专利名称：电流感测电路的制作方法
技术领域：
本实用新型有关于感测电路，更详而言之，是有关于一种应用于电流驱动电路的电流感测环境中的电流感测电路。
背景技术：
目前，对于应用于电流驱动电路的感测电路而言，此感测电路必须与其所
感测的电流驱动电路匹配良好，且，通常在IC布局时彼此必须紧靠在一起、
以及外观近似且排列方向相同，另，对于感测电路与电流驱动电路的组件比例而言，有一定的规范与限制。
感测电路通常所采取的电流感测方式是，通过其与电流驱动电路的组件比例而得出电流理想比例，且，利用其所感测出的电压降来反应并得出流经电流
驱动电路的电 流o
然，于IC制程中若有变动情形产生，将使感测电路中的电阻绝对值发生
偏差，加上感测电路与电流驱动电路很难匹配良好，而致使感测电路感测出的
电压降将会有超过10%误差，并影响到电流驱动电路的工作电流感测；另，于IC制程中若有变动情形产生，将致使感测电路与电流驱动电路的组件比例、电流理想比例产生偏差，而影响到电流驱动电路的工作电流感测。
所以如何寻求一种电流传感器，该电流传感器能无须考虑与电流驱动电路是否匹配良好，无须考虑组件比例、电流理想比例，且在IC布局时可与电流驱动电路无须紧靠在一起、并为不同IC制程，而可量测出流经电流驱动电路的电流大�。谴饩龅奈侍狻�
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供 一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，该电流感测电路无须考虑与电流驱动电路的电路匹配。本新型的又一 目的在于提供一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，该电流感测电路无须考虑与电流驱动电路的组件比例、电流理想比例。
本新型的再一 目的在于提供一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电
流感测环境中，该电流感测电路在IC布局时，与电流驱动电路无须紧靠在一起、并为不同IC制程。
根据以上所述的目的，本新型提供一种电流感测电路，该电流感测电路包含半导体组件、电阻、以及电压源，在此，半导体组件和/或电阻和/或电压源为集成电路型式，端一见实际需求以及施行情形而定。
电压源，该电压源将控制电流感测电路的半导体组件的导通与否，并控制电流驱动电路的组件。
半导体组件，当该电压源使该半导体组件为导通时，通过电流感测电路的电阻端点的电压降、以及电流驱动电路的等效电阻，而可得出流经电流驱动电路的电流大小。
电阻，该电阻为绝对值够大的电阻，和/或，可为MOS或JFET组成的等效电阻，致使该半导体组件，例如，为NMOS，于导通时，该半导体组件的汲极/源极电压降仅为mV等级。
为使熟悉该项技艺人士了解本新型的目的、特征及功效，通过下述具体实施例，并配合所附的图式，对本新型详加iJL明如后
图1为一电路示意图，用以显示说明本新型的电流感测电路的结构、以及运作情形；
图2为一示意图，用以显示说明本新型的电流感测电路的一实施例的结构、以及运作情形；以及
图3为一示意图，用以显示说明本新型的电流感测电路的另一实施例的结构、以及运作情形。
主要元件符号说明
1电流感测电^各 2半导体组件 3电阻 4输出点5电济u马区动电路Rload负载端电阻Vds.on电压降
Vin电压
SW电压
51组件
Rds.on等效电阻Vctrl电压源Vo输出电压
具体实施方式
图l为一电路示意图，用以显示说明本新型的电流感测电路的结构、以及运作情形。如图1中所示，本新型的电流感测电路l包含半导体组件2、电阻3、以及电压源Vctrl，在此，该电流感测电路1介于电压Vin以及电压SW之间，其中，半导体组件2和/或电阻3为集成电路型式，端视实际需求以及施行情形而定。
电压源Vctrl，该电压源Vctrl将控制电流感测电路1的半导体组件2的导通与否，并控制电流驱动电路5的组件51。如图1中所示，电流驱动电路5具有等效电阻Rds.on(未图示出)，当电流通过时，于电流驱动电路5端点之间将产生出电压降Vds.on，而电压降Vds.on反应于Vin与电压SW之间。电流
感测电3各1的输出点4的输出电压Vo非常接近电压SW,可4昔以感测电流驱动电路5的电 流o
半导体组件2,该半导体组件2可为MOS组件或JFET组件或晶体管组件，电流驱动电路5的组件51可为MOS组件或JFET组件；该电压源Vctrl可使该半导体组件2和/或电流驱动电路5的组件51导通工作于线性区；半导体组件2与组件51无须匹配且可在不同的IC制程予以完成，例如，半导体组件2与组件51可位于不同的IC芯片。
电阻3,该电阻3为绝对值够大的电阻，致使该半导体组件2，例如，为MOS组件，于导通时，该半导体组件2的汲极/源极电压降Vds仅有几个mV,则电流感测电路1的输出点4的输出电压Vo与电压SW仅有几mV差距，可视为同电位，而负载端电阻Rload所流过的电流几乎等于电流II 。
