专利名称：Oct装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及OCT装置。
背景技术：
OCT (Optical Coherence Tomography光学相干断层扫描)装置是ー种使用了低相干光的干涉仪。OCT装置能够在光的行进方向以相干长度左右的位置分辨能力将特定的位置上被反射或者散射的光的強度分布作为断层图像并进行检測。OCT装置例如可以被用于诊断眼球和牙齿等。在专利文献I中记载有将OCT装置应用于眼科诊断的技木。在专利文献I所记载的OCT装置中，在输出近红外区域波长的光的光源被使用，并且，作为检测近红外区域波长的光的光检测器而可以使用CCD (Charge Coupled Device :电荷稱合器件)摄像元件。 现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利申请公开2009-034480号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题关于CXD摄像元件一般是使用廉价而且容易制造的硅基板。然而，使用了硅基板的CXD摄像元件在900nm以上的波长区域其灵敏度会急剧劣化。虽然通过对硅基板实施薄化处理，从而就能够维持在IOOOnm附近的灵敏度,但是可能会产生标准具(etalon)现象。标准具现象是ー种在入射的被检测光与已入射的被检测光在相对于入射面的面上进行反射的光之间发生干涉的现象。为此，标注具现象会影响到在近红外波长区域中的检测特性。本发明其目的在于提供ー种OCT装置，其具备使用硅基板、并且在近红外波长区域具有充分灵敏度特性的光检测器。解决技术问题的手段本发明所涉及的OCT装置具备输出光的光源；分支部，对从光源输出的光进行分支从而输出第I分支光以及第2分支光；探针部，将从分支部输出的第I分支光照射于被测定对象物并且输入来自被测定对象物的光从而进行引导；合波部，将被探针部引导而到达的光作为试样光输入并且将从分支部输出而到达的第2分支光作为參照光输入，对这些输入的參照光和试样光进行合波，从而输出由该合波而产生的干涉光；光检测器，检测从合波部输出的干涉光的强度；光检测器具有由第I导电类型(first conductivity-type)的半导体构成、并具有互相相対的第I主面以及第2主面并且在第I主面侧形成第2导电类型的半导体区域的硅基板；被设置于硅基板的第I主面上并且传送所产生的电荷的传送电极部；在硅基板上，既在第2主面侧形成具有比硅基板高的杂质浓度的第I导电类型的积累层(accumulation layer),又在第2主面上的至少与第2导电类型(secondconductivity-type)的半导体区域相对的区域形成不规则的凹凸，并且在娃基板的第2主面上的形成有不规则的凹凸的区域进行光学性地露出。在本发明所涉及的OCT装置中，在具有光检测器的硅基板上，不规则的凹凸被形成于第2主面上的至少与第2导电类型的半导体区域相対的区域。为此，入射到光检测器的干渉光在该区域被反射、散射或者扩散，并在硅基板内进行长距离行迸。由此，入射到光检测器的干渉光其大部分不是透过光检测器(硅基板)而是被硅基板所吸收。因此，在上述光检测器中，入射到光检测器的干渉光的行进距离变长，并且干渉光被吸收的距离也变长。其结果则提高了在近红外波长区域中的灵敏度特性。在硅基板的第2主面侧形成具有比硅基板高的杂质浓度的第I导电类型的积累层。为此，在第2主面侧并非由光产生的不用载流子被再结合，从而能够减少暗电流。第I导电类型的上述积累层抑制了在硅基板的第2主面附近由干渉光而产生的载流子被该第2主面捕获。为此，由干渉光而产生的载波能够高效率地向第2导电类型的半导体区域和硅基板的Pn接合部移动，并提高了光检测器的光检测灵敏度。在本发明所涉及的OCT装置中，对于硅基板也可以将对应于第2导电类型的半导体区域的部分从第2主面侧起被薄化，并保留该部分的周边部分。在此情况下，就能够获得将硅基板的第I主面以及第2主面侧分别作为光入射面的半导体光检测元件。在本发明所涉及的OCT装置中，第I导电类型的积累层的厚度也可以为大于不规则的凹凸的高低差。在此情况下，如以上所述能够确保由积累层所起到的作用效果。在本发明所涉及的OCT装置中，硅基板其厚度可以被设定在像素间距以下。在此情况下，就能够抑制在像素之间发生串扰。发明效果根据本发明就能够提供ー种OCT装置，其具备使用硅基板并且在近红外的波长区域具有充分灵敏度特性的光检测器。
