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专利名称：判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置的制作方法
判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置
技术领域：
本发明涉及集成电路制造与测试领域，尤其涉及判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置。
背景技术：
集成电路制造领域中，需要采用光刻的方法在晶圆的表面形成图形，以获得设计 所需要的结构。在光刻过程中，由于光刻版、光刻胶以及其它各个方面因素的影响，有可能 导致晶圆表面由光刻所形成的图形存在缺陷。因此需要采用一种方法对晶圆表面的图形是 否存在缺陷进行判断。 在判断晶圆表面是否具有重复性缺陷的过程中，首先要获得晶圆中每一个晶粒的 表面形貌。获得表面形貌可以采用扫描电子显微镜、光学电子显微镜以及聚焦粒子束扫描 等方法，也可以采用其它本领域内常见的表面形貌测试方法。 在获得了每一个晶粒的表面形貌之后，需要根据表面形貌的数据，采用预先 设定的判断方法对是否具有缺陷进行判断。现有技术中判断缺陷是采取晶粒间比较
(die-to-die comparison)的方法。附图1所示为现有技术中晶粒间比较方法的示意图。 此方法以每一个晶粒(die)为基本的单元，通过将晶粒Y的形貌与和相邻的两个晶粒X和 Z相比较，如果所述晶粒Y某个点的表面形貌与相邻的两个晶粒X和Z的表面形貌均不同， 则认为晶粒X在该点所处的位置存在缺陷。 在晶圆表面图形的缺陷中，有一种特殊的缺陷被称作重复缺陷。所谓重复缺陷通 常是由于光刻版的图形有缺陷，而导致晶圆表面的图形存在缺陷。由于每个晶粒采用的是 相同的一套光刻版进行曝光，因此这种缺陷在每个晶粒的相同位置均存在，故而被称作重 复缺陷。 由于现有技术是采用晶粒之间比较的方法对缺陷进行判断，而重复缺陷恰好是在 每个晶粒之间的相同位置均存在的一种缺陷，因此现有技术无法判断出晶圆表面是否存在 重复缺陷。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种判断晶圆表面重复缺陷的方法和装置， 检测出晶粒表面部分区域内的重复缺陷。 为了解决上述问题，本发明提供了一种判断晶圆表面重复缺陷的方法，包括如下 步骤(a)获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；(b)根 据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则；(c)根据子晶粒划分规则，利 用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；(d)以子晶粒为基本的检测单 元，组成至少一个检测序列；(e)在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少两个其它子 晶粒进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一个晶粒的子晶粒，以 判断重复缺陷。
作为可选的技术方案，所述步骤(b)进一步包括(bl)根据待测晶圆的晶粒形貌 的设计数据，寻找具有相同设计结构的子晶粒，若在晶粒形貌设计数据中无法找到具有相 同设计结构的子晶粒，则中止测试，若能够找到具有相同设计结构的子晶粒，则执行步骤 (b2) ;(b2)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供的具有相同设计结构的子晶粒的 分布情况，确定子晶粒的划分规则。 作为可选的技术方案，所述步骤(e)进一步包括(el)选定一个检测序列中的一 个子晶粒，将选定的子晶粒的表面形貌的检测数据与检测序列中与其相邻的两个另外的子 晶粒相比较，判断所述选定的子晶粒的表面形貌是否与所述两个另外的子晶粒的表面形貌 相同，至少与其中一个另外子晶粒相同则认定该被选定的子晶粒表面不存在重复缺陷，如 果两个另外的子晶粒皆与被选定的子晶粒不相同，则执行步骤(e2) ;(e2)考察被选定的子 晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于同一种类的其它子晶粒的数目，若属于同一种类的其 它子晶粒的数目为l，则执行步骤(e3)，若大于1则认定此被选定的子晶粒存在重复缺陷； (e3)进一步采用同标准图形进行比较的方法，以确定被选定的子晶粒所在的区域是否存在 重复缺陷；上述步骤执行完毕后，再选定另外一个子晶粒，重复步骤(el) (e3)的测试，直 至对步骤(c)中划分的所有子晶粒都测试完毕为止。 作为可选的技术方案，所述步骤(e3)包括将该种类的子晶粒的表面形貌与对应
