专利名称：一种cmos开关电流温度传感器电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及传感器领域，尤其涉及一种可以广泛应用于温度保护�？楹凸ひ倒ひ湛刂葡低车腃MOS开关电流温度传感器电路。
背景技术：
在工农业生产和科学研究过程中，温度是需要测量和控制的一个重要参数，因此， 在各种传感器中，温度传感器是应用最广泛的一种，而其中CMOS温度传感器与传统类型温 度传感器相比，具有灵敏度高、线性好、体积小、功耗低、易于集成等优点，因此在温度传感 器应用领域具有突出地位。但是,普通 CMOS 温度传感器由于 PTAT (Proportional To AbsoluteTemperature, 与温度成正比例变化的)电压的精度的限制，主要有两个缺陷一是双极晶体管对的失配； 二是由MOS晶体管组成的电流源电路的失配。因此，由于这两个缺陷会造成双极晶体管对 的基极和发射极间电压之差的相对误差大大增加，从而造成温度传感器对温度的检测不精确。
实用新型内容为了克服上述现有技术存在的不足，本实用新型旨在提供一种CMOS开关电流温 度传感器电路，以实现能够同时输出一与温度无关的电压和一与温度相关的电压、提高温 度传感器检测精度的目的。本实用新型所述的一种CMOS开关电流温度传感器电路，它包括电压产生电路、运 算放大器、输入电容、反馈电容、电阻分压器、控制电路和若干MOS开关，所述电压产生电路与一外部电源连接，输出第一极间电压和第二极间电压；所述运算放大器的反相输入端通过所述输入电容与电压产生电路连接，接收所述 的第一极间电压，其同相输入端接收所述的第二极间电压，其输出端分两路分别输出一基 准电压和一正温度系数电压；所述反馈电容的一端与所述运算放大器的反相输入端连接，其另一端与所述电阻 分压器连接；所述电阻分压器的一端与所述运算放大器输出端输出正温度系数电压的一路连 接，其另一端接地；所述控制电路分别与所述电压产生电路和若干MOS开关连接，一方面设置所述第 一极间电压和第二极间电压的大�。硪环矫婵刂扑鯩OS开关的开闭；所述若干MOS开关包括第一 MOS开关至第七MOS开关，所述第一 MOS开关串联在 所述电压产生电路和输入电容之间，第二 MOS开关的一端与所述电压产生电路连接，其另 一端连接在所述输入电容和第一 MOS开关之间，第三MOS开关串联在所述反馈电容和电阻 分压器之间，第四MOS开关串联在所述运算放大器的输出端和电阻分压器之间，第五MOS开 关串联在所述运算放大器输出端输出基准电压的一路上，第六MOS开关的一端连接在所述反馈电容和第三MOS开关之间，其另一端接地，第七MOS开关的一端与所述运算放大器的同 相输入端连接，另一端连接在所述第六MOS开关与反馈电容之间。在上述的CMOS开关电流温度传感器电路中，电压产生电路包括第一电流源、第二 电流源、第一双极晶体管和第二双极晶体管，所述第一电流源和第二电流源的输入端同时 与所述的外部电源连接，所述第一电流源的输出端与第一双极晶体管的发射极连接，所述 第二电流源的输出端与第二双极晶体管的发射极连接，所述第一双极晶体管的基极、集电 极以及第二双极晶体管的基极、集电极同时接地。在上述的CMOS开关电流温度传感器电路中，所述运算放大器的反相输入端依次 通过所述输入电容和第一 MOS开关与第一双极晶体管的发射极连接，其同相输入端与所述 第二双极晶体管的发射极连接。在上述的CMOS开关电流温度传感器电路中，所述的电阻分压器包括串联连接的 第一电阻和第二电阻，且所述第三MOS开关连接到所述第一电阻和第二电阻之间。 由于采用了上述的技术解决方案，本实用新型利用DEM(Dynamic ElementMatching)技术，即动态单元匹配技术，能为一个较小的电压差AVbe产生一个精 确的放大系数，即把AVbe信号在自调零开关电容电路中放大，并产生一个精确的与温度 无关的基准电压和与温度成正比例变化的正温度系数电压，从而有效提高温度传感器的温 度检测精度。