图I是表示OCT装置的概略构成图。
图2是表示光检测器的立体图。图3是为了说明光检测器的截面构成的图。图4是表示光检测器的变形例的立体图。图5是为了说明光检测器的制造方法的图。图6是观测到被形成于P型半导体基板的不规则凹凸的SEM图像。符号说明I…P型半导体基板Ia…第I主面Ib…第2主面3…η型半导体层5…电荷传送电极7…绝缘层9…光感应区域10…不规则凹凸
11 …积累层(accumulation layer)100... OCT 装置101…眼底照相机単元102…低相干光源106…光稱合器116…參照镜124 …光谱仪(spectrometer)E…被检眼PSiPS1光检测器SS…半导体基板TD…凹部
具体实施例方式以下參照附图就本发明的优选实施方式进行详细说明。还有，在图面的说明中将相同的符号标注于相同要素或者具有相同功能的要素上并省略重复的说明。首先，參照图I就OCT装置100的结构进行说明。图I是表示OCT装置的概略构成图。OCT装置100例如具有为了形成被检眼E的眼底断层图像的结构。OCT装置100将低相干光分割成參照光和信号光，并使经由被检眼E眼底的信号光与经由參照物体的參照光相重叠从而生成干渉光，并检测该干涉光。检测结果(检测信号)被输入到运算控制装置(没有图示)。运算控制装置解析检测信号并形成眼底(特别是视网膜)的断层图像。低相干光源102是由输出低相干光LO的宽带区域光源构成的。作为低相干光源102例如可以使用高亮度发光二极管(SLD :Super Luminescent Diode)和发光二极管(LED Light Emitted Diode)。低相干光LO包含近红外区域波长的光,并且具有数十μ m左右的时间的相干长度。低相干光LO具有大于眼底照相机単元101的照明光(波长大约400nnT800nm)的波长，例如具有包含在大约80(Tll00nm范围内的波长。从低相干光源102输出的低相干光LO通过光纤104被引导到光耦合器106 (分支部以及合波部)。光纤104是由例如单模光纤(Single-mode optical fiber)乃至PM光纤(Polarization Maintaining Fiber :偏振面保持光纤)等所构成。光稱合器106将低相干光LO分支成參照光LR (第2分支光)和信号光LS (第I分支光)。光稱合器106是作为分割光的构件(分路器splitter)以及重叠光的构件(稱合器coupler)双方进行作用的装置，在此将其惯称为“光耦合器”。參照光LR被光纤108导光而从光纤端面输出。光纤108是由单模光纤等构成的。參照光LR被准直透镜(collimator lens)110调整成为平行光束并经由玻璃块112以及浓 度滤光片114，从而被參照镜116反射。被參照镜116反射的參照光LR再一次经由浓度滤光片114以及玻璃块112，并由准直透镜Iio聚光于光纤108的光纤端面上，从而通过光纤108被引导到光耦合器106。玻璃块112以及浓度滤光片114是作为用于使參照光LR和信号光LS的光路长度(光学距离)一致的延迟构件而起作用，另外，是作为用于使參照光LR和信号光LS的分散特性一致的分散补偿构件而起作用。浓度滤光片114也可以作为减少參照光光量的减光滤光片而起作用，例如可以由旋转型的中性密度滤光片(neutral density filter)构成。浓度滤光片114通过由浓度滤光片驱动机构(未图示)进行驱动旋转，从而就可变更參照光LR的光量的减少量。由此，就能够调整有助于干涉光LC生成的參照光LR的光量。參照镜116能够在參照光LR的行进方向(由图I所表示的两侧箭头方向)上进行移动。由此，就能够对应于被检眼E的眼轴长和工作距离(working distance)(眼底照相机单元101内的对物透镜IOla与被检眼E的距离)等确保參照光LR的光路长度。通过使參照镜116移动从而就能够取得眼底任意深度位置的图像。參照镜116由參照镜驱动机构(没有图示)而被移动。