的版图设计图形相比较，以确定是否存在重复缺陷。 作为可选的技术方案，所述半导体晶圆为多目标任务晶圆。 本发明还提供了一种判断晶圆表面重复缺陷的装置，包括如下模块输入模块，用 于提供待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；划分规则生成 模块；用于根据输入�？樘峁┑拇�测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则； 子晶粒划分�？椋�用于根据划分规则生成�？樘峁┑淖泳Я；�分规则以及输入模块提供的 晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；检测序列生成模块，用于根据子晶 粒划分�？榛�分的子晶粒为基本的检测单元，组成至少一个检测序列；缺陷检测模块，用于 在检测序列生成�？樘峁┑拿恳桓黾觳庑蛄兄校�选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒 进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一个晶粒的子晶粒，以判断 重复缺陷。 作为可选的技术方案，所述划分规则生成�？榻�一步包括判定单元，根据待测晶 圆的晶粒形貌的设计数据，寻找具有相同设计结构的子晶粒，若在晶粒形貌设计数据中无 法找到具有相同设计结构的子晶粒，则中止测试，若能够找到具有相同设计结构的子晶粒， 则执行规则生成单元；规则生成单元，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供的具有 相同设计结构的子晶粒的分布情况，确定子晶粒的划分规则。 作为可选的技术方案，所述缺陷检测�？榻�一步包括子晶粒比较单元，选定一个 检测序列中的一个子晶粒，将选定的子晶粒的表面形貌的检测数据与检测序列中与其相邻 的两个另外的子晶粒相比较，判断所述选定的子晶粒的表面形貌是否与所述两个另外的子 晶粒的表面形貌相同，至少与其中一个另外子晶粒相同则认定该被选定的子晶粒表面不存 在重复缺陷，如果两个另外的子晶粒皆与被选定的子晶粒不相同，则执行子晶粒数目判定 单元；子晶粒数目判定单元，考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于同一种 类的其它子晶粒的数目，若属于同一种类的其它子晶粒的数目为l，则执行标准图形比较单元，若大于1则认定此被选定的子晶粒存在重复缺陷；标准图形比较单元，用于进一步采用 同标准图形进行比较的方法，以确定被选定的子晶粒所在的区域是否存在重复缺陷；上述 单元执行完毕后，再选定另外一个子晶粒，进入上述单元进行测试，直至对子晶粒划分�？� 中划分的所有子晶粒都测试完毕为止。 作为可选的技术方案，所述标准图形比较单元包括将该种类的子晶粒的表面形貌
与对应的版图设计图形相比较，以确定是否存在重复缺陷。 作为可选的技术方案，所述半导体晶圆为多目标任务晶圆。 本发明的优点在于，以每个晶粒中重复出现的子晶粒作为基本的测试单元对晶圆 表面进行测试。因此本发明可以对晶粒表面重复单元所在的区域进行测试，以找到晶粒表 面位于上述区域内的重复缺陷。


附图1所示为现有技术中晶粒间比较方法的示意图； 附图2所示为本发明所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法的具体实施方式
的实 施步骤流程图； 附图3所示为本具体实施方式
中用于测试的半导体晶圆；
附图4所示为本具体实施方式
中的晶粒形貌的设计数据； 附图5所示为本具体实施方式
中步骤S110的一种优选的实现方案的实施步骤示 意图； 附图6所示为本具体实施方式
中根据晶粒形貌的设计数据所确定的子晶粒划分 规则； 附图7所示为本具体实施方式
中用于测试的半导体晶圆的子晶粒划分结果；
附图8所示为本具体实施方式
中步骤S140的一种优选的实现方案的实施步骤示 意图； 附图9所示为本发明所述的判断晶圆表面重复缺陷的装置的具体实施方式