图1是用于产生PTAT电压的DEM偏置电路的框图；图2是本实用新型的CMOS开关电流温度传感器电路的框图；图3是本实用新型的CMOS开关电流温度传感器电路中控制电路的原理图；图4是本实用新型中第一 MOS开关Sl至第七MOS开关S7的工作时序图；图5是本实用新型CMOS开关电流温度传感器电路在T2节拍时的等效电路图；图6是本实用新型CMOS开关电流温度传感器电路在T3节拍时的等效电路图；图7是本实用新型CMOS开关电流温度传感器电路在T5节拍时的等效电路图；图8是本实用新型CMOS开关电流温度传感器电路在T6节拍时的等效电路图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型进行详细介绍。如图2、图3所示，本实用新型的一种CMOS开关电流温度传感器电路，包括电压产 生电路1、运算放大器A0、输入电容Cl、反馈电容C2、电阻分压器2、控制电路3和若干MOS 开关，其中，若干MOS开关包括第一 MOS开关Sl至第七MOS开关S7。电压产生电路1包括第一电流源il、第二电流源i2、第一双极晶体管Ql和第二双 极晶体管Q2，第一电流源il和第二电流源i2的输入端同时与外部电源VDD连接，第一电流 源il的输出端与第一双极晶体管Ql的发射极连接，第二电流源i2的输出端与第二双极晶 体管Q2的发射极连接，第一双极晶体管Ql的基极、集电极以及第二双极晶体管Q2的基极、 集电极同时接地，电压产生电路1最终输出第一双极晶体管Ql的基极和发射极间的第一极 间电压Vbel以及第二双极晶体管Q2的基极和发射极间的第二极间电压Vbe2。[0027]运算放大器AO的反相输入端通过输入电容Cl和第一 MOS开关Sl与第一双极晶 体管Ql的发射极连接，接收第一极间电压Vbel，其同相输入端与第二双极晶体管Q2的发射 极连接，接收第二极间电压Vbe2，其输出端分两路分别输出一基准电压Vref和一正温度系 数电压Vptat。反馈电容C2的一端与运算放大器AO的反相输入端连接，其另一端与电阻分压器 2连接。电阻分压器2包括串联连接的第一电阻Rl和第二电阻R2，第一电阻Rl的另一端 与运算放大器AO输出端输出正温度系数电压Vptat的一路连接，第二电阻R2的另一端接 地。控制电路3分别与电压产生电路1以及第一 MOS开关Sl至第七MOS开关S7连接， 一方面设置第一极间电压Vbel和第二极间电压Vbe2的大�。硪环矫婵刂频谝� MOS开关 Sl至第七MOS开关S7的开闭。第一 MOS开关Sl串联在电压产生电路1和输入电容Cl之间，第二 MOS开关S2的 一端与电压产生电路1连接，其另一端连接在输入电容Cl和第一 MOS开关Sl之间，第三 MOS开关S3的一端与反馈电容C2连接，其另一端连接到第一电阻Rl和第二电阻R2之间， 第四MOS开关串联在运算放大器AO的输出端和电阻分压器2之间，第五MOS开关S5串联 在运算放大器AO输出端输出基准电压Vref的一路上，第六MOS开关S6的一端连接在反馈 电容C2和第三MOS开关S3之间，其另一端接地，第七MOS开关S7的一端与运算放大器AO 的同相输入端连接，另一端连接在第六MOS开关与反馈电容C2之间。上述电路主要是基于DEM技术，该技术原理可如图1所示，图中包括一对开关控 制电流流向晶体管Q1’、Q2’ ；在前一个节拍，控制电流源I的电流流向晶体管Q2’的发射 极，电流源M的电流流向晶体管Q1’的发射极，此时，晶体管Q2’的发射极和基极间的电 压和晶体管Q1’的发射极和基极间的电压之差AVBE = VBE2(I)-VBE1(NI)；在后一节拍， 电流源NI的电流流向晶体管Q2’的发射极，电流源I的电流流向晶体管Q1’的发射极，晶 体管Q2’的发射极和基极间的电压和晶体管Q1’的发射极和基极间的电压之差AVBE = VBE2 (Ni)-VBEl (I)0通过动态地相互交换晶体管Ql’、Q2’的位置，使晶体管Ql’、Q2’的残 余失配大大减�。喽晕蟛钜泊蟠蠹跣。吹缪怪瞀� VBE较�。忠蛭狿TAT电压主要由 电流密度比和放大系数决定，即 VPTAT = Α* Δ VBE = A*kT/q* ((Ic2/Icl) * (Isl/Is2))，其 中，A为放大系数，k为比例系数，T为绝对温度，q为电子的电量，Icl为晶体管Q1’的集电 极电流，Ic2为晶体管Q2’的集电极电流，Isl为晶体管Q1’的饱和电流，Is2为晶体管Q2’ 的饱和电流，因此通过DEM技术，最终可以产生一个与温度成正比例变化的电压，以提高温 度传感器的温度检测精度。请参阅图4至图8，基于上述原理，本实用新型的具体工作过程如下在第一节拍Tl时，控制电路3控制第一 MOS开关Sl闭合、第二 MOS开关S2、第三 MOS开关S3、第四MOS开关S4、第五MOS开关S5、第六MOS开关S6和第七MOS开关S7打开， 此时，基准电压Vref和正温度系数电压Vptat尚未建立，无输出电压。