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专利名称：温度评价电路的制作方法
温度评价电路技术领域
本发明的实施例涉及一种包括温度评价电路的电子电路。具体实施例涉及一种包括集成电路和被配置为评价集成电路中的至少一个温度的温度评价电路的电子电路。
背景技术：
集成电路可以包括在半导体本体中集成的多个不同的半导体器件。在集成电路外部的故障诸如短路可以在半导体本体中的这些器件的一个器件或者几个器件中引起电能消耗并且可以因此引起半导体本体的温度增加。在开始时，这是刚好在故障发生之后，温度增加仅仅是局部的，即在消耗半导体器件位于此处的位置处，而当故障存在更长的时间时， 温度增加的区域扩大。为了防止集成电路热过载，能够在集成电路中布置至少一个温度传感器。这个温度传感器提供代表在温度传感器位于此处的位置处的温度的温度信号。这个温度得以评价，从而能够采取适当的超温保护措施，诸如切断集成电路的一个部分。
根据一种方案，不仅在一个位置处的温度，而且在两个位置处的温度之间的温差也得到测量和评价。
在带有多个不同的器件和多个温度传感器的集成电路中，被配置为评价各个温度或者温差的评价电路能够是非常复杂的。
存在对易于实现并且能够容易地适配于具体需要的温度评价电路的需要。发明内容
第一实施例涉及一种包括温度评价电路的电子电路。该温度评价电路包括第一传感器电路和第二传感器电路。第一传感器电路包括第一输出端子并且被配置为感测至少在电子电路的第一位置处的第一温度并且在第一输出端子处产生依赖于第一温度的第一输出电流。 第二传感器电路包括第二输出端子并且被配置为感测至少在电子电路的第二位置处的第二温度并且在第二输出端子处产生依赖于第二温度的第二输出电流。温度评价电路进一步包括评价电路，该评价电路具有被连接到第一输出端子和第二输出端子的输入端子并且被配置为提供依赖于在输入端子处接收的电流的评价信号。
第二实施例涉及一种包括温度评价电路的电子电路。温度评价电路包括多个即η 个传感器电路，其中η>1，每一个传感器电路包括输出端子并且被配置为感测至少一个温度并且提供依赖于该至少一个温度的输出电流。温度评价电路进一步包括评价电路，该评价电路包括被连接到该多个传感器电路的输出端子的输入端子并且被配置为提供依赖于在输入端子处接收的电流的评价信号。
第三实施例涉及一种用于保护在半导体本体中集成的第一功率半导体器件的方法，在该半导体本体中集成了第二功率半导体器件。该方法包括提供依赖于第一功率半导体器件的温度的第一温度信号。第二温度信号依赖于第二功率半导体器件的温度。形成至少第一温度信号和第二温度信号的加权和从而形成组合温度信号。第一温度信号的第一加权因子和第二温度信号的第二加权因子具有相反的符号。该方法进一步包括比较组合温度信号与阈值并且依赖于比较结果切断第一功率半导体器件。


现在将参考附图解释实例。附图用于示意基本原理，从而仅仅示意了对于理解基本原理有必要的方面。附图未按比例。在附图中相同的附图标记标识类似的特征。
图1示意包括具有多个传感器电路的温度评价电路的电子电路的第一实施例；图2不意一个传感器电路的第一实施例；图3示意包括带有多个传感器电路的温度评价电路的电子电路的进一步的实施例；图4不意一个传感器电路的进一步的实施例；图5示意可以在传感器电路中实现的温度传感器的第一实施例；图6示意可以在传感器电路中实现的温度传感器的第二实施例；图7示意可以在传感器电路中实现的电流源布置的第一实施例；图8示意根据图7的电流源布置的实施例；
图9示意带有两个传感器电路、控制电路和评价电路的温度评价电路的实施例；图10示意可以在传感器电路中实现的电流源布置的进一步的实施例；图11示意包括三个传感器电路、控制电路和评价电路的温度评价电路的实施例；并且图12示意评价电路的实施例。
具体实施方式
