专利名称：光学存储装置决定缺陷检测模式的方法
技术领域：
本发明是关于一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，特别是关于光学存储装置将数据写入光学存储媒体时决定缺陷检测模式的方法。
背景技术：
当光学存储媒体(如光盘)的某部分存在缺陷时，例如表面刮痕、污染或固有结构缺陷等，都会造成预定数据无法正确存储在该部分的光学存储媒体内。亦即，后续读取存储数据时会发现该笔数据受损而无法读取。为避免光学存储媒体上有缺陷而使得存储数据无法读�。虼讼喙卮娲⒚教宀悼⒊鲆恢志哂腥毕莨芾淼墓庋Т娲⒚教澹鏜ount Rainier格式的可重写光盘，其中包括常使用的CD-MRW及DVD+MRW。
为确保欲存储数据的存储完整性，有必要开发缺陷检测技术以便识别出光学存储媒体的缺陷部分。该缺陷检测技术主要包括写入检测(write defection)及写入验证(write verify)两种模式，其中写入检测模式是利用数据写入光学存储媒体时产生的伺服缺陷检测信号，再与一预设的阈值相比较，如图1中步骤11、步骤12及步骤13所示。若该伺服缺陷检测信号大于该阈值，则将该伺服缺陷检测信号转换为一缺陷EFM(Eight to FourteenModulation；8-14调制)信号，如步骤14所示。之后，经过步骤15的编译而将该缺陷EFM信号转换为缺陷区块。亦即将物理上缺陷地址改为逻辑上缺陷地址。当该伺服缺陷检测信号小于该阈值时，则由步骤13跳到步骤16而继续流程。若数据仍未完全写入该光学存储媒体，则由步骤16回到步骤12，直到所有数据存储完毕后才由步骤16进入步骤17，并结束整个流程。
图2是已知缺陷检测技术的写入验证模式的流程图。如步骤21所示，数据开始写入光学存储媒体，并依照步骤22将其中某部分数据写入一数据区块内。该部分数据写入后，再确认是否能自该数据区块读取所写入的数据，如步骤23所示。若无法读取所写入数据则进行步骤24，标明该数据区块为缺陷区块。相反，若能读取所写入数据，则直接进入步骤25。在步骤25确认该数据区块是否已全部读�。粑茨芏镣暝蚧氐讲街�23重复上述步骤。反之，则进行步骤26以确认数据是否已全部写入光学存储媒体。当所有数据存储完毕后才能结束整个流程，如步骤27所示；否则就再回到步骤22以重新写入其它部分的数据。
写入检测模式是直接利用数据写入时产生的伺服缺陷检测信号与一阈值相比较，例如使用射频(RF)信号或子束附加信号(Sub-Beam Add Signal；SBAD)，因而能快速地判断出该区块是否存在缺陷。但由于伺服缺陷检测信号通常为撷取光线反射的信号，故很难定出一适用于各种缺陷的最佳阈值，例如不同长度的划痕、指纹污染或刮伤都将造成不同的反射条件。
写入验证模式是通过读取所写入数据的步骤以重复验证缺陷是否存在，因此相较于步骤单一的数据写入检测模式，写入验证模式确能有效分辨缺陷，但相对地也因步骤较多而需要花费更多时间。
综上所述，已知的缺陷检测技术仅能单独选择写入检测或写入验证模式执行检错，因此无法兼顾速度及可靠性两种优点，亦无法针对光学存储媒体的实际缺陷分布情况而弹性调整检测模式。
发明内容
本发明的目的是提供一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，是根据光学存储媒体实际缺陷分布密度而选择缺陷检测模式，因此能兼顾速度及可靠性两种优点。
为达到上述目的，本发明公开一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其先分配光学存储媒体上至少一个检测区作为存储数据处，并判断先前缺陷记录所载的缺陷数量多少，而将该检测区设定为写入检测或写入验证的缺陷检测模式。当该检测区执行该写入检测而发现缺陷累积数量大于一预设的阈值，则将该检测区改设定为写入验证的缺陷检测模式。
另外，当该光学存储媒体为未格式化的光学存储媒体时，则无相关缺陷记录存在，因此直接将该检测区设定为写入检测的缺陷检测模式。在该检测区执行该写入检测而发现缺陷累积数量大于一预设的阈值，则将该检测区改设定为写入验证的缺陷检测模式。
图1是已知以写入检测模式写入数据的流程图；图2是已知以写入验证模式写入数据的流程图；图3(a)～3(c)是本发明的数据存储区域划分为若干个检测区的示意图；图4(a)～4(c)是本发明决定缺陷检测模式的第一优选实施例的说明示意图；图5是本发明决定缺陷检测模式的第一优选实施例的流程图；
