请的技术方 案，并不代表本技术方案仅仅局限于所给出的实例。本申请的保护范围以权利要求书中的记载为准。例如，本技术方案中的辅助反射斜面，可以为平面、曲面或弧形面；所述的辅助反射斜面设可以置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面等侧面的之间的任意一个交界处，还可设置在各个侧立面之间的相交处，比如，设置在后侧立面与左、右侧立面的相交处，同样也可使其具有本申请的技术特点将腔体内的微波场强聚焦、集中在腔体的下底部，并在腔体底部均匀分布，以便均匀加热位于炉腔底部的所有样品。故上述内容不再专门叙述和用结构图标出，以节省文字篇幅和附图数量，本领域的技术人员，在掌握了本技术方案解决问题的思路和方法后，无需经过创造性的劳动，即可再现本技术方案和取得相同的技术效果。本实用新型可广泛用于工业级微波仪器之微波炉腔的设计、制造领域。
权利要求1.一种聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面、左侧面、右侧面、前侧面和后侧面6个面构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是 在所述的上顶面与至少一个所述侧面之间的交界处，设置辅助反射斜面； 所述的辅助反射斜面，朝向下底面上放置有样品的区域； 所述的辅助反射斜面，为平面、曲面或弧形面。
2.按照权利要求I所述的聚能工业级微波炉腔，其特征是所述的辅助反射斜面为平面，所述的辅助反射平面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射平面的平面垂线，朝向下底面上放置有样品的区域。
3.按照权利要求I所述的聚能工业级微波炉腔，其特征是所述的辅助反射斜面为曲面，所述的辅助反射曲面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射曲面的曲面焦点或从曲面到其焦点的延长线，朝向下底面上放置有样品的区域。
4.按照权利要求I所述的聚能工业级微波炉腔，其特征是所述的辅助反射斜面为弧形面，所述的辅助反射弧形面设置在上顶面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处，所述辅助反射弧形面的弧面内焦点或从弧面到其内焦点的延长线，朝向下底面上放置有样品的区域。
5.一种聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面和左、右、前、后四个侧立面相交而构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是在所述各个侧立面之间至少一个相交的交界处，设置辅助反射斜面；所述的辅助反射斜面，朝向下底面上放置有样品的区域；所述的辅助反射斜面为平面、曲面或弧形面。
6.按照权利要求5所述的聚能工业级微波炉腔，其特征是所述的辅助反射斜面设置在左侧面、右侧面、前侧面或后侧面之间的至少一个交界处，所述辅助反射斜面的平面或曲面垂线，朝向下底面上放置有样品的区域。
7.一种聚能工业级微波炉腔，包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面和左、右、前、后四个侧立面相交而构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是在所述的下底面与至少一个所述侧面之间的交界处，设置辅助反射斜面； 所述的辅助反射斜面，为平面、曲面或弧形面。
8.按照权利要求7所述的聚能工业级微波炉腔，其特征是所述的辅助反射斜面为平面，所述的辅助反射平面设置在下底面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处。
9.按照权利要求7所述的聚能工业级微波炉腔，其特征是所述的辅助反射斜面为曲面，所述的辅助反射曲面设置在下底面与左侧面、右侧面、前侧面或后侧面的交界处。
专利摘要一种聚能工业级微波炉腔，属分析装置领域。其包括腔体和波导口，其所述的腔体由上顶面、下底面、左侧面、右侧面、前侧面和后侧面六个面构成，在所述的下底面上放置有样品，其特征是在所述的上顶面或下底面与至少一个所述侧面之间的交界处，设置辅助反射斜面；所述的辅助反射斜面，朝向下底面上放置有样品的区域；所述的辅助反射斜面，为平面、曲面或弧形面。其能将腔体内的微波场强聚焦集中在腔体底部或指定区域，并在腔体底部或指定区域中均匀分布，以便均匀加热位于炉腔底部或指定区域的所有样品。可广泛用于工业级微波仪器之微波炉腔的设计、制造领域。
文档编号G01N1/44GK202735155SQ20122028468
公开日2013年2月13日 申请日期2012年6月15日 优先权日2012年6月15日
发明者王斌, 江成德 申请人:上海屹尧仪器科技发展有限公司
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