在以下详细说明中，对附图进行参考，附图形成它的一个部分，并且在其中通过示意方式示出可以在其中实践本发明的具体实施例。在这方面，方向术语诸如“顶”、“底”、 “前”、“后”、“首”、“尾”等是参考所描述的图的定向使用的。因为实施例的构件能够被以多种不同的定向定位，所以方向术语是为了示意的意图使用的而绝非加以限制。要理解可以利用其它的实施例并且可以作出结构或者逻辑变化而不偏离本发明的范围。因此，以下详细说明不要被以限制性的意义理解，并且本发明的范围是由所附权利要求限定的。要理解， 在这里描述的各种示例性实施例的特征可以相互组合，除非具体地另有指出。
将在具体背景下，即在感测和评价集成电路中的温度的背景下解释本发明的实施例。然而，应该指出，本发明的实施例不被限制于感测和评价集成电路中的温度，而是可以被应用于感测和评价在任何种类的电子电路中的温度，该电子电路还包括带有在印刷电路板(PCB)上布置的多个器件的电子电路。
图1示意电子电路的第一实施例。该电子电路包括带有多个即η个传感器电路Ip 12的温度评价电路，其中η>1。虽然在图1中示意的电子电路包括η=2个传感器电路I1U2, 但是利用两个传感器电路I1U2实现评价电路仅仅是一个实例。通常，可以在温度评价电路中实现任何数目的传感器电路。
传感器电路I1U2中的每一个被配置为测量至少在电子电路的一个位置处的温度。在于图1中示意的实施例中，该多个传感器电路中的第一传感器电路I1被配置为感测至少在电子电路的第一位置P1处的温度，并且该多个传感器电路中的第二传感器电路12被配置为感测至少在电子电路的第二位置P2处的温度。在所示意的实施例中，电子电路的、 在此处温度得到感测的位置PpP2是半导体本体100的、在其中实现集成电路的位置。带有该多个传感器电路I1U2的温度评价电路被热耦合到半导体本体100。根据一个实施例，在 图1中概略地示意的温度评价电路也被集成在半导体本体100中。
根据一个实施例，在半导体本体100中实现的集成电路包括至少一个功率半导体 器件，诸如功率晶体管，诸如功率MOSFET或者功率IGBT。然而，未在图1中详细地示意这个 功率器件。通常已知，功率晶体管能够被用作用于开关电子负载的电子开关。当功率晶体 管接通并且在负载中发生错误诸如短路时，在功率晶体管在此处集成的位置处电力在半导 体本体100中消耗。这可以导致在功率晶体管在此处集成的位置处半导体本体100的温度 增加并且可以导致具有被连接于此的故障负载的功率晶体管的破坏和/或导致在半导体 本体100中集成的其它半导体器件的破坏故障。因此需要探测可以在半导体本体100中发 生的超温从而能够在集成电路的危险操作情况可以发生之前采取适当的措施，诸如切断功 率晶体管或者以其它方式中断向负载供电。
参考图1，第一位置P1和第二位置P2被远离地布置。根据一个实施例，第二位置 P2位于半导体本体100的功率器件区域120内。在功率器件区域120中，集成了高电压或 者高电流功率半导体器件，诸如功率晶体管。这个功率半导体器件能够是未在图1中明确 地示意的、传统的功率半导体器件。第一位置P1例如位于外侧并且远离功率器件区域120。 根据一个实施例，第一位置PJi于半导体本体100的逻辑区域110中。在逻辑区域110中， 实现了逻辑器件或者低电压或者低电流器件。这些低电压器件例如是用于控制和驱动在功 率器件区域120中集成的高电压功率器件的器件。根据一个实施例，温度评价电路被集成 在逻辑区域110中。
传感器电路I1U2中的每一个被配置为在输出端子处提供输出电流IpI215这些输 出电流Ip I2依赖于由各个传感器电路I1U2感测的至少一个温度从而第一传感器电路I1 的第一输出电流I1依赖于由第一传感器电路I1感测的至少一个温度，并且第二输出电流I2 依赖于由第二传感器电路I2感测的至少一个温度。输出电流I1U2每一个被提供给评价电 路2的一个输入端子，从而评价电路2接收对应于传感器电路I1U2的各个输出电流Ip I2 之和的输入电流ISUM。评价电路2被配置为评价输入电流Isum并且提供依赖于输入电流Isum 的超温信号Sot。根据一个实施例，超温信号Sot可以采取两个不同的信号电平即指示电子电 路的正常操作的第一信号电平和指示已经在电子电路中探测到超温的第二信号电平之一。 超温信号Sot能够由控制或者保护电路(在图1中未被示意)接收，该控制或者保护电路被配 置为采取适当的措施以在超温情况的情形中保护电子电路。这些措施可以例如包括切断已 经探测到过热的功率器件和/或切断整个电子电路的供电。