的检 测装置结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置的具体实施 方式做详细说明。 首先结合附图给出本发明所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法的具体实施方式
。
本具体实施方式
中所述之晶圆为多目标任务晶圆(MPW :Multi-ProjectWafer)。 多目标任务晶圆是一种特殊类型的晶圆。该晶圆是将多个使用相同工艺的集成电路设计放 在同一晶圆片上流片，制造完成后，每个设计可以得到数十片芯片样品，这一数量对于原型 设计阶段的实验、测试已经足够。而该次制造费用就由所有参加MPW的项目按照芯片面积 分摊，成本仅为单独进行原型制造成本的5% _10%，极大地降低了产品开发风险、培养集 成电路设计人才的门槛和中小集成电路设计企业在起步时的门槛。这种晶圆的特点在于， 每个晶粒(die)被划分成多个区域，不同的区域采用的是不同的集成电路设计，用于实现 不同的任务，并且每个区域中通常是由多个相同的独立电路拼合而成的。本具体实施方式
中所提供的方法尤其适用于对上述多目标任务晶圆进行重复缺陷的检测。 本具体实施方式
在晶圆中已经通过了晶粒间比对测试的晶粒中进行，对于没有通
过晶粒间比对测试的晶粒，说明其中已经存在缺陷，不必继续进行其它测试。对于通过晶粒
间比对测试的晶粒，其表面形貌是相同的，但是仍不能排除这些晶粒中仍然存在重复缺陷
的可能，因此要执行本具体实施方式
中的测试。 附图2所示为本具体实施方式
的实施步骤流程图，包括如下步骤步骤S100，获得 待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；步骤S110，根据待测 晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则；步骤S120，根据子晶粒划分规则，利 用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；步骤S130，以子晶粒为基本的检 测单元，组成至少一个检测序列；步骤S140，在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少 两个其它子晶粒进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一个晶粒的 子晶粒，以判断重复缺陷。 参考步骤S100，获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设 计数据。 所述待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌可以采用扫描电子显微镜、光学电子显微 镜以及聚焦粒子束扫描等方法，也可以采用其它本领域内常见的表面形貌测试方法获得。
所述待测晶圆的晶粒形貌的设计数据是指所述晶粒对应的集成电路版图的设计 图形。 附图3所示为本具体实施方式
所述的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括^、^以及 Z工三个晶粒。 附图4所示为本步骤所述的晶粒形貌的设计数据10。该数据可以从所述晶粒的版 图设计文件中获得。 参考步骤S110，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则。
上述将将子晶粒组成检测序列的步骤可以采用多种方案实现，附图5所示的步骤 是上述步骤SllO的一种优选的实现方案的实施步骤示意图，包括步骤S111，根据待测晶 圆的晶粒形貌的设计数据，寻找具有相同设计结构的子晶粒，若在晶粒形貌设计数据中无 法找到具有相同设计结构的子晶粒，则中止测试，若能够找到具有相同设计结构的子晶粒， 则执行步骤S112 ;步骤S112，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供的具有相同设计 结构的子晶粒的分布情况，确定子晶粒的划分规则。 在实施上述步骤中，实施步骤Slll的目的在于分析待测晶圆的晶粒形貌的设计 数据中是否具有相同设计结构的子晶粒，如果没有则中止测试，其原因在于本具体实施方 式仅适用于对具有相同设计结构的子晶粒即具有重复单元的晶粒进行测试，如果没有重复 单元，则无法划分子晶粒，测试也无法进行。如果晶粒表面有重复单元，则实施步骤Sl 12，确 定子晶粒的划分规则。 附图6所示，对本具体实施方式
