专利名称：一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法
技术领域：
本发明涉及一种检测方法，尤其涉及一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法。
背景技术：
随着集成电路工艺的发展以及按比例尺寸缩�。恍┬碌牟牧虾凸ひ斩蓟岜灰氲郊傻缏返墓ひ罩欣绰阏骞δ艿囊蟆＠缜岸蔚慕鹗艄杌锷すひ辗矫妫寺愀〉缱璧囊螅鹗裟捅灰胱魑虢哟タ琢拥牟牧�。如图IA至ID所示，是表示金属镍硅化物形成的工艺示意图，由图IA可见，为器件栅极形成后表面生长氮化物，由图IB可见，在器件所需要生长金属硅化物的地方进行刻蚀，由图IC可见，对器件上表面的镍金属的生长，由图ID可见，对多余的镍金属进行移除，如图IE所示，在进行退火的时候会发生镍金属异常生长。
由于镍的活性较高而发生的异常生长，造成器件性能的失效。如图5E所示，表示金属异常生成造成器件的栅极和源极连通从而导致整个器件的失效，由此可见，能否测试并控制好镍金属硅化物在平面内的生长就显得十分的重要。
发明内容
发明公开了一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法。用以解决现有技术中器件在退火时镍金属会发生异常生长，由于这种情况的发生致使在检测的时候不能有效的检测出镍金属生长长度的问题。为实现上述目的，发明采用的技术方案是
一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，包括以下的工艺步骤步骤一，在器件的有源区中形成N型井和P型井；步骤二，在所述N型井和P型井中相互相向的位置刻蚀出镍金属填充区域；步骤三，在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充；
步骤四，在所述有源区以及所述N型井和P型井的上表面淀积介质层；
步骤五，在位于所述N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面，刻蚀介质层并形成两接触孔；
步骤六，在所述两接触孔中进行钨的填充；
步骤七，对器件进行退火；
步骤八，使用电子显微镜直接检测观察镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所填充的所述钨与所述镍金属硅化物接触连接。上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，在所述步骤八中，在电场下连接所述P型井的所述接触孔在电子显微镜下为暗光。上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，在所述步骤八中，在电场下连接所述N型井的所述接触孔在电子显微镜下为亮光。上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，在所述步骤八中，当N型井中镍金属硅化物与P型井中镍金属硅化物相互生长并接触的时候，在电场下连接所述P型井的所述接触孔在电子显微镜下为亮光。上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所述N型井和P型井之间的距离为ー固定值，(并有一系列不同距离的相同结构)。 上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所述N型井和P型井中镍金属硅化物受退火影响所生长的方向为相向生长。上述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，所述N型井和P型井中镍金属硅化物受退火影响所生长的生长长度一致。本发明中ー种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，采用了如上方案具有以下效果
1、有效地通过电子显微镜观察P型井与N型井中间不同尺寸的接触孔的亮光与暗光的 变化，可以计算出得出镍金属硅化物在器件的平面内所生长的长度；
2、同时能够很好的控制该エ艺的质量。
通过阅读參照如下附图对非限制性实施例所作的详细描述，发明的其它特征，目的和优点将会变得更明显。图IA至1D，是表示普通金属镍硅化物形成的エ艺示意 图IE为普通金属镍硅化物在进行退火的时候会发生镍金属异常生长的示意 图2A至2D为本发明的ー种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法的示意 图3A、3B为本发明的ー种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法的镍金属硅化物生长在一起的示意图。图4为本发明的ー种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法的晶硅示意图。如图序号为N型井I、P型井2、镍金属填充区域3、镍金属硅化物4、有源区5、介质层6、接触孔7、钨8。
具体实施例方式为了使发明实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进ー步阐述本发明。如图2A-2D所示，ー种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，包括以下的エ艺步骤步骤一，在器件的有源区中形成N型井I和P型井2 ;步骤ニ，在N型井I和P型井2中相互相向的位置刻蚀出镍金属填充区域3 ;步骤三，在镍金属填充区域3进行镍金属硅化物4的填充；步骤四，在有源区5以及N型井I和P型井2的上表面淀积介质层6 ；步骤五，在位于N型井I和P型井2的镍金属硅化物4的上表面，刻蚀介质层6并形成两接触孔7 ;步骤六，在两接触孔7中进行钨8的填充；步骤七，对器件进行退火；步骤八，使用电子显微镜直接检测观察镍金属硅化物4在器件的平面里所生长的长度。在本发明的具体实施例中，所填充的钨8与镍金属硅化物4接触连接。 在本发明的具体实施例中，在步骤八中，在电场下连接P型井2的接触孔在电子显微镜下为暗光。