在第二节拍T2时，控制电路3控制第一 MOS开关Sl和第七MOS开关S7闭合、第二 MOS开关S2、第三MOS开关S3、第四MOS开关S4、第五MOS开关S5和第六MOS开关S6 打开，使此时的CMOS开关电流温度传感器电路的等效电路如图5所示，同时，控制电路3设置第一电流源il的大小为N*I、第二电流源i2的大小为I，N为正数；此时，第一极间电压 Vbel的值为Vbel (N*I)，第二极间电压Vbe2的值为Vbe2 (I)，第二极间电压Vbe2应用于运 算放大器AO的同相输入端，此时运算放大器AO接成电压跟随器形式，输入电容Cl上的电 压值为Vbe2 (I) -Vbel (N*I) +Vos，其中，电压Vos是运算放大器AO的输入失调电压。在第三节拍T3时，控制电路3控制第一 MOS开关Sl、第三MOS开关S3和第五MOS 开关S5闭合、第二 MOS开关S2、第四MOS开关S4、第六MOS开关S6和第七MOS开关S7打 开，使此时的CMOS开关电流温度传感器电路的等效电路如图6所示，同时，控制电路3设 置第一电流源il的大小为步骤二中第二电流源i2的大小I、第二电流源i2的大小为步 骤二中第一电流源il的大小N*I ；此时，第一极间电压Vbel的值为Vbel (I)，第二极间电 压Vbe2的值为Vbe2(N*I)；输出电容Cl上的电荷转移到反馈电容C2上，转移的电荷量是 2* (Vbe2 (N*I) -Vbel⑴)，而失调电压Vos依旧在输出电容Cl上，转移的电荷量让反馈电容 C2上的电压增加了 2* (Vbe2 (N*I) -Vbel (I)) * (C1/C2)；在运算放大器AO反相输入端的电压 是Vbe2 (N*I)+Vos。在第三节拍结束后，电路输出的基准电压Vref与失调电压Vos无关， 因为失调电压Vos在第二节拍已经被反馈电容C2采样过，可以被减去。因而最终的输出的 基准电压 Vref = Vbe2 (N*I) +Vos+2* (Vbe2 (N*I) -Vbel (I)) * (C1/C2)，该表达式中包含一个 PTAT 项(Vbe2(N*I)-Vbel(I))禾口一个 CTAT (Complementary To Absolute Temperature，与 绝对温度成反比)项Vbe2(N*I)，因此，通过选择合适的N和C1/C2的大小可以使基准电压 Vref与温度无关。在第四节拍T4时，控制电路3控制第一 MOS开关Sl闭合、第二 MOS开关S2、第三 MOS开关S3、第四MOS开关S4、第五MOS开关S5、第六MOS开关S6和第七MOS开关S7打开， 此时，基准电压Vref的值保持前一个节拍的值，正温度系数电压Vptat尚未建立。在第五节拍T5时，控制电路3控制第一 MOS开关Sl和第六MOS开关S6闭合、第 二 MOS开关S2、第五MOS开关S5和第七MOS开关S7打开、第三MOS开关S3和第四MOS 开关S4在第六节拍T6开始前闭合，使此时的CMOS开关电流温度传感器电路的等效电路 如图7所示，同时，控制电路3设置第一电流源il的大小为步骤三中第一电流源il的大 小I、第二电流源i2的大小为步骤三中第二电流源i2的大小N*I ；此时，第一极间电压 Vbel的值为￥1^1(1)，第二极间电压￥1^2的值为Vbe2 (N*I)，输出电容Cl上的电压值为 Vbe2(N*I)-Vbel(I)，反馈电容C2 上的电压值为 Vbe2 (N*I)+Vos。在第六节拍T6时，控制电路3控制第二 MOS开关S2闭合、第一 MOS开关Si、第五 MOS开关S5、第六MOS开关S6和第七MOS开关S7打开、第三MOS开关S3和第四MOS开关 S4在闭合时间满一个节拍后打开，使此时的CMOS开关电流温度传感器电路的等效电路如 图8所示，同时，控制电路3设置第一电流源il的大小为步骤五中第一电流源il的大小I、 第二电流源i2的大小为步骤五中第二电流源i2的大小N*I ；此时，第一极间电压Vbel的 值为Vbel (I)，第二极间电压Vbe2的值为Vbe2 (N*I)，第一极间电压Vbel与第二极间电压 Vbe2的电压差AVbe = Vbe2(N*I)_Vbel(I)，与该电压差Δ Vbe成正比的电荷从输出电容 Cl转移到反馈电容C2上，运算放大器AO反相输入端的电压保持为Vbe2(N*I)+Vos，而由于 反馈电容C2在第五节拍T5里已经采样过失调电压Vos，因此，该失调电压Vos在整个电路 输出时被减去，即传感器电路最终输出的正温度系数电压Vptat = 2*k*(Cl/C2)*AVbe，其 中，k为比例系数(k可以通过改变电阻分压器2里的第一电阻Rl的大小或改变电容比Cl/C2的值的大小来调节；最好选择改变第一电阻Rl的大�。