中所述的晶粒形貌的设计数据IO进行分析，发现 该设计数据所表示的晶粒表面形貌可以划分成6个子晶粒11 16。其中子晶粒11和12 具有相同的设计结构，而13、14和15具有相同的设计结构。但是11和12所具有的设计结 构与13、14以及15所具有的设计结构是不同的。16是一个单独的子晶粒。因此可以确定 按照附图5中所示的布局规则对晶粒进行划分，将每个晶粒划分成六个子晶粒。
步骤S120，根据子晶粒划分规则，利用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若 干个子晶粒。 附图7所示，所述子晶粒划分规则已经在步骤S110以及附图6中给出，所述多目 标任务晶圆包括晶粒&、1和Z1Q在晶粒&中，包括两种子晶粒，^和A2的设计结构相同， 属于第一种子晶粒，BpB2以及B3是另外三个具有设计结构相同的子晶粒，属于第二种子晶 粒。Q区域不含有设计结构相同的子晶粒，不属于可测试区域。因此在晶圆&中定义五个 子晶粒，A、4、BpB2和B^其中&和A2属于第一种子晶粒，B^B2和B3属于第二种子晶粒。 类似地，在晶圆Y丄中，定义子晶粒A3、 A4、 B4、 B5和B6，其中A3和A4属于第一种子晶粒，B4、 B5 和B6属于第二种子晶粒；在晶圆Z丄中，定义子晶粒A5、 A6、 B7、 B8和Bg，其中A5和A6属于第 一种子晶粒，B7、 B8和B9属于第二种子晶粒。 步骤S130，以子晶粒为基本的检测单元，组成至少一个检测序列。
上述步骤中，具体是将晶圆中分布在不同晶粒中的所有的同一种子晶粒以所在晶 粒的位置次序以及子晶粒在晶粒中的位置次序作为排序依据，组成一个检测序列，所述晶 圆包括至少一个检测序列，所述同一种类子晶粒是指具有相同设计结构的子晶粒。
继续参考附图7，以上述子晶粒为基本的检测单元，将分布在不同晶粒l以及 中的所有的同一种子晶粒以所在晶粒的位置以及子晶粒在晶粒中的位置作为排序依据， 组成两个检测序列以第一种子晶粒构成的第一序列A工 Ae，以及第二种子晶粒构成的第 二序列B工 B9。而Q、G和C3由于在各自的晶粒中只包含一个属于同一种类的子晶粒，因 此不属于可测试的子晶粒，无法采用本具体实施方式
中所述的方法进行测试，因此也不进 行序列编排。 步骤S140，在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比 较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一个晶粒的子晶粒，以判断重复缺 陷。 上述将检测重复缺陷的步骤S140可以采用多种方案实现，附图8所示的步骤是 上述步骤S140的一种优选的实现方案的实施步骤示意图，包括步骤S141，选定一个检测 序列中的一个子晶粒，将选定的子晶粒的表面形貌的检测数据与检测序列中与其相邻的两 个另外的子晶粒相比较，判断所述选定的子晶粒的表面形貌是否与所述两个另外的子晶粒 的表面形貌相同，至少与其中一个另外子晶粒相同则认定该被选定的子晶粒表面不存在 重复缺陷，如果两个另外的子晶粒皆与被选定的子晶粒不相同，则执行步骤步骤S142;步 骤S142，考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于同一种类的其它子晶粒的数 目，若属于同一种类的其它子晶粒的数目为1，则执行步骤步骤S143，若大于l则认定此被 选定的子晶粒存在重复缺陷；步骤S143，进一步采用同标准图形进行比较的方法，以确定 被选定的子晶粒所在的区域是否存在重复缺陷。上述步骤实施完毕后，再选定另外一个子 晶粒，重复步骤步骤S141 S143的测试，直至对步骤S120中划分的所有子晶粒都测试完 毕为止。 所述步骤S142中，需要考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于同 一种类的其它子晶粒的数目，其原因在于对于每个晶粒中与被选定的子晶粒属于同一种类 的其它子晶粒的数目为1的情况而言，意味着每个晶粒中该种类的子晶粒的总数为2，步骤 S141虽然可以发现属于同一个晶粒的两个子晶粒之间表面形貌的差异，但是由于一个晶粒中只有这两个子晶粒，因此无法判断出两者究竟何者是有缺陷，何者是无缺陷的。所以在此 情况下，需要执行步骤S143进行进一步的判断。 继续参考附图7，对上述步骤S141至S143做详细说明。所述检测序列包括以第一 种子晶粒构成的第一序列A A6，以及第二种子晶粒构成的第二序列B工 B9。