由光I禹合器106所生成的信号光LS由光纤118而被导光至连接线120的端部。光 纤118是由单模光纤等构成的。在连接线120的内部光纤120a被导通。光纤118和光纤120a既可以由単一的光纤进行形成，又可以通过接合各个端面彼此等一体地形成。信号光LS在连接线120内被导光并被引导到眼底照相机単元101 (探针部)。信号光LS从眼底照相机単元101 (对物透镜IOla)被照射到被检眼E。眼底照相机単元101是为了对眼底表面的彩色图像或单色图像或荧光图像进行拍照而被使用的。眼底照相机单元101与现有的眼底照相机相同具备照明光学系统和摄影光学系统。入射到被检眼E的信号光LS在眼底上成像并反射。此时，信号光LS不仅仅在眼底表面进行反射，而且还到达眼底深部区域并在折射率边界进行散射。因此，经由眼底的信号光LS包含反映眼底表面形态的信息、和反映眼底深层组织的折射率边界上的后方散射状态的信息。在有的情况下将该信号光单单称作为“信号光LS的眼底反射光”。信号光LS的眼底反射光(试样光)在眼底照相机101内的上述路径以相反方向行迸，并被聚光于光纤120a的端面，通过连接线120以及光纤118返回到光耦合器106。光耦合器106将经由被检眼E返回来的信号光LS和在參照镜116上进行反射的參照光LR重叠并生成干涉光LC。干涉光LC通过光纤122被引导到光谱仪124。光纤122是由单模光纤等构成的。在本实施方式中是使用迈克尔逊型干涉仪，但是也可以使用例如马赫_曾德尔(Mach-Zehnder)型等任意类型的干涉仪。光谱仪(分光计)124是由准直透镜126、衍射光栅128、成像透镜130以及光检测器PS构成的。衍射光栅128既可以是使光透过的透过型衍射光栅，也可以是反射光的反射型衍射光栅。入射到光谱仪124的干渉光LC被准直透镜126调整成平行光束，并由衍射光栅128进行分光(光谱分解)。被分光的干涉光LC由成像透镜130而被成像于光检测器PS的摄像面上。光检测器PS检测被分光的干渉光LC的各个光谱，并将其转换成电信号，从而将检测信号输出至运算控制装置(未图示)。检测信号成为对应于被分光的干渉光LC各个光谱强度的信号。运算控制装置解析从OCT装置100的光检测器被输入的检测信号，并形成被检眼E的眼底断层图像。接着，參照图2以及图3就光检测器PS进行说明。图2是表示光检测器的立体图。图3是为了说明光检测器的截面结构的图。光检测器PS如图2所示是ー种背面入射型固体摄像元件，并且是ー种用KOH水溶液等蚀刻半导体基板SS的背面侧来进行薄化的BT-CCD (电荷耦合器件)。在被蚀刻的半导体基板SS的中央区域形成有凹部TD，在凹部TD的周围存在有厚的框部。凹部TD的侧面相对于底面BF而形成钝角并发生傾斜。半导体基板SS的被薄化的中央区域是光感应区域(摄像区域)。干渉光LC在该光感应区域沿着Z轴的负方向进行入射。半导体基板SS的凹部TD的底面BF构成光入射面。也可以是将光检测器PS作为整个区域被薄化的背面入射型固体摄像元件。光检测器PS具备作为上述半导体基板SS的P型半导体基板I。P型半导体基板I由硅(Si)结晶构成，并具有互相相対的第I主面Ia以及第2主面lb。p型半导体基板1，其厚度被设定在像素间距P以下。在本实施方式中，像素间距P为1(Γ48μπι左右，P型半导体基板I的厚度为1(Γ30μπι左右。以本实施方式来表示二相时钟驱动的例子，在各个传送电极的下，存在着为了切实实行电荷的ー个方向传送而使杂质浓度有所不同的区域(未图示)。 在P型半导体基板I的第I主面Ia侧形成有作为电荷传送部的η型半导体层3，且在P型半导体基板I与η型半导体层3之间形成有ρη接合。在ρ型半导体基板I的第I主面Ia上经由绝缘层7而设置有作为传送电极部的多个电荷传送电极5。在ρ型半导体基板I的第I主面Ia侧，虽然图示被省略但是也形成有将η型半导体层3与每个垂直CXD电分离的隔离区域。η型半导体层3的厚度为O. 5μπι左右。将不规则的凹凸10形成于ρ型半导体基板I的第2主面Ib上的光感应区域9整体。在P型半导体基板I的第2主面Ib侧形成有积累层11，且第2主面Ib光学性地露出。所谓第2主面Ib光学性地露出不仅仅是第2主面Ib与空气等气氛相接触，还包括光学性地将透明膜形成于第2主面Ib上的情況。