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    一种汽车尾气传感器用材掺镧及其制备方法

    时间:2025-05-01    作者: 管理员

    专利名称:一种汽车尾气传感器用材掺镧及其制备方法
    技术领域:
    本发明属功能陶瓷技术领域。
    背景技术:
    用于汽车尾气控制的氧传感器分以下几类(如表1所示),按操作原理分半导体型、浓差电池型和电化学泵型;按应用分化学计量A/F型、贫油A/F型。
    表1 自动控制氧传感器

    从表1可以看出,现已应用的尾气传感器有ZrO2和TiO2,但是二者均存在温度系数高、稳定性差的缺点。
    半导体型氧传感器具有不需要气体参比电极、尺寸小、结构简单、成本低、便于集成化生产等特点,成为汽车尾气传感器主要的发展方向。作为半导体型氧传感器,TiO2具有较强的氧敏特性,但研究表明无催化剂的TiO2传感器存在操作温度高、响应时间长、灵敏度低等一系列不足,因此在TiO2中加入催化剂成为研究方向。
    CeO2与其它稀土氧化物相比能显著地提高催化剂的性能。它可以提高催化剂在理论空燃比附近对CO、HC及NOx的净化率,特别是提高催化剂长期高温使用后在各种空燃比下对CO的净化率。氧化铈在净化汽车尾气中的作用包括储氧效应、提高催化载体的热稳定性、促进水煤气变换反应、提高催化剂的抗中毒能力、提高氧传感器的稳定性等。CeO2在净化汽车尾气中的多种功能,使其作为汽车催化剂用量剧增(见表2)。
    表2 汽车催化剂用CeO2的数量地区 1988年限用车数(辆)2000年限用车数(辆)日本、亚洲 385万1159万北美1735万 1819万欧洲125万1611万合计2245万 4589万使用量(吨) 1200 1900

    发明内容
    为提高传感器的氧敏性能,发明人对微米CeO2掺杂微米La2O3进行了试验研究。结果表明一定量La3+的掺入能够显著提高CeO2材料的氧敏性能,达到50%——见表3。当La2O3掺杂量为0.5~4%(质量百分浓度)时材料氧敏性能最佳——见图1。在CeO2掺杂La2O3促使其氧敏性能显著提高,可改善材料的催化选择性,提高催化效率,改善响应速度。
    表3 掺镧对微米CeO2材料氧敏性能的影响

    从图1中看出,随着掺镧量的增大,材料的氧敏因子先减小后又增大。根据指数定理,氧敏因子m越�。牧系绲妓嫜醴盅沟谋浠矫飨裕牧系难趺粜阅茉胶�。实验结果表明当La2O3掺杂量为0.5~4%(质量百分浓度)时材料氧敏性能最好。


    图1La2O3掺加量对CeO2氧敏性能影响;图2实验装置的示意图;图3La2O3掺杂CeO2样品制备流程图。
    具体实施例方式a.La2O3掺杂CeO2样品制备如图3。
    b.测试样品制备将制备出的各种粉末并压制成φ10mm、厚1mm的圆薄片,放入箱式炉内热处理,然后在样品表面涂敷银浆,引出电极,用自行组装的模拟汽车尾气排放的实验装置进行氧敏性能的测试。虽然测试装置不是真实的使用环境,但测试结果能够反映出真正使用传感器时性能变化的趋势。
    c.测试方法自行设计组装的模拟实验系统由三部分组成配气系统、测量氧分压部分和样品电阻测试部分。实验装置的示意图如图6所示(1)配气系统本实验采用纯净的氮气和纯压缩空气混合,得到测量所需的气体环境,通过气体流量计调节两种气体流量获得不同配比氧分压的混合空气,用导管送入定氧系统和测量系统。
    (2)氧分压测量系统氧分压测量是通过定氧测头获得的。定氧测头是由Y2O3稳定ZrO2管、Cu和CuO参比电极及一些密封材料组成。
    (3)电阻测量系统把已经连接电极的待测样品放入硅碳棒炉内,升温至传感器实际工作温度,炉内温度由变压器调节(控温误差±2℃),用镍铬-镍硅热电偶测量炉内温度(测温误差±2℃),用DT-9927型万用表测量样品电阻,从而得到材料的氧敏性能。
    权利要求
    1.一种以CeO2为催化剂制作的汽车尾气传感器,其特征在于对微米CeO2掺杂微米La2O3。
    2.如权利要求1所述的传感器,其特征在于La2O3掺杂量为0.5~4%质量百分浓度。
    3.一种对微米CeO2掺杂微米La2O3的汽车尾气传感器用材的制备方法,其特征在于将微米CeO2与微米La2O3粉末经磁力搅拌0.5~2小时混合后,通过压力为50~100MPa压制成直径5~30mm的薄片后,再经1000~1500℃、1~5小时烧结。
    全文摘要
    一种汽车尾气传感器用材掺镧及其制备方法,属于功能陶瓷技术领域。目前汽车尾气传感器用材料多以CeO
    文档编号G01N27/409GK1616955SQ200410088758
    公开日2005年5月18日 申请日期2003年1月3日 优先权日2003年1月3日
    发明者张梅, 杜雪岩, 王习东, 包宏, 刘振祥, 李文超 申请人:北京科技大学

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