首先选定第一序列& A6中的一个子晶粒A，将A与4和A6相比较。通过比较 发现，A的表面形貌都与A2和A6都不同，因此认定&中可能存在缺陷。进一步考察发现， 对A而言，在晶粒^中，只有4 一个子晶粒与其同属于第一种子晶粒，即在同一个晶粒中 与选定的子晶粒同属于第一种子晶粒的数目为1。因此需要进一步采用同标准图形进行比 较的方法，以确定该种类的子晶粒所在的区域是否存在重复缺陷。 一种优选的方法是将子 晶粒A的表面形貌与对应的版图设计图形相比较，以确定是否存在重复缺陷。每个晶粒的 表面形貌都是根据一套固定的版图通过光刻和腐蚀形成的，因此如果子晶粒&如果同版图 设计图形不符合，则可以确定是存在缺陷的。经比较发现A与版图设计图形是符合的，因 此可以判断^中并无重复缺陷。 接下来将4与&和~相比较，其中&与A2为同一个晶粒的子晶粒，经比较发现， 子晶粒A2表面形貌与&和A3都不同，并且在选取&进行比较的操作中，已经发现A工与版 图设计图形是符合的，因此可以确定子晶粒A2与版图设计图形是不符合的，因此A2所在的 区域存在重复缺陷。 然后继续将A3与A2和A4相比较，^与A3和A5相比较，以此类推。与上面类似的， 可以发现A4和A6存在重复缺陷。 然后选定第二序列B工 B9中的每一个子晶粒，将B工与B2和B9相比较。通过比较 发现，B工的表面形貌与B2不同但与B9相同。根据步骤S141所述"至少与其中一个另外子 晶粒相同则认定该被选定的子晶粒表面不存在重复缺陷"之判断原则，认定B工中不存在缺 陷。 进一步考察B2，将其与B工和B3比较，发现B2与B工和B3的表面形貌均不相同，并且 对B2而言，在晶粒&中，有B工和B3两个子晶粒与其同属于第二种子晶粒，即在同一个晶粒 中与选定的子晶粒B2同属于第二种子晶粒的数目为2 (亦即B工和B3)，大于1 。因此认定子 晶粒82的确存在重复缺陷。 接下来将B3与B2和B4相比较，将B4与B3和B5相比较，以此类推。通过比较可以 发现，82、85以及Bs所在的区域存在重复缺陷。 从上面的分析可以看出，通过本具体实施方式
所提供的方法，可以检查出子晶粒 A2、A4、A6、B2、B5以及Bs所在的区域存在重复缺陷。由于上述缺陷处于不同晶粒中的相同位 置，如果采用现有技术中的晶粒间比较的方法是无法发现这些缺陷的。但是采用本具体实 施方式中的方法，可以发现上述区域中存在的重复缺陷。 下面结合附图给出本发明所述判断晶圆表面重复缺陷的装置的具体实施方式
。 附图9所示为本具体实施方式
所述检测装置的结构示意图，包括 输入�？�210，用于提供待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的
设计数据。 划分规则生成�？�220，用于根据输入模块210提供的待测晶圆的晶粒形貌的设 计数据，确定子晶粒的划分规则。
子晶粒划分�？�230，用于根据划分规则生成�？樘峁┑淖泳Я；�分规则以及输 入�？樘峁┑木Я５谋砻嫘蚊彩�据将每个晶粒划分成若干个子晶粒。 检测序列生成�？�240，用于根据子晶粒划分�？�230划分的子晶粒为基本的检 测单元，组成至少一个检测序列。 缺陷检测�？�250，用于在检测序列生成�？�240提供的每一个检测序列中，选择 每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶 粒属于同一个晶粒的子晶粒，以判断重复缺陷。 由上述�？樗�构成的系统用于对附图3所示的半导体晶圆进行重复缺陷分析。
本具体实施方式
中所述之晶圆为多目标任务晶圆(MPW :Multi-ProjectWafer)。
继续参考附图9，作为本具体实施方式
中检测序列生成�？�220的一种优选实现 方案，所述划分规则生成�？�220进一步包括 判定单元221，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，寻找具有相同设计结构的子 晶粒，若在晶粒形貌设计数据中无法找到具有相同设计结构的子晶粒，则中止测试，若能够 找到具有相同设计结构的子晶粒，则执行规则生成单元。 规则生成单元222，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供的具有相同设计 结构的子晶粒的分布情况，确定子晶粒的划分规则。 继续参考附图9，作为本具体实施方式