在光检测器PS为整体被薄化的背面入射型固体摄像元件的情况下，也可以遍布P型半导体基板I的第2主面Ib整体形成不规则的凹凸10。在光检测器PS为只是在光感应区域9附近被薄化的背面入射型固体摄像元件的情况下，也可以遍布还包括P型半导体基板I的没有被薄化的周边框部和到达框部的倾斜面的第2主面Ib整体，形成不规则的凹凸10。整体被薄化背面入射型固体摄像元件可以不设置框部，而通过在将其他基板贴付于半导体基板SS的表面之后，研磨半导体基板SS的背面侧进行制得。如图4所示，光检测器PS1其半导体基板SS的背面侧整体被薄化。在光检测器PS1中，在半导体基板SS的背面(第2主面)上将不规则的凹凸10形成于至少对应于光感应区域的区域。在半导体基板SS的背面侧形成有以上所述的积累层(未图示)。接着，就本实施方式的光检测器PS的制造方法进行说明。首先，准备具有互相相対的第I主面Ia以及第2主面Ib的ρ型半导体基板I。准备好的P型半导体基板I的厚度为300 μ m左右，比电阻为O. OOflOkQ ^cm的程度。在本实施方式中，所谓“高杂质浓度”是例如杂质浓度为IXlO17cnT3以上，用“ + ”标付于导电类型来表示。所谓“低杂质浓度”是杂质浓度为IXlO15cnT3以下，用“-”标付于导电类型来表示。作为η型杂质有锑(Sb)和神(As)等，作为ρ型杂质有硼(B)等。接着，将η型半导体层3形成于ρ型半导体基板I的第I主面Ia侧。η型半导体层3是通过在ρ型半导体基板I内从第I主面Ia侧使η型杂质扩散而被形成的。接着，从第2主面Ib侧如上述那样薄化ρ型半导体基板I。
接着，将积累层11形成于ρ型半导体基板I的第2主面Ib侧。积累层11与以上所述实施方式相同地，通过在P型半导体基板I内从第2主面Ib侧，以杂质浓度高于P型半导体基板I的形式对P型杂质进行离子注入或者使之扩散而被形成的。积累层11的厚度为例如0.5μπι左右。积累层11既可以在形成不规则的凹凸10之前形成，另外，又可以在形成不规则的凹凸10之后形成。接着，对ρ型半导体基板I实施热处理从而使积累层11活性化。热处理例如是在氮气N2气氛下以80(Tl00(TC左右的范围处理O. 5^1. O小时左右。此时，ρ型半导体基板I的结晶性也得到恢复。接着，将脉冲激光PL照射于ρ型半导体基板I的第2主面Ib侧，从而形成不规则 的凹凸10。在此，如图5所示在将P型半导体基板I配置于腔室C内之后，从被配置于腔室C外侧的脉冲激光发生装置PLD将脉冲激光PL照射到P型半导体基板I。腔室C具有气体导入部Gin以及气体排出部Gtot。在腔室C内，通过从气体导入部Gin将惰性气体(例如氮气和氩气等)导入并从气体排出部Gotit排出废气，从而形成ー个惰性气体流Gf。在照射脉冲激光PL的时候，所产生的尘埃等被惰性气体流Gf排出至腔室C外，由此就能够防止加工切屑和尘埃等附着到P型半导体基板I。在本实施方式中，作为脉冲激光发生装置PLD是使用皮秒(picosecond) 飞秒(femtosecond)脉冲激光发生装置,遍布第2主面Ib的整个面照射皮秒 飞秒脉冲激光。第2主面Ib被皮秒 飞秒脉冲激光打毛，如图6所示在第2主面Ib的整个面上形成了不规则的凹凸10。不规则的凹凸10具有相对于正交于第I主面Ia的方向进行交叉的面。凹凸10的高低差为例如O. 5 10μπι的程度，凹凸10上的凸部之间的间隔为O. 5 10μπι的程度。皮秒 飞秒脉冲激光的脉冲时间宽为例如50fs 2ps左右，强度为例如4 16GW左右，脉冲能量为例如200^800 μ J/pulse0更为一般的是波峰强度为3X IO11 2. 5X IO13 (ff/cm2),注量(fluence)为O. Γ . 3 (J/cm2)左右。图6是观测到被形成于第2主面Ib的不规则凹凸10的SEM图像。接着，对ρ型半导体基板I进行热处理。热处理例如是在氮气N2气氛下以800 1000で左右范围处理O. 5^1. O小时左右。通过热处理就能够谋求P型半导体基板I上的结晶损伤的恢复以及再结晶化，并能够防止暗电流的増加等不良状况的出现。也可以省略积累层11形成之后的热处理，只做不规则凹凸10形成之后的热处理。接着，形成绝缘层7以及电荷传送电极5。