在图1的温度评价电路中,基于输入电流Isum产生超温信号Sot,该输入电流Isum再 次依赖于代表由第一传感器电路I1感测的至少一个温度的第一输出电流I1和代表由第二 传感器电路I2感测的至少一个温度的第二输出电流12。输入电流Isum因此代表由第一传感 器电路I1感测的至少一个温度和由第二传感器电路I2感测的至少一个温度的加权和。
在图1中示意的类型的温度评价电路是非常灵活的。通过只是将每一个感测在半 导体本体100的进一步的位置处的至少一个温度的、一个或者多个另外的传感器电路连接 到评价电路2的输入端子，可以在产生超温信号Sra时对在集成电路中发生的另外的温度加 以考虑。例如，通过在该至少一个感测温度和各个输出电流Ip I2之间的关系(比例因子)， 在传感器电路I1U2中调节在输入电流Isum中这些温度中的每一个的权重。将在下面解释用于调节这种关系的装置的实例。
图2概略地示意传感器电路I1U2之一的第一实施例。在图2中示意的传感器电 路I代表该多个传感器电路I1U2之一，其中该多个传感器电路I1U2中的每一个可以如在 图2中所示意地实现。然而，以不同的方式实现各个传感器电路I1U2也是可能的。
参考图2，传感器电路I包括被热耦合到半导体本体100的、传感器电路I在此处 感测至少一个温度的至少一个位置P的温度传感器3。关于图2讨论的位置代表在图1中 不意的位置P1、P2之一。
温度传感器3提供温度信号S3，其中温度信号S3代表在位置P处的至少一个温 度。温度信号S3由电流源布置4接收。电流源布置4被配置为依赖于温度信号S3并且因 此依赖于在位置P处的该至少一个感测温度而产生传感器电路I的输出电流I。在图2中 的输出电流I代表图1的输出电流I” I2之一。
图3示意包括温度评价电路的电子电路的进一步的实施例。图3的温度评价电路 是基于图1的温度评价电路并且另外地包括被配置为产生由一个传感器电路I1U2接收的 至少一个控制信号S5pS52的控制电路5。在于图3中示意的实施例中，控制电路5被配置 为对于传感器电路I1U2中的每一个产生控制信号S5p S52。然而，这仅仅是一个实例。控 制电路I1U2被配置为依赖于从控制电路5接收的控制信号S5p S52调节在至少一个感测 温度和相应的输出电流I1U2之间的关系。控制信号S51、S52因此限定如由传感器电路Ip I2感测的各个温度在评价电路2的输入电流Isum中的权重。除了各个温度的权重，控制信 号S5p S52还确实限定评价电路2的输入电流Isih被与之相比较的“有效阈值”。当例如控 制信号S5p S52仅仅改变从而它们的和是常数时，仅仅各个输出电流的权重改变。然而，当 控制信号S5p S52的和也改变时，有效阈值也改变。这将在下面结合图10进一步详细地予 以解释。
控制信号S5p S52能够是在电子电路的操作期间并不改变的固定信号。在此情形 中，例如作为依赖于在其中存储的信息产生控制信号S5pS52的一次性可编程(OTP)存储器 实现控制电路5。通过控制电路5，能够依赖于具体需要或者依赖于在电子电路或者温度评 价电路中实现的电子器件的特性来配置电子电路。这些各个器件的特性可以依赖于在制造 过程中的关系而改变。通过适当地选择控制信号S51、S52，这种改变可以得到补偿。
根据进一步的实施例，控制信号S5p S52可以在电子电路的操作期间改变从而改 变各个输出电流IpI2的权重。根据一个实施例，控制信号S51、S52依赖于至少一个功率器 件的“操作历史”改变。操作历史可以例如包括有关功率器件已被接通的时段或者之前是否 已经探测到功率器件的超温情况的信息。在操作期间改变控制信号S5p S52进一步允许例 如通过例如将其它温度在输入电流Isia中的权重设为零而一次评价由一个传感器电路Ip I2感测的温度中的仅仅一个温度。
图4示意能够用于实现在图3中示意的一个或者多个传感器电路I1U2的传感器 电路I的实施例。在这个传感器电路I中，电流源布置4接收控制信号S5，其中在图4中的 S5代表由各个传感器电路接收的控制信号，诸如由第一传感器电路I1接收的第一控制信号 SS1或者由第二传感器电路I2接收的第二控制信号S52。电流源布置4被配置为依赖于温 度信号S3并且还依赖于控制信号S5调节输出电流I。