在本发明的具体实施例中，在步骤八中，在电场下连接N型井I的接触孔7在电子显微镜下为亮光。在本发明的具体实施例中，在步骤八中，当N型井I中镍金属硅化物4与P型井2中镍金属硅化物4相互生长并接触的时候，在电场下连接P型井2的接触孔7在电子显微镜下为亮光。在本发明的具体实施例中，N型井I和P型井2之间的距离为ー固定值。在本发明的具体实施例中，N型井I和P型井2中镍金属硅化物4受退火影响所生长的方向为相向生长。在本发明的具体实施例中，N型井I和P型井2中镍金属硅化物4受退火影响所生长的生长长度一致。如图3A、3B所示，在本发明的具体实施方式
中，在当器件成型后，在电场连接下使 用电子显微镜对器件中N型井I与P型井2上的钨8接触孔7进行观察，当P型井2的接触孔7与N型井I的接触孔7在电子显微镜下均为亮光时，可以确定镍金属硅化物4相向生长并相互接触，在通过P型井2与N型井I之间的固定距离L/2可以得到镍金属硅化物4所生长的长度,如图4所示晶娃示意图。综上所述，本发明ー种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，有效地通过电子显微镜观察P型井与N型井中间不同尺寸的接触孔的亮光与暗光的变化，可以计算出得出镍金属硅化物在器件的平面内所生长的长度，同时能够很好的控制该エ艺的质量。以上对发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响发明的实质内容。
权利要求
1.一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，包括以下的工艺步骤步骤一，在器件的有源区中形成N型井和P型井；步骤二，在所述N型井和P型井中相互相向的位置刻蚀出镍金属填充区域；步骤三，在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充； 步骤四，在所述有源区以及所述N型井和P型井的上表面淀积介质层； 步骤五，在位于所述N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面，刻蚀介质层并形成两接触孔； 步骤六，在所述两接触孔中进行钨的填充； 步骤七，对器件进行退火； 步骤八，使用电子显微镜直接检测观察镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。
2.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，所填充的所述钨与所述镍金属硅化物接触连接。
3.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，在所述步骤八中，在电场下连接所述P型井的所述接触孔在电子显微镜下为暗光。
4.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，在所述步骤八中，在电场下连接所述N型井的所述接触孔在电子显微镜下为亮光。
5.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，在所述步骤八中，当N型井中镍金属硅化物与P型井中镍金属硅化物相互生长并接触的时候，在电场下连接所述P型井的所述接触孔在电子显微镜下为亮光。
6.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，所述N型井和P型井之间的距离为一固定值。
7.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，所述N型井和P型井中镍金属硅化物受退火影响所生长的方向为相向生长。
8.根据权利要求I所述的检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其特征在于，所述N型井和P型井中镍金属硅化物受退火影响所生长的生长长度一致。
全文摘要
本发明一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，其中，包括以下的工艺步骤在器件的有源区中形成N型井和P型井；在N型井和P型井中刻蚀出镍金属填充区域；在镍金属填充区域进行镍金属硅化物的填充；在有源区以及N型井和P型井的上表面淀积介质层；在位于N型井和P型井的镍金属硅化物的上表面，刻蚀介质层并形成两接触孔；在两接触孔中进行钨的填充；对器件进行退火；使用电子显微镜检测镍金属硅化物在器件的平面里所生长的长度。通过使用本发明一种检测镍金属硅化物在平面内生长长度的方法，有效地通过电子显微镜观察P型井与N型井中间不同尺寸的接触孔的亮光与暗光的变化，可以计算出得出镍金属硅化物在器件的平面内所生长的长度，同时能够很好的控制该工艺的质量。
文档编号G01B11/02GK102832150SQ201210157809
公开日2012年12月19日 申请日期2012年5月21日 优先权日2012年5月21日
发明者倪棋梁, 陈宏璘, 王洲男, 龙吟, 郭明升 申请人:上海华力微电子有限公司
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