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专利名称：一种移出检测电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种检测电路，尤其是涉及一种检测设备或�？槭欠穹⑸掷氲囊瞥黾觳獾缏�。
背景技术：
在金融产品领域有些安全设备或�？橥欠欠üセ鞯亩韵�。不法分子会将这些安全设备或模块拆走或更换成自己的非法设备，或者是拆走后读出设备里面的保密信息之后又装回去，这都会对用户或者金融机构带来极大的风险。中华人民共和国国家知识产权局于2010年11月17日公开了授权公告号为CN201638305U的专利文献，名称是一种用于自助银行和自动柜员机的智能监控装置。它包括一个核心DSP处理芯片，通过两个A/D接入两路视频，再外接一个D/A，用以将视频输出到监视器或者DVR上，四路传感器输入接口，用来外接各种传感器；三路继电器输出接口，用来外接报警器和门锁控制器；以太网接口，用来和报警中心通讯；RS232接口，用来和外部通讯。此装置可以记录破坏自动柜员机的行为，但是如果有人将摄像机掩盖然后进行破坏则无法记录，难以提供充分的保护，并且结构复杂、成本大。

发明内容
本发明主要是解决现有技术所存在的设备保护监控装置结构复杂、成本大、对有针对性的行为难以防范的技术问题，提供一种结构简单、可以记录设备或者�？楸灰贫囊瞥黾觳獾缏�。本发明针对上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的一种移出检测电路，包括电源、MOS管Q7、M0S管Q8、M0S管Q9、电容C68及若干个电阻，MOS管Q8的漏极为节点A，MOS管Q9的栅极为节点B ；MOS管Q8的栅极连接设置端口，源极接地，漏极连接输出端口 ；电阻R40—端接电源正极，另一端连接设置端口 ；电容C68和电阻R42并联以后串联在电源正极和节点A之间；MOS管Q7的漏极连接电源正极，栅极通过电阻R42连接节点A，源极通过电阻R43连接节点B ；MOS管Q9的漏极连接节点A，源极接地；电阻R45 —段连接节点B，另一端接地。移出检测电路设置在需要监控的设备或者�？樯希涑龆丝谟牍潭ḿ觳馍璞傅氖淙攵丝诹�。固定检测设备可以通过输入端口输入的信号判断被监控设备或者�？槭欠裼斜灰瞥龉�。平时设置端口与固定检测设备的“地”信号连接，此时输出端口为高电平。当设备或者模块被移出后，设置端口悬空，输出端口变为低电平，并且保持不变，及时设备再次被安装回原位并且设置端口再次与固定检测设备的“地”信号连接，输出端口也一直保持低电平。固定检测设备检测到输入端口电平变为低电平以后可以使设备停止工作或者报警，防止设备或者模块被修改以后再安装回原位带来的安全隐患。作为优�。诘鉇通过PNP型三极管Q13连接输出端口，三极管Q13的基极和集电极都与节点A连接，发射极与输出端口连接。三极管Q13用于阻断电流，减小电路的消耗。作为优�。痉⒚鞯囊瞥黾觳獾缏坊拱ㄖ刂玫缏罚鲋刂玫缏钒∕OS管Q11、电阻R48、电阻R49和电容C69 ；电阻R48 —端连接重置端口，另一端连接MOS管Qll的栅极；MOS管Qll漏极连接节点B，源极接地；电容C69 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地；电阻R49 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地。平时重置电路的重置端口输入为低电平，当输出端口变为低电平以后，可以通过在重置端口接入高电平使电路重置，输出端口变为高电平。并且重置端口隐藏在设备或者�？槟诓磕岩员唤哟サ剑乐贡徊环ǚ肿永谩Ｗ魑叛。鯩OS管Q8、MOS管Q9和MOS管Qll为增强型匪OS管；所述MOS管Q7为增强型PMOS管。作为优�。龅缭次绯�。锂电池也安装在被监控的设备或者�？槟冢沟靡瞥黾觳獾缏芳词乖诿挥型饧拥缭吹那榭鱿乱部梢猿て诠ぷ�。本发明带来的实质性效果是，可以监控设备或者�？槭欠癖灰瞥鲈恢貌⒃谝瞥龊蟊Ａ粢瞥鲎刺梢苑乐鼓？楸恍薷囊院蠓呕卦换辜绦ぷ鳎坏缏分挥肕OS管和电阻、电容搭建，形之有效，稳定性高，解决了目前该功能要用处理器、集成电路并用软件控制等较复杂的方法才能实现的现状，减少的电路成本；电路占用面�。梢苑奖愕募傻礁丛拥南低持腥ィτ眉虮悖坏凸模梢栽谖尥獠抗┑绲那榭鱿鲁て诠ぷ�。


图1是本发明的一种电路原理图中SET为设置端口，OUT为输出端口，CLEAR为重置端口。