图6(a)～6(b)是本发明决定缺陷检测模式的第二优选实施例的说明示意图；及图7是本发明决定缺陷检测模式的第二优选实施例的流程图。
具体实施例方式
图3(a)～3(c)是将本发明的数据存储区域划分为若干个检测区的示意图。光学存储媒体31的结构由内到外主要包含导入区(LI)、数据存储区(program area)及导出区(LO)，其中数据存储区又分割为若干个数据区(DA)，如图3(a)所示。在图3(a)中，将每一个数据区DA1～DAn分别视为不同的检测区1到n。亦可视整个数据存储区为单一检测区，如图3(b)所示。另外，在每一数据区内包含若干个数据封包(packet)，而每个数据封包或数个数据封包也可当成一个检测区，如图3(c)所示。本发明可应用于Mount Rainier格式的可重写光学存储媒体，该种光学存储媒体在相邻数据区间置入一备用区(SA)，可用来取代具有缺陷的数据区段以存储数据。
图4(a)～4(c)是本发明决定缺陷检测模式的第一优选实施例的说明示意图。本实施例可应用于一已格式化的光学存储媒体，该光学存储媒体上有四个预定存储数据的检测区，如图4(a)所示。由于格式化时就已将数据存储区内缺陷数量及位置记录于一缺陷表内，因此检测区1～检测区4的缺陷数量可分别得知，其中检测区1及检测区4的缺陷数量小于一阈值，因此先设定为写入检测模式D，如图4(b)所示。而检测区2及检测区3的缺陷数量多于一阈值，因此设定为写入验证模式V。依照图4(b)的设定型式来执行数据写入及缺陷检测的动作后，在实际缺陷检测时可能会另外发现未列于原缺陷表内的缺陷，原因可能是后续使用不当所造成的新缺陷。若原先设定为写入检测模式D的检测区4所累计新的缺陷数超过该阈值时，则决定将其写入检测模式D改为写入验证模式V，如图4(c)所示。
图5是本发明决定缺陷检测模式的第一较佳实施例的流程图。在数据写入开始后，在光学存储媒体上分配预定写入的若干个检测区，如步骤50及51所示。接着依照步骤52指示，用写入检测模式来格式化该光学存储媒体上所预定的写入检测区，并将缺陷数量及位置记录于一缺陷表内，并将该检测区内原先存储的数据清除。在步骤53，利用缺陷分布情形来决定每一检测区到底要使用写入检测模式或是写入验证模式。亦即利用缺陷表内所载缺陷信息来判断每一检测区的缺陷数量是否大于一阈值。若缺陷数量大于该阈值，则将该检测区设定为写入验证模式，否则设定为写入检测模式。
当检测区设定为写入检测模式时，在实际缺陷检测时要检查新的缺陷累积量是否大于该阈值。若大于该阈值则将该检测区的缺陷检测模式改为写入验证模式，如步骤54、55及56所示。若缺陷累积量仍小于该阈值，则不需要改变缺陷检测模式。若检测区是开始就设定为写入验证模式，就不需要执行步骤55及56的动作，直接跳至步骤57将数据写入该检测区内。当所有预定写入的数据都写至该若干个检测区内后，所有流程的动作即告结束，否则仍需要回到步骤54再逐一执行相关步骤，如步骤58及59所不。
图6(a)～6(b)是本发明决定缺陷检测模式的第二较佳实施例的说明示意图。本实施例可应用于一未格式化或缺陷分布信息不明的光学存储媒体。假设该光学存储媒体上有八个预定存储数据的检测区，如图6(a)所示。由于光学存储媒体尚未格式化，故检测区1～检测区8的缺陷数量无法得知。为方便起见，可全部先设定为写入检测模式D。当检测区2、检测区3及检测区7在执行数据写入及缺陷检测的动作时，分别发现缺陷累积量大于一阈值，则决定将其写入检测模式D改为写入验证模式V，如图6(b)所示。
图7是本发明决定缺陷检测模式的第二较佳实施例的流程图。在数据写入开始后，本发明在光学存储媒体上分配预定写入的若干个检测区，如步骤70及71所示。接着依照步骤72指示，用写入检测模式来将数据写入该些检测区内。
当检测区设定为写入检测模式，在实际缺陷检测时要检查缺陷累积量是否大于一阈值。若大于该阈值则将该检测区的缺陷检测模式改为写入验证模式，如步骤73、74及75所示。当缺陷累积量若仍小于该阈值，则不需改变缺陷检测模式。若检测区已改为写入验证模式，则不需执行步骤74及75的动作，直接跳至步骤76将数据写入该检测区内。当所有预定写入的数据都写至该若干个检测区内后，所有流程的动作即告结束，否则仍需要回到步骤73再逐一执行相关步骤，如步骤77及78所示。