能够作为被配置为产生依赖于至少一个温度的温度信号S3的、传统的温度传感器实现在于图2和4中示意的传感器电路I中实现的温度传感器3。根据一个实施例，作为产生依赖于在将在此处感测温度的位置处的绝对温度或者甚至与该绝对温度成比例的温度信号S3的绝对温度传感器实现温度传感器3。这种绝对温度传感器的不同的实现是已知的。
在图5中示意这种绝对温度传感器的一个实施例。这个温度传感器3包括两个传感器元件31、32，每一个传感器元件被布置在将在此处感测温度的位置处。假设例如在感测在半导体本体100的第一位置P1处的温度的、根据图1和3的第一传感器电路I1中实现图 5的温度传感器3。在此情形中，第一和第二传感器元件31、32在第一位置P1处被布置于半导体本体100上或者半导体本体100中。参考图5，作为被正向偏压的二极管实现传感器元件31、32。第一传感器元件31被与第一电流源33串联连接，其中带有第一传感器元件31 和第一电流源33的串联电路被连接在分别用于正供应电势V+和负供应电势或者基准电势 GND的端子之间。带有第一传感器元件31和第一电流源33的第一串联电路进一步包括在第一传感器元件31和电流源33之间连接的阻抗35，诸如电阻器。第二传感器元件32被与第二电流源34串联连接，其中带有第二传感器元件32和第二电流源34的第二串联电路被连接在用于正供应电势V+和基准电势GND的端子之间。
在以下讨论中，使用了术语Ixx并且Vxx，其中XX是用于在电路中的元件的引用数字。在这个命名中，Ixx指的是通过电路元件XX的电流并且Vxx指的是电路元件XX两端的电压。
第一和第二电流源 33、34是由公共控制信号控制的受控电流源，在图5的实施例中该公共控制信号是温度信号S3。虽然由第一和第二电流源33、34提供的电流133、134 依赖于温度信号S3，但是第一和第二电流133、134是成比例的，从而比率134/133是常数。 第二电流源34例如被实现成使得第二电流134大于第一电流133，从而134/133>1。
温度信号S3由放大器诸如接收带有第一传感器元件31和电阻器35的串联电路两端的电压V31+V35和第二传感器元件32两端的电压V32的运算放大器(OA)产生。放大器36控制第一和第二电流源33、34从而带有第一传感器元件31和电阻器35的串联电路两端的电压V31+V35对应于第二传感器元件32两端的电压V32。在第一和第二电流133、 134和第二传感器元件31、32两端的电压V31、V32之间和在电阻器两端的电压V35和第一及第二传感器元件两端的电压V32、V33之间存在以下关系
权利要求
1.ー种包括温度评价电路的电子电路，所述温度评价电路包括 第一传感器电路，所述第一传感器电路包括第一输出端子并且被配置为感测在所述电子电路的第一位置处的第一温度并且在所述第一输出端子处产生依赖于所述第一温度的第一输出电流； 第二传感器电路，所述第二传感器电路包括第二输出端子并且被配置为感测在所述电子电路的第二位置处的第二温度并且在所述第二输出端子处产生依赖于所述第二温度的第二输出电流；和 评价电路，所述评价电路包括被连接到所述第一输出端子和所述第二输出端子的输入端子并且被配置为提供依赖于在所述输入端子处接收的电流的评价信号。
2.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第二传感器电路被配置为感测在所述第二位置处的所述第二温度和所述电子电路的第三位置处的第三温度之间的第一温差并且在所述第二输出端子处产生第二输出电流，所述第二输出电流依赖于所述第一温差。
3.根据权利要求2所述的电子电路， 其中所述第一位置、所述第二位置和所述第三位置位于集成电路中，并且 其中所述第二位置比所述第三位置更加远离所述第一位置定位，其中在所述第二位置和所述第一位置之间的距离大于在所述第三位置和所述第一位置之间的距离。
4.根据权利要求3所述的电子电路，其中所述第三位置对应于所述第一位置。