具体实施例方式下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。实施例本实施例的一种移出检测电路，如图1所示，包括电源、MOS管Q7、MOS管Q8、MOS管Q9、电容C68及若干个电阻，MOS管Q8的漏极为节点A，MOS管Q9的栅极为节点B ；MOS管Q8的栅极连接设置端口，源极接地；电阻R40 —端接电源正极，另一端连接设置端口 ；电容C68和电阻R42并联以后串联在电源正极和节点A之间；MOS管Q7的漏极连接电源正极，栅极通过电阻R42连接节点A，源极通过电阻R43连接节点B ；MOS管Q9的漏极连接节点A，源极接地；电阻R45 —段连接节点B，另一端接地。节点A通过PNP型三极管Q13连接输出端口，三极管Q13的基极和集电极都与节点A连接，发射极与输出端口连接。本实施例还包括重置电路，重置电路包括MOS管Ql 1、电阻R48、电阻R49和电容C69 ；电阻R48 —端连接重置端口，另一端连接MOS管Ql 1的栅极；MOS管Ql 1漏极连接节点B，源极接地；电容C69 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地；电阻R49 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地。MOS管Q8、MOS管Q9和MOS管Qll为增强型NMOS管；MOS管Q7为增强型PMOS管。电源为锂电池。移出检测电路设置在需要监控的设备或者模块上，输出端口与固定检测设备的输入端口连接。固定检测设备可以通过输入端口输入的信号判断被监控设备或者�？槭欠裼斜灰瞥龉Ｆ绞盨ET输入“0”，CLEAR输入“0”，使得Q8、Qll截止。节点A变为“1”，Q7截止，节点B变为“0”，Q9截止。节点A固定为“1”，这样OUT输出为“1”。当设备或者�？橐瞥鍪保琒ET输入为“1”，Q8导通使得节点A为“0”，这样Q7和Q9都导通。节点A固定为“0”，OUT输出为“0”。此时，当SET从“1”回到“0”使得Q8截止。但是由于上一步使得Q7和Q9还是处于导通阶段，因此，形成反馈将节点A的电平锁定在“0”，OUT输出还是为“0”。如果要想清除OUT输出的“0”状态，要将SET输入“0”，同时CLEAR输入“1”。这样Qll导通，使得节点B为“0”，Q9截止。这样平衡被破坏使得节点A返回“1”，0UT输出也变成“1”。清除后再将CLEAR设回“0”。固定检测设备检测到输入端口电平变为低电平以后可以使设备停止工作或者报警，防止设备或者�？楸恍薷囊院笤侔沧盎卦淮吹陌踩�。本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。尽管本文较多地使用了 MOS管、重置端口等术语，但并不排除使用其它术语的可能性。使用这些术语仅仅是为了更方便地描述和解释本发明的本质；把它们解释成任何一种附加的限制都是与本发明精神相违背的。
权利要求
1.一种移出检测电路，其特征在于，包括电源、MOS管Q7、M0S管Q8、M0S管Q9、电容C68及若干个电阻，MOS管Q8的漏极为节点A，M0S管Q9的栅极为节点B ；MOS管Q8的栅极连接设置端口，源极接地，漏极连接输出端；电阻R40—端接电源正极，另一端连接设置端口 ；电容C68和电阻R42并联以后串联在电源正极和节点A之间；MOS管Q7的漏极连接电源正极，栅极通过电阻R42连接节点A，源极通过电阻R43连接节点B ;M0S管Q9的漏极连接节点A，源极接地；电阻R45 —段连接节点B，另一端接地。
2.根据权利要求1所述的一种移出检测电路，其特征在于，节点A通过PNP型三极管Q13连接输出端口，三极管Q13的基极和集电极都与节点A连接，发射极与输出端口连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种移出检测电路，其特征在于，还包括重置电路，所述重置电路包括MOS管Q11、电阻R48、电阻R49和电容C69 ；电阻R48 —端连接重置端口，另一端连接MOS管Qll的栅极；MOS管Qll漏极连接节点B，源极接地；电容C69 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地；电阻R49 —端连接MOS管Qll的栅极，另一端接地。
4.根据权利要求3所述的一种移出检测电路，其特征在于，所述MOS管Q8、M0S管Q9和MOS管Qll为增强型NMOS管；所述MOS管Q7为增强型PMOS管。
5.根据权利要求4所述的一种移出检测电路，其特征在于，所述电源为锂电池。
全文摘要
本发明公开了一种移出检测电路，旨在提供一种结构简单、成本低的移出检测电路。它包括电源和移出状态存储电路。移出状态存储电路具有设置端口、输出端口和重置端口。平时输出端口输出高电平，当移出检测电路离开原位置时输出端口输出低电平，并且即使设备被装回原位也无法使输出端口变为高电平。移出检测电路设置在需要监控的设备或者�？樯希涑龆丝谟牍潭ḿ觳馍璞傅氖淙攵丝诹�。固定检测设备可以通过输入端口输入的信号判断被监控设备或者模块是否有被移出过。本发明适用于所有需要监控的设备或者�？�。
文档编号G01D21/00GK102589608SQ201110455559
公开日2012年7月18日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者刘俐训, 应雪峰 申请人:东方通信股份有限公司, 杭州东信金融技术服务有限公司