形成绝缘层7以及电荷传送电极5的エ序为已知，故在此省略对其说明。电荷传送电极5例如由多晶硅或者金属所构成。绝缘层7例如由SiO2所构成。也可以以覆盖绝缘层7以及电荷传送电极5的形式进ー步形成保护膜。保护膜例如由硼磷娃玻璃BPSG (Boron Phosphor Silicate Glass)所构成。由此,完成了对光检测器PS的制作。在光检测器PS中，如果干涉光LC从光入射面(第2主面Ib)进行入射的话，那么因为在第2主面Ib上已形成有不规则的凹凸10，所以入射的干渉光LC由于凹凸10而被散射并在P型半导体基板I内朝着各种各样的方向行迸。到达第I主面Ia等的光成分由于在凹凸10上的扩散而朝着各种各样的方向行迸。为此，到达第I主面Ia等的光成分在第I主面Ia进行全反射的可能性极高。在第I主面Ia等上进行全反射的光成分重复在不同面上的全反射或在第2主面Ib上的反射、散射或者扩散，且其行进距离变得更长。就这样，入射到光检测器PS的干渉光LC在凹凸10上进行反射、散射或者扩散，在P型半导体基板I内作长距离行迸。而且，入射到光检测器PS的干渉光LC，在长距离行进于P型半导体基板I内部的过程中，被P型半导体基板I吸收，由干渉光LC所产生的载流子成为η型半导体层3的每ー个像素的电荷并被传送检測。因此，由光检测器PS就能够提高在近红外波长区域中的灵敏度特性。可是，在将规则的凹凸形成于第2主面Ib的情况下，到达第I主面Ia或侧面的光成分虽然在凹凸上进行扩散，但是朝着一祥的方向行迸。为此，到达第I主面Ia或侧面的光成分在第I主面Ia和侧面上进行全反射的可能性变低了。而且，在第I主面Ia或侧面、再有在第2主面Ib上透过的光成分増加，且入射到光检测器PS的干渉光LC的行进距离变短。其结果要提高在近红外波长区域中的分光灵敏度特性就变得困难了。关于光检测器PS，会有一种由于由凹凸10所引起的反射、散射或者扩散而发生在像素之间的串扰从而降低清晰度的担忧。然而，因为P型半导体基板I的厚度被设定在像 素间距P以下，所以本发明所涉及的光检测器PS能够抑制在像素之间发生串扰。在光检测器PS中是将积累层11形成于ρ型半导体基板I的第2主面Ib侧。由此，在第2主面Ib侧并非由光而产生的不用载流子被再结合，并且能够减少暗电流。积累层11抑制了在第2主面Ib附近由光而发生的载波被该第2主面Ib捕捉。为此，由干渉光LC而产生的载流子能够高效率地向ρη接合部移动，井能够进ー步提高光检测器PS的光检测灵敏度。在本实施方式中，在形成了积累层11之后对ρ型半导体基板I进行热处理。由此，就能够使P型半导体基板I的结晶性得到恢复，井能够防止发生暗电流增加等不良状况的产生。在本实施方式中，在对ρ型半导体基板I进行了热处理之后形成电荷传送电极5。由此，即使是在将熔点比较低的材料使用于电荷传送电极5的情况下，也不会由于热处理而使得电荷传送电极5发生熔融，并且能够不受热处理的影响而恰当地形成电荷传送电极5。在本实施方式中，照射皮秒 飞秒脉冲激光，从而形成不规则的凹凸10。由此，就能够恰当而且容易地形成不规则的凹凸10。可是，在所谓固体摄像元件的半导体光检测元件中，通过较厚地设定由硅构成的半导体基板(例如200 μ m的程度)，从而就有可能实现在近红外波长区域具有分光灵敏度特性的半导体光检测元件。然而，在増大上述半导体基板厚度的情况下，为了获得良好的分辨率，有必要施加数十伏左右的高偏压电压，而对半导体基板实施完全耗尽(fulldepletion)。这是为了防止如果不被完全耗尽而在半导体基板中部分性地留下中性区域，那么在中性区域所产生的载流子进行扩散，分辨率发生恶化。如果半导体基板较厚，暗电流也就增加。为此，通过冷却半导体基板(例如-7(T-100°C)来抑制暗电流的增加也是必要的。然而，在光检测器PS中，如以上所述通过在第2主面Ib上形成不规则的凹凸10，从而入射到光检测器PS的干渉光LC的行进距离就会被延长。为此，半导体基板(P型半导体基板I )，不必特别增厚对应于光感应区域9的部分，就能够实现在近红外波长区域具有充分的分光灵敏度特性的光检测器PS。因此，比起通过增厚半导体基板而在近红外波长区域具有分光灵敏度特性的半导体光检测元件，上述光检测器PS更能够通过施加极低的偏压电压或者不施加偏压电压来获得良好的分辨率。