中缺陷检测�？�250的一种优选实现方案， 所述缺陷检测�？�250进一步包括 子晶粒比较单元251，选定一个检测序列中的一个子晶粒，将选定的子晶粒的表面 形貌的检测数据与检测序列中与其相邻的两个另外的子晶粒相比较，判断所述选定的子晶 粒的表面形貌是否与所述两个另外的子晶粒的表面形貌相同，至少与其中一个另外子晶粒 相同则认定该被选定的子晶粒表面不存在重复缺陷，如果两个另外的子晶粒皆与被选定的 子晶粒不相同，则执行子晶粒数目判定单元。 子晶粒数目判定单元252，考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于 同一种类的其它子晶粒的数目，若属于同一种类的其它子晶粒的数目为l，则执行标准图形 比较单元，若大于1则认定此被选定的子晶粒存在重复缺陷。 标准图形比较单元253，用于进一步采用同标准图形进行比较的方法，以确定被选 定的子晶粒所在的区域是否存在重复缺陷。 上述单元执行完毕后，再选定另外一个子晶粒，进入上述单元进行测试，直至对子 晶粒划分�？�230中划分的所有子晶粒都测试完毕为止。 关于上述各个�？橐约暗ピ�之间的关系，还可以参考晶圆表面重复缺陷的检测方 法的具体实施方式
中的叙述。 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人 员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为 本发明的保护范围。
权利要求
一种判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤(a)获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；(b)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则；(c)根据子晶粒划分规则，利用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；(d)以子晶粒为基本的检测单元，组成至少一个检测序列；(e)在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一个晶粒的子晶粒，以判断重复缺陷。
2. 根据权利要求l所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，所述步骤(b)进 一步包括(bl)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，寻找具有相同设计结构的子晶粒，若在晶 粒形貌设计数据中无法找到具有相同设计结构的子晶粒，则中止测试，若能够找到具有相 同设计结构的子晶粒，则执行步骤(b2) ;(b2)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供 的具有相同设计结构的子晶粒的分布情况，确定子晶粒的划分规则。
3. 根据权利要求l所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，所述步骤(e)进 一步包括(el)选定一个检测序列中的一个子晶粒，将选定的子晶粒的表面形貌的检测数据与检 测序列中与其相邻的两个另外的子晶粒相比较，判断所述选定的子晶粒的表面形貌是否与 所述两个另外的子晶粒的表面形貌相同，至少与其中一个另外子晶粒相同则认定该被选定 的子晶粒表面不存在重复缺陷，如果两个另外的子晶粒皆与被选定的子晶粒不相同，则执 行步骤(e2);(e2)考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于同一种类的其它子晶粒的 数目，若属于同一种类的其它子晶粒的数目为1，则执行步骤(e3)，若大于1则认定此被选定的子晶粒存在重复缺陷；(e3)进一步采用同标准图形 进行比较的方法，以确定被选定的子晶粒所在的区域是否存在重复缺陷；上述步骤执行完毕后，再选定另外一个子晶粒，重复步骤(el) (e3)的测试，直至对 步骤(c)中划分的所有子晶粒都测试完毕为止。
4. 根据权利要求3所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，所述步骤(e3) 包括将该种类的子晶粒的表面形貌与对应的版图设计图形相比较，以确定是否存在重复缺 陷。
5. 根据权利要求1所述的判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，所述半导体晶 圆为多目标任务晶圆。