5.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第一传感器电路进一歩包括 第一温度传感器，所述第一温度传感器被配置为提供依赖于所述第一温度的第一温度測量信号；和 第一电流源布置，所述第一电流源布置被配置为接收所述第一温度測量信号并且依赖于所述第一温度測量信号产生所述第一输出电流。
6.根据权利要求5所述的电子电路，进一歩包括 被配置为产生第一控制信号的控制电路， 其中所述第一电流源布置被配置为接收所述第一控制信号并且还依赖于所述第一控制信号产生所述第一输出电流。
7.根据权利要求6所述的电子电路，其中所述第一电流源布置进ー步包括 第一多个受控电流源，每ー个受控电流源接收所述第一温度測量信号并且被耦合到所述第一输出端子；和 启用电路，所述启用电路被配置为接收所述第一控制信号并且依赖于所述第一控制信号启用或者停用所述第一多个受控电流源中的各个受控电流源。
8.根据权利要求5所述的电子电路，其中所述第一温度传感器包括 包括第一传感器元件、阻抗和第一受控电流源的第一串联电路； 包括第二传感器元件和第二受控电流源的第二串联电路；和 控制环，所述控制环被配置为产生用于第一和第二电流源的公共驱动信号从而带有所述第一传感器元件和所述阻抗的所述串联电路两端的电压降对应于所述第二传感器元件两端的电压降，其中所述第一温度測量信号依赖于所述公共驱动信号。
9.根据权利要求8所述的电子电路，其中所述第一传感器元件和所述第二传感器元件姆ー个均包括ニ极管。
10.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述第二传感器电路进一歩包括 第二温度传感器，所述第二温度传感器被配置为提供依赖于第一温差的第二温度測量信号；和 第二电流源布置，所述第二电流源布置被配置为接收所述第二温度測量信号并且依赖于所述第二温度測量信号产生所述第二输出电流。
11.根据权利要求10所述的电子电路，进一歩包括 被配置为产生第二控制信号的控制电路， 其中所述第二电流源布置被配置为接收所述第二控制信号并且还依赖于所述第二控制信号产生所述第二输出电流。
12.根据权利要求11所述的电子电路，其中所述第二电流源布置进ー步包括 第二多个受控电流源，每ー个受控电流源接收所述第二温度測量信号并且被耦合到所述第二输出端子；和 启用电路，所述启用电路被配置为接收所述第二控制信号并且依赖于所述第二控制信号启用或者停用所述第二多个受控电流源中的各个受控电流源。
13.根据权利要求10所述的电子电路，其中所述第二温度传感器进ー步包括 包括第三传感器元件和第一电流源的第三串联电路； 包括第四传感器元件和第四电流源的第四串联电路； 第五串联电路，所述第五串联电路包括第五电流源和进ー步的阻抗并且被耦合到对所述第四传感器元件和所述第四电流源公共的电路节点； 控制环，所述控制环被配置为产生用于第六电流源的驱动信号从而带有所述进一歩的阻抗和所述第五电流源的串联电路两端的电压降对应于所述第三传感器元件两端的电压降， 其中所述第二温度測量信号依赖于所述驱动信号。
14.根据权利要求13所述的电子电路，其中第三和第四传感器元件是ニ极管。
15.根据权利要求1所述的电子电路，进一歩包括 第三传感器电路，所述第三传感器电路包括第三输出端子并且被配置为感测在所述电子电路的第四位置和第五位置处的温度之间的第二温差并且在所述第三输出端子处产生依赖于所述第二温差的第三输出电流。
16.根据权利要求15所述的电子电路， 其中所述第一位置、所述第二位置、所述第三位置、所述第四位置和所述第五位置被布置在集成电路中，并且 其中所述第二位置比所述第三位置更加远离所述第一位置定位并且所述第四位置比所述第五位置更加远离所述第一位置定位。
17.根据权利要求16所述的电子电路，其中所述第三位置对应于所述第五位置。
18.根据权利要求17所述的电子电路，其中第三和第五位置对应于所述第一位置。
19.根据权利要求15所述的电子电路，其中所述第二传感器电路和所述第三传感器电路被配置为产生带有相反的符号的所述第二输出电流和所述第三输出电流。