蛭庋梢允沟缛荼菴1/C2专 门用来提供与温度无关的基准电压Vref)，上述表达式中的电压差AVbe使得正温度系数 电压Vptat成为一个与温度成正比例变化的电压。因此，本实用新型的传感器电路可以通过采用上述的DEM技术，能为一个较小的 电压差AVbe产生一个精确的放大系数，即把AVbe信号在自调零开关电容电路中放大， 并产生一个精确的与温度无关的基准电压Vref和与温度成正比例变化的正温度系数电压 Vptat,从而有效提高温度传感器的温度检测精度。以上结合附图实施例对本实用新型进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根 据上述说明对本实用新型做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本实用 新型的限定，本实用新型将以所附权利要求书界定的范围作为本实用新型 的保护范围。
权利要求一种CMOS开关电流温度传感器电路，其特征在于，所述的电路包括电压产生电路、运算放大器、输入电容、反馈电容、电阻分压器、控制电路和若干MOS开关，所述电压产生电路与一外部电源连接，输出第一极间电压和第二极间电压；所述运算放大器的反相输入端通过所述输入电容与电压产生电路连接，接收所述的第一极间电压，其同相输入端接收所述的第二极间电压，其输出端分两路分别输出一基准电压和一正温度系数电压；所述反馈电容的一端与所述运算放大器的反相输入端连接，其另一端与所述电阻分压器连接；所述电阻分压器的一端与所述运算放大器输出端输出正温度系数电压的一路连接，其另一端接地；所述控制电路分别与所述电压产生电路和若干MOS开关连接，一方面设置所述第一极间电压和第二极间电压的大�。硪环矫婵刂扑鯩OS开关的开闭；所述若干MOS开关包括第一MOS开关至第七MOS开关，所述第一MOS开关串联在所述电压产生电路和输入电容之间，第二MOS开关的一端与所述电压产生电路连接，其另一端连接在所述输入电容和第一MOS开关之间，第三MOS开关串联在所述反馈电容和电阻分压器之间，第四MOS开关串联在所述运算放大器的输出端和电阻分压器之间，第五MOS开关串联在所述运算放大器输出端输出基准电压的一路上，第六MOS开关的一端连接在所述反馈电容和第三MOS开关之间，其另一端接地，第七MOS开关的一端与所述运算放大器的同相输入端连接，另一端连接在所述第六MOS开关与反馈电容之间。
2.根据权利要求1所述的CMOS开关电流温度传感器电路，其特征在于，电压产生电路 包括第一电流源、第二电流源、第一双极晶体管和第二双极晶体管，所述第一电流源和第二 电流源的输入端同时与所述的外部电源连接，所述第一电流源的输出端与第一双极晶体管 的发射极连接，所述第二电流源的输出端与第二双极晶体管的发射极连接，所述第一双极 晶体管的基极、集电极以及第二双极晶体管的基极、集电极同时接地。
3.根据权利要求2所述的CMOS开关电流温度传感器电路，其特征在于，所述运算放大 器的反相输入端依次通过所述输入电容和第一 MOS开关与第一双极晶体管的发射极连接， 其同相输入端与所述第二双极晶体管的发射极连接。
4.根据权利要求1所述的CMOS开关电流温度传感器电路，其特征在于，所述的电阻分 压器包括串联连接的第一电阻和第二电阻，且所述第三MOS开关连接到所述第一电阻和第 二电阻之间。
专利摘要本实用新型涉及一种CMOS开关电流温度传感器电路，它包括电压产生电路、运算放大器、输入电容、反馈电容、电阻分压器、控制电路和若干MOS开关，所述电压产生电路与一外部电源连接，输出第一极间电压和第二极间电压；所述运算放大器的反相输入端通过所述输入电容与电压产生电路连接，接收所述的第一极间电压，其同相输入端接收所述的第二极间电压，其输出端分两路分别输出一基准电压和一正温度系数电压。本实用新型利用动态单元匹配技术，能为一个较小的电压差ΔVbe产生一个精确的放大系数，并产生一个精确的与温度无关的基准电压和与温度成正比例变化的正温度系数电压，从而有效提高温度传感器的温度检测精度。
文档编号G01K7/00GK201589668SQ20092027368
公开日2010年9月22日 申请日期2009年11月24日 优先权日2009年11月24日
发明者师帅 申请人:上海贝岭股份有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
