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    电容的测量电路结构的制作方法

    时间:2025-06-28    作者: 管理员

    专利名称:电容的测量电路结构的制作方法
    技术领域:
    本实用新型涉及电子测量领域,特别涉及电子电路元件测量技术领域,具体是指一种电 容的测量电^4吉构。
    背景技术:
    在现有技术中,对于电容器的应用是非常广泛的,而且随着应用范围的日益扩大,人们 对电容器的容量要求也越来越高,常见的电容器种类很多,其中电容量比较大的属于电解电容。
    对于电解电容,人们在使用的时候常常需要知道其电容值,但是由于常规的万用表测量 电容的量程是比较有限的,最大为200iaF,而当电&20(HiF时则无法测量,这主要是因为超 出量程了。所以对于大容量的电解电容器就难以精确了解其电容大小,给人们的工作和生活 带来很大的不便。

    实用新型内容
    本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点,提供一种能够巧妙实现大电容的电 容值精确测量、结构简单实用、测量过程方便快捷、工作性能稳定可靠、适用范围较为广泛 的电容的测量电路结构。
    为了实现上述的目的,本实用新型的具有如下构成
    该电容的测量电路结构,包括测量回路和接入该测量回路中的电容测量仪器,其特征在 于,所述的测量电路结构中还包括至少一个辅助电容元件,所述的辅助电容元件与待测大电 容共同串联接入该测量回路中。
    该电容的测量电路结构中的辅助电容元件为电容器。
    该电容的测量电路结构中的电容测量仪器为万用表。
    采用了该实用新型的电容的测量电路结构,能够利用简单的工具来实现大电容超量程的 精确测量,而且结构简单实用,测量过程方便快捷,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。

    图1为本实用新型的电容的测量电路结构的示意图。
    具体实施方式
    为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容,特举以下实施例详细说明。
    请参阅图1所示,该电容的测量电路结构,包括测量回路和接入该测量回路中的电容测 量仪器,其特征在于,所述的测量电路结构中还包括至少一个辅助电容元件,所述的辅助电 容元件与待测大电容C2共同串联接入该测量回路中。
    其中,所述的辅助电容元件为电容器Cl,而且是能够预先精确知道其电容值的,且该电 容值处于电容测量仪器能够测量的量程内,同时,所述的电容测量仪器为万用表。
    在实际实用当中,根据电容串联公式
    1/C = 1/C1 + 1/C2
    得到
    C2= (ClxC) 〃Cl - C)
    假设
    (1 ) 一只相对精确的电容为Cl,如10pF; (2)串I关待测电容C2,如2200^F;
    则串联后实测值为C,再根据上述公式就可以很容易计算出C2的值,从而就可利用现有 的万用表测出大于量程的电解电容C2的电容值。因此只要精确测量出电容C1和C的值,即 可计算出C2值,从而对电子电路的维修有很大帮助。
    采用了上述的电容的测量电路结构,能够利用简单的工具来实现大电容超量程的精确测 量,而且结构简单实用,测量过程方便快捷,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。
    在此说明书中,本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以作出 各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是说明性 的而非限制性的。
    权利要求1、一种电容的测量电路结构,包括测量回路和接入该测量回路中的电容测量仪器,其特征在于,所述的测量电路结构中还包括至少一个辅助电容元件,所述的辅助电容元件与待测电容共同串联接入该测量回路中。
    2、 ,根据权利要求1所述的电容的测量电路结构,其特征在于,所述的辅助电容元件为电容器。
    3、 根据权利要求1或2所述的电容的测量电路结构,其特征在于,所述的电容测量仪器 为万用表。
    专利摘要本实用新型涉及一种电容的测量电路结构,包括测量回路和接入该测量回路中的电容测量仪器,其中测量电路结构中还包括至少一个辅助电容元件,辅助电容元件与待测大电容共同串联接入该测量回路中。采用该种结构的电容的测量电路结构,能够利用简单的工具来实现大电容超量程的精确测量,而且结构简单实用,测量过程方便快捷,工作性能稳定可靠,适用范围较为广泛。
    文档编号G01R27/26GK201387452SQ200920068209
    公开日2010年1月20日 申请日期2009年2月27日 优先权日2009年2月27日
    发明者顾春荣 申请人:上海宝康电子控制工程有限公司

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