6. —种判断晶圆表面重复缺陷的装置，其特征在于，包括如下�？� 输入�？椋�用于提供待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；划分规则生成�？椋挥糜诟�据输入�？樘峁┑拇�测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定 子晶粒的划分规则；子晶粒划分�？椋�用于根据划分规则生成模块提供的子晶粒划分规则以及输入模块提 供的晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；检测序列生成�？椋�用于根据子晶粒划分�？榛�分的子晶粒为基本的检测单元，组成 至少一个检测序列；缺陷检测�？椋�用于在检测序列生成�？樘峁┑拿恳桓黾觳庑蛄兄校�选择每一个子晶 粒与至少两个其它子晶粒进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一 个晶粒的子晶粒，以判断重复缺陷。
7. 根据权利要求6所述的判断晶圆表面重复缺陷的装置，其特征在于，所述划分规则 生成模块进一步包括判定单元，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，寻找具有相同设计结构的子晶粒，若 在晶粒形貌设计数据中无法找到具有相同设计结构的子晶粒，则中止测试，若能够找到具 有相同设计结构的子晶粒，则执行规则生成单元；规则生成单元，根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据所提供的具有相同设计结构的子 晶粒的分布情况，确定子晶粒的划分规则。
8. 根据权利要求6所述的判断晶圆表面重复缺陷的装置，其特征在于，所述缺陷检测 �？榻�一步包括子晶粒比较单元，选定一个检测序列中的一个子晶粒，将选定的子晶粒的表面形貌的 检测数据与检测序列中与其相邻的两个另外的子晶粒相比较，判断所述选定的子晶粒的表 面形貌是否与所述两个另外的子晶粒的表面形貌相同，至少与其中一个另外子晶粒相同则 认定该被选定的子晶粒表面不存在重复缺陷，如果两个另外的子晶粒皆与被选定的子晶粒 不相同，则执行子晶粒数目判定单元；子晶粒数目判定单元，考察被选定的子晶粒在其所在的晶粒中具有与其属于同一种类 的其它子晶粒的数目，若属于同一种类的其它子晶粒的数目为l，则执行标准图形比较单 元，若大于1则认定此被选定的子晶粒存在重复缺陷；标准图形比较单元，用于进一步采用同标准图形进行比较的方法，以确定被选定的子 晶粒所在的区域是否存在重复缺陷；上述单元执行完毕后，再选定另外一个子晶粒，进入上述单元进行测试，直至对子晶粒 划分�？橹谢�分的所有子晶粒都测试完毕为止。
9. 根据权利要求8所述的判断晶圆表面重复缺陷的装置，其特征在于，所述标准图形 比较单元包括将该种类的子晶粒的表面形貌与对应的版图设计图形相比较，以确定是否存 在重复缺陷。
10. 根据权利要求6所述的判断晶圆表面重复缺陷的装置，其特征在于，所述半导体晶 圆为多目标任务晶圆。
全文摘要
一种判断晶圆表面重复缺陷的方法，包括如下步骤(a)获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；(b)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则；(c)根据子晶粒划分规则，利用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；(d)以子晶粒为基本的检测单元，组成至少一个检测序列；(e)在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比较，以判断重复缺陷。本发明还提供了一种判断晶圆表面重复缺陷的装置。本发明的优点在于，以每个晶粒中重复出现的子晶粒作为基本的测试单元对晶圆表面进行测试。因此本发明可以对晶粒表面重复单元所在的区域进行测试，以找到晶粒表面位于上述区域内的重复缺陷。
文档编号G01N21/956GK101738400SQ200810202769
公开日2010年6月16日 申请日期2008年11月14日 优先权日2008年11月14日
发明者吴浩 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司