本发明的技术内容及技术特点已公开如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本发明的教示及公开而作种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此，本发明的保护范围应不限于实施例所公开的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为后附的权利要求所涵盖。
权利要求
1.一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，包含下列步骤分配一光学存储媒体的至少一检测区以作为数据存储区域；设定该检测区为一写入检测的缺陷检测模式，并以该写入检测的缺陷检测模式将数据写入该至少一检测区内；以及若检测出任一该检测区的缺陷累积数量大于一预设的阈值，则将该缺陷检测的缺陷检测模式改为一写入验证的缺陷检测模式。
2.根据权利要求1的光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其另包含下列步骤记录该光学存储媒体内的该检测区的缺陷数量；及若任一该检测区的缺陷数量大于该阈值，则设定为写入检测的缺陷检测模式。
3.根据权利要求1的光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其中该检测区是依照该光学存储媒体的若干个数据区段来划分。
4.根据权利要求1光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其中该检测区是依照该光学存储媒体的若干个数据封包来划分。
5.根据权利要求1光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其中该检测区的数量只有一个，其包含该光学存储媒体的所有数据存储区域。
6.一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，包含下列步骤分配一光学存储媒体的至少一检测区以作为数据存储区域；记录该至少一检测区内的缺陷数量及位置在一缺陷表内；若该缺陷表显示该检测区内的缺陷数量小于一预设的阈值，则设定该检测区为一写入检测的缺陷检测模式，并以该写入检测模式将数据写入该检测区内；若该缺陷表显示该检测区内的缺陷数量大于一预设的阈值，则设定该检测区为一写入验证的缺陷检测模式，并以该写入验证的缺陷检测模式将数据写入该检测区内；以及若在数据写入过程发现缺陷累积数量大于该阈值时，则将该写入检测的缺陷检测模式变更为写入验证的缺陷检测模式。
7.根据权利要求6的光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其另包含以该写入检测模式来格式化该数据存储区域的步骤。
8.根据权利要求6的光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其中该检测区是依照该光学存储媒体的若干个数据区段来划分。
9.根据权利要求6的光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其中该检测区是依照该光学存储媒体的若干个数据封包来划分。
10.根据权利要求6的光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其中该检测区的数量只有一个，其包含该光学存储媒体的所有数据存储区域。
全文摘要
本发明公开一种光学存储装置决定缺陷检测模式的方法，其是先分配光学存储媒体上至少一个检测区以作为存储数据处，并依据缺陷数量多少而设定该检测区为写入检测或写入验证的缺陷检测模式。当该检测区执行该写入检测而发现缺陷累积数量大于一预设的阈值时，则将该检测区变更设定为写入验证的缺陷检测模式。
文档编号G01N21/88GK1680807SQ200410033530
公开日2005年10月12日 申请日期2004年4月6日 优先权日2004年4月6日
发明者金国文, 蔡守仁, 丘伟源 申请人:联发科技股份有限公司
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