电流Il通过电流驱动电路5并经等效电阻Rds.on产生电压降于SW端，而电压Vo近似于电压SW,且，电流驱动电路5的等效电阻Rds.on为已知值，因此，流经电流驱动电路5的电流Il为(Vin-Vo)/Rds.on,因此，可通过电流感测电路1的电阻3的二端点电压降(Vin-Vo)、以及电流驱动电路5的等效电阻Rds.on,而可得出流经电流驱动电路1的电流Il的大小。
图2为一示意图，用以显示说明本新型的电流感测电路的一实施例的结构、以及运作情形。如图2中所示，本新型的电流感测电路l包含半导体组件2、电阻3、以及电压源Vctrl,在此，该电流感测电路1介于电压Vin以及电压SW之间，而电压Vin与地之间的压降为12V，其中，半导体组件2为NMOS，而电阻3为40K。
电压源Vctrl，该电压源Vctrl将控制电流感测电路1的半导体组件2的导通与否，并控制电流驱动电路5。如图2中所示，电流驱动电路5具有等效电阻Rds.on(未图示出)，当电流通过时，于电流驱动电路5端点之间将产生出电压降Vds.on,而电压降Vds.on反应于Vin与电压SW之间。电流感测电路1的输出点4的输出电压VO非常接近电压SW,可藉以感测电流驱动电路5的电流。
半导体组件2为NMOS,电流驱动电路5的组件51也为NMOS;该电压源Vctrl可4吏该半导体组件2和/或电流驱动电路5的组件51导通工作于线性区；半导体组件2与组件51无须匹配且可在不同的IC制程予以完成，例如，半导体组件2与组件51可位于不同的IC芯片。
电阻3，该电阻3为40K,致使为NMOS的该半导体组件3于导通时，该半导体组件3的汲极/源极电压降Vds仅有几个mV，则电流感测电路1的输出点4的输出电压Vo与电压SW仅有几mV差距，可一见为同电位，而负载端电阻Rload所流过的电流几乎等于电流11 。
电流Il通过电流驱动电路5并经等效电阻Rds.on产生电压降于SW端，而电压Vo近似于电压SW，且，电流驱动电路5的等效电阻Rds.on为已知值，是故，流经电流驱动电路5的电流Il为(Vin-Vo)/Rds.on，因此，可通过电流感测电路1的40K电阻3的二端点电压降(Vin-Vo)、以及电流驱动电路5的等效电阻Rds.on，而可得出流经电流驱动电路1的电流II的大小。
图3为一示意图，用以显示说明本新型的电流感测电路的另一实施例的结构、以及运作情形。如图3中所示，本新型的电流感测电路l包含半导体组件2、电阻3、以及电压源Vctrl,在此，该电流感测电路1介于电压Vin以及电压SW之间，而电压Vin与地之间的压降为12V,其中，半导体组件2为PMOS，而电阻3为40K,且电压源Vctrl的正极与12V的正极连接。
电压源Vctrl,该电压源Vctrl将控制电流感测电路1的半导体组件2的导通与否，并控制电流驱动电路5。如图中3所示，电流驱动电路5具有等效电阻Rds.on(未图示出)，当电流通过时，于电流驱动电路5端点之间将产生出电压降Vds.on，而电压降Vds.on反应于Vin与电压SW之间。电流感测电路1的输出点4的输出电压Vo非常接近电压SW,可借以感测电流驱动电路5的电流。
半导体组件2为PMOS,电流驱动电路5的组件51也为PMOS;该电压源Vctrl可使该半导体组件2和/或电流驱动电路5的组件51导通工作于线性区；半导体组件2与组件51无须匹配且可在不同的IC制程予以完成，例如，半导体组件2与组件51可位于不同的IC芯片。
电阻3，该电阻3为40K，致使为PMOS的该半导体组件3于导通时，该半导体组件3的汲极/源极电压降Vds仅有几个mV，则电流感测电路1的输出点4的输出电压Vo与电压SW仅有几mV差距，可-见为同电位，而负载端电阻Rload所流过的电流几乎等于电流11 。
电流Il通过电流驱动电路5并经等效电阻Rds.on产生电压降于SW端，而电压Vo近似于电压SW，且，电流驱动电路5的等效电阻Rds.on为已知值，是故，流经电流驱动电路5的电流Il为(Vin-Vo)/Rds.on,因此，可通过电流感测电路1的40K电阻3的二端点电压降(Vin-Vo)、以及电流驱动电路5的等效电阻Rds.on,而可得出流经电流驱动电3各1的电流11的大小。
综合以上的实施例，可以得到本新型的一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，该电流感测电路无须考虑与电流驱动电路的电路匹配、组件比例、电流理想比例，且该电流感测电^各在IC布局时，与电流驱动电路无须紧靠在一起、并为不同IC制程，而可量测出流经电流驱动电路的电流大小。
以上所述仅为本新型的较佳实施例而已，并非用以限定本新型的范围；凡其它未脱离本新型所揭示的精神下所完成的等效改变或修饰，均应包含在专利范围内。