20.根据权利要求1所述的电子电路，其中所述温度评价电路进一歩包括 被连接到所述输入端子的阻抗；比较器，所述比较器被配置为比较所述阻抗两端的电压与基准电压并且依赖于比较结果产生超温信号。
21.ー种包括温度评价电路的电子电路，所述温度评价电路包括 多个即η个传感器电路，其中η>1，每ー个传感器电路包括输出端子并且被配置为感测至少ー个温度并且提供依赖于所述至少ー个温度的输出电流；和 评价电路，所述评价电路包括被连接到所述多个传感器电路的所述输出端子的输入端子并且被配置为提供依赖于在所述输入端子处接收的电流的评价信号。
22.根据权利要求21所述的电子电路，进一歩包括 被配置为产生至少ー个控制信号的控制电路， 其中所述传感器电路中的至少ー个被配置为依赖于如由至少ー个传感器元件感测的所述至少ー个温度并且依赖于所述至少一个控制信号提供所述输出电流。
23.根据权利要求22所述的电子电路，其中所述传感器电路中的至少ー个包括 温度传感器，所述温度传感器被配置为产生依赖于所述至少ー个温度的ー个温度測量信号; 电流源布置，所述电流源布置被配置为接收来自所述温度传感器的所述温度測量信号和来自所述控制电路的ー个控制信号，并且被配置为依赖于所述温度測量信号和所述至少一个控制信号提供所述输出电流。
24.根据权利要求23所述的电子电路， 其中所述电流源布置进ー步包括多个受控电流源，所述多个受控电流源被并联连接并且每ー个接收所述温度測量信号或者依赖于所述温度測量信号的信号；和 启用电路，所述启用电路被配置为接收所述至少一个控制信号并且依赖于所述至少一个控制信号启用或者停用所述多个受控电流源中的各个受控电流源。
25.根据权利要求24所述的电子电路，其中所述启用电路包括与所述多个受控电流源之一串联连接的至少ー个开关。
26.根据权利要求21所述的电子电路，其中每ー个传感器电路包括至少ー个传感器元件。
27.根据权利要求26所述的电子电路，其中所述传感器电路中的每ー个的所述至少一个传感器元件在集成电路中集成。
28.一种用于保护在半导体本体中集成的第一功率半导体器件的方法，在所述半导体本体中还集成了第二功率半导体器件，所述方法包括 提供依赖于所述第一功率半导体器件的温度的第一温度信号； 提供依赖于所述第二功率半导体器件的温度的第二温度信号； 形成至少所述第一温度信号和所述第二温度信号的加权和，从而形成组合温度信号，其中所述第一温度信号的第一加权因子和所述第二温度信号的第二加权因子具有相反的符号; 比较所述组合温度信号与阈值；和 依赖于比较结果切断所述第一功率半导体器件。
29.根据权利要求28所述的方法，其中所述第二加权因子的绝对值小于所述第一加权因子的绝对值。
30.根据权利要求28所述的方法， 其中所述第一温度信号依赖于在所述第一功率半导体器件的温度和所述半导体本体的远离所述第一功率半导体器件的给定位置处的温度之间的温差，并且 其中所述第二温度信号依赖于在所述第二功率半导体器件的温度和所述半导体本体的所述给定位置处的温度之间的温差。
31.根据权利要求30所述的方法，进ー步包括 提供依赖于在所述给定位置处的温度的进ー步的温度信号， 其中形成所述加权和从而形成所述组合温度信号包括形成所述第一温度信号、所述第ニ温度信号和所述进一歩的温度信号的加权和。
32.根据权利要求28所述的方法，其中第一和第二温度信号是电流信号。
全文摘要
一种电子电路包括温度评价电路。温度评价电路包括被配置为感测电子电路的第一位置处的第一温度并且在第一输出端子处产生依赖于第一温度的第一输出电流的、带有第一输出端子的第一传感器电路。第二传感器电路包括第二输出端子并且被配置为感测在电子电路的第二位置处的第二温度并且在第二输出端子处产生依赖于第二温度的第二输出电流。评价电路具有被连接到第一输出端子和第二输出端子的输入端子并且被配置为提供依赖于在输入端子处接收的电流的评价信号。
文档编号G01K7/00GK102998016SQ20121032909
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月7日 优先权日2011年9月7日
发明者M.费尔特凯勒 申请人:英飞凌科技奥地利有限公司