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扩散硅表压隔爆型压力传感器的制作方法

时间:2025-07-02    作者: 管理员

专利名称:扩散硅表压隔爆型压力传感器的制作方法
技术领域:
本实用新型涉及一种压力传感器,特别是一种扩散硅表压隔爆型压力传感器。
背景技术:
扩散硅压力传感器是利用单晶硅的压阻效应即材料的电阻率随外加压力变化而 改变的原理制成的。扩散硅压力传感器具有精度高、工作可靠、频率响应高、迟滞小、只寸 小、重量轻、结构简单等优点,可以在恶劣的条件下工作,便于实现数字化。它不仅用来测量 压力,稍加改变就可以用来测量差压、高度、速度、加速度等数据。扩散硅表压压力传感器由于参考压力是当地大气压,因而在传感器的背面有一个 小孔。小孔直通传感器内部的扩散硅压力芯片,造成该类传感器在爆炸性危险场合具有较 大的局限性,只能做成本质安全性的防爆产品,造成使用成本过高,安装麻烦等缺点。而简 单易行具有低成本、精度高、稳定性好等优点的隔爆类的扩散硅表压隔爆传感器一直是一 个困扰行业的难题。因此,开发这种新型压力传感器具有非常重要的现实意义。

实用新型内容本实用新型提供一种扩散硅表压隔爆型压力传感器,采用粉末冶金的技术,在传 感器的背面人为造成一个灭弧腔,即符合隔爆产品的要求,又满足传感器将当地大气压作 为参考压力的要求。本实用新型具体采用如下技术方案一种扩散硅表压隔爆型压力传感器,包括壳体,壳体内焊接有硅压力传感器,壳体 一端具有通孔,另一端露出硅压力传感器管脚,其特征是,壳体内的中孔中塞有粉末冶金和 灌封胶,粉末冶金和传感器之间设置0型圈。所述壳体的材质是lCrl8Ni9Ti。所述粉末冶金是还原性铁粉。壳体所述管脚一端中也填充有灌封胶。所述灌封胶是WCC-87胶。与现有技术相比,本实用新型的有益效果在于本实用新型采用粉末冶金,在传感器上形成一个灭弧腔,即符合隔爆产品的要求, 又满足传感器将当地大气压作为参考压力的要求。

图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式

以下结合附图详细阐述本实用新型。如图1所示,一种扩散硅表压隔爆型压力传感器,包括壳体1,壳体1后端具有部件 (5、6),其中部件5上焊接有硅压力传感器2,壳体1另一端具有通孔10,另一端露出硅压力传感器2管脚7,部件5和传感器2之间的中孔(缝隙)中充填有粉末冶金4,粉末冶金4 和传感器2之间设置O型圈3。 本实用新型中,是先将粉末冶金4涂上灌封胶后,先充填如部件5的中孔中,然后再安装上传感器2,然后采用氩弧焊将传感器和部件5焊接起来。
权利要求一种扩散硅表压隔爆型压力传感器,包括壳体,壳体内焊接有硅压力传感器,壳体一端具有通孔,另一端露出硅压力传感器管脚,其特征是,壳体内的中孔中塞有粉末冶金和灌封胶,粉末冶金和传感器之间设置O型圈。
2.根据权利要求1所述的扩散硅表压隔爆型压力传感器,其特征是,所述壳体的材质 是 lCrl8Ni9Ti。
3.根据权利要求1所述的扩散硅表压隔爆型压力传感器,其特征是,所述粉末冶金是 还原性铁粉。
专利摘要本实用新型涉及一种压力传感器,特别是一种扩散硅表压隔爆型压力传感器,包括壳体,壳体内焊接有硅压力传感器,壳体一端具有通孔,另一端露出硅压力传感器管脚,其特征是,壳体内的中孔中塞有粉末冶金和灌封胶,粉末冶金和传感器之间设置O型圈。本实用新型采用粉末冶金,在传感器上形成一个灭弧腔,即符合隔爆产品的要求,又满足传感器将当地大气压作为参考压力的要求。
文档编号G01L1/18GK201594023SQ20102030054
公开日2010年9月29日 申请日期2010年1月13日 优先权日2010年1月13日
发明者傅师杰, 曹庆伟 申请人:山东佰测仪表有限公司

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