权利要求1.一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，其特征在于，该电流感测电路包含电阻，该电阻为绝对值为10K以上；半导体组件，与该电阻连接，当该半导体组件为导通时，通过该电阻的端点电压降、以及该电流驱动电路的等效电阻，而可得出流经该电流驱动电路的电流大�。灰约暗缪乖矗直鹩敫冒氲继遄榧透玫缌髑缏妨樱玫缪乖纯刂聘冒氲继遄榧牡纪ㄓ敕瘢⒖刂聘玫缌髑缏�。
2. 根据权利要求1所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件为 MOS组件。
3. 根据权利要求1所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件为 JFET组件。
4. 根据权利要求1所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件为 晶体管组件。
5. 根据权利要求1所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件与 该电阻为集成电路型式。
6. 根据权利要求1所述的该电流感测电路，其特征在于，该半导体组件 与该电流驱动电鴻"立于不同的IC芯片。
7. —种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，其特征 在于，该电流感测电路包含电阻，该电阻的绝对值为IOK以上；半导体组件，与该电阻连接，该半导体組件为NMOS,于导通时，该电 阻使该半导体组件的汲极/源极电压降为mV等级；通过该电阻的端点电压降、 以及该电流驱动电路的等效电阻，而可得出流经该电流驱动电路的电流大小； 以及电压源，分别与该半导体组件和该电流驱动电路连接，该电压源使该半导 体组件与该电流驱动电^^的NMOS组件导通工作于线性区。
8. 根据权利要求7所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件与 该电阻为集成电路型式。
9. 根据权利要求7所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件与 该电流驱动电路的该NMOS组件在不同的IC制程。
10. 根据权利要求9所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件与 该电流驱动电^各的该NMOS组件位于不同的IC芯片。
11. 一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，其特征 在于，该电流感测电路包含电阻，该电阻的绝对值为IOK以上；半导体组件，与该电阻连接，该半导体组件为PMOS,于导通时，该电阻 使该半导体组件的汲极/源极电压降为mV等级；通过该电阻的端点电压降、 以及该电流驱动电路的等效电阻，而可得出流经该电流驱动电路的电流大小； 以及电压源，分别与该半导体组件和该电流驱动电i 各连接，该电压源使该半导 体组件与该电流驱动电3各的PMOS组件导通工作于线性区。
12. 根据权利要求11所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件 与该电阻为集成电路型式。
13. 根据权利要求11所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件 与该电流驱动电路的该PMOS组件在不同的IC制程。
14. 根据权利要求13所述的电流感测电路，其特征在于，该半导体组件 与该电流驱动电if各的该PMOS组件位于不同的IC芯片。
专利摘要本实用新型提供一种电流感测电路，应用于电流驱动电路的电流感测环境中，该电流感测电路包含电阻，该电阻绝对值为10k以上；半导体组件，与该电阻连接，当该半导体组件为导通时，通过该电阻的端点电压降、以及该电流驱动电路的等效电阻，而得出流经该电流驱动电路的电流大小；以及电压源，分别与该半导体组件和该电流驱动电路连接，该电压源控制该半导体组件的导通与否，并控制该电流驱动电路。该电流感测电路无须考虑与电流驱动电路的电路匹配、组件比例、电流理想比例，且该电流感测电路在IC布局时，与电流驱动电路无须紧靠在一起、并可为不同的IC制程，而可量测出流经电流驱动电路的电流大小。
文档编号G01R19/00GK201434885SQ20092015533
公开日2010年3月31日 申请日期2009年5月20日 优先权日2009年5月20日
发明者金施杰 申请人:类比新艺科技股份有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