另外，根据具体用途，半导体基板的冷却也将变得不再需要。半导体基板，特别是在对应于光感应区域的部分被薄化的情况下，可能会发生标准具(etalon)现象。标准具现象是从背面入射的被检测光与已入射的被检测光在表面进行反射的光之间发生干涉的现象，并会影响到在近红外波长区域的检测特性。然而，在光检测器PS中，通过在第2主面Ib上形成不规则的凹凸10，从而相对于入射光的相位，在凹凸10上反射的光具有发生分散的相位差。其结果就会抵消这些光的彼此，从而抑制标准具效应。在本实施方式中，ρ型半导体基板I从第2主面Ib侧起被薄化。由此，就能够获得分别将P型半导体基板I的第I主面Ia以及第2主面Ib侧作为光入射面的半导体光检测元件。即，光检测器PS不只是背面入射型固体摄像元件，还可以作为表面入射型固体摄像元件来进行使用。
在形成积累层11之后照射脉冲激光来形成不规则的凹凸10，在此情况下，优选将积累层11的厚度设定成大于不规则凹凸10的高低差。在此情况下，即使照射脉冲激光从而形成不规则的凹凸10也会切实地留下积累层11。因此，就能够确保由积累层11而起到的作用效果。以上虽就本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于以上所述的实施方式，只要是在不脱离本发明宗g的范围内各种各样的变更都是可能的。也可将本实施方式所涉及的光检测器PS中的ρ型以及η型的各个导电类型替换成与上述光检测器相反。产业上的利用可能性本发明能够被利用于在眼科诊断和牙科诊断等方面所使用的OCT装置。
权利要求
1.ー种OCT装置，其特征在于 具备 输出光的光源； 分支部，对从所述光源输出的光进行分支并输出第I分支光以及第2分支光； 探针部，将从所述分支部输出的第I分支光照射于被测定对象物、且输入来自被测定对象物的光并进行引导； 合波部，将被所述探针部引导而到达的光作为试样光进行输入并且将从所述分支部输出而到达的第2分支光作为參照光进行输入,对这些输入的參照光和试样光进行合波,从而输出由该合波而产生的干渉光；以及 光检测器，检测从所述合波部输出的干渉光的強度， 所述光检测器具有 硅基板，由第I导电类型的半导体构成、具有互相相対的第I主面以及第2主面、并且在所述第I主面侧形成有第2导电类型的半导体区域；以及 传送电极部，设置于所述硅基板的所述第I主面上并且传送所产生的电荷， 在所述硅基板上，在所述第2主面侧形成具有比所述硅基板高的杂质浓度的第I导电类型的积累层，并在所述第2主面上的至少与第2导电类型的所述半导体区域相対的区域形成不规则的凹凸， 所述硅基板的所述第2主面上的形成有不规则的所述凹凸的区域光学性地露出。
2.如权利要求I所述的OCT装置，其特征在于 所述硅基板中，对应于第2导电类型的所述半导体区域的部分从所述第2主面侧起被薄化，并保留该部分的周边部分。
3.如权利要求I或者2所述的OCT装置，其特征在于 第I导电类型的所述积累层的厚度大于不规则的所述凹凸的高低差。
4.如权利要求f3中任意一项所述的OCT装置，其特征在于所述硅基板的厚度被设定在像素间距以下。
全文摘要
本发明所涉及的OCT装置的光检测器(PS)具备硅基板(1)，由第1导电类型的半导体所构成、且具有互相相对的第1主面(1a)以及第2主面(1b)、并在第1主面(1a)侧形成有第2导电类型的半导体层(3)；电荷传送电极(5)，被设置于第1主面(1a)上并传送所产生的电荷。在硅基板(1)上，在第2主面侧(1b)形成具有比硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层(11)，并在第2主面(1b)上的至少与半导体区域(3)相对的区域形成不规则的凹凸(10)。在硅基板(1)的第2主面(1b)上的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
文档编号G01N21/17GK102725623SQ20118000711
公开日2012年10月10日 申请日期2011年1月19日 优先权日2010年1月25日
发明者宫崎康人, 村松雅治, 渥美利久, 米田康人, 铃木久则 申请人:浜松光子学株式会社
