专利名称：矿用瞬变电磁仪的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及矿用地质探测仪器领域，尤其涉及一种矿用瞬变电磁仪。
背景技术：
瞬变电磁法也称时间域电磁法(Time domain electromagneticmethods)，简称 TEM，它是利用不接地回线或接地线源向地下发射一次脉冲磁�。谝淮温龀宕懦〖湫诩洌孟呷鄄舛挝辛鞒〉姆椒āＦ浠竟ぷ鞣椒ㄊ怯诘孛婊蚩罩猩柚猛ㄒ砸欢úㄐ蔚缌鞯姆⑸湎呷Γ佣谄渲芪Э占洳淮蔚绱懦。⒃诘叵碌嫉缪铱筇逯胁杏Φ缌鞫系绾螅杏Φ缌饔捎谌人鸷亩媸奔渌ゼ酢Ｋゼ豕桃话惴治纭⒅泻屯砥�。早期的电磁场相当于频率域中的高频成分，衰减快，趋肤深度�。欢砥诔煞衷蛳嗟庇谄德视蛑械牡推党煞郑ゼ趼鞣羯疃却�。通过测量断电后各个时间段的二次场随时间变化规律，可得到不同深度的地电特征。中国实用新型专利申请号为“200920181682.5”，名称为“新型矿用瞬变电磁仪”的专利申请文件中公开了一种新型矿用瞬变电磁仪，包括不共地的两组直流电源、MCU、 内存、USB接口、液晶显示电路、光耦、发射电路、接收电路、发射线圈和接收线圈，所述接收电路、内存、液晶显示电路、光耦、USB接口分别与MCU相连接，其中一组直流电源为MCU供电，另一组电源为发射电路供电，光耦用于隔离发射电路和接收电路，发射电路和接收电路分别与发射线圈与接收线圈相连接，所述发射电路采用低电压限流电路，其发射电压限制在9. 6V以内，发射电流控制在1. 5A以内。但是，该方案直接采用MCU进行发射和接受信号的控制与处理，采集速率不高，且对采集的随机干扰信号的没有进行有效处理，在干扰严重时，偏于正常值。
实用新型内容本实用新型主要解决的技术问题是提供一种利用与微处理器(MCU)总线通信的复杂可编程逻辑器件(CPLD)进行实时信号发射与采集，提高采集速率的矿用瞬变电磁仪。为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是提供一种矿用瞬变电磁仪，包括微处理器、内部控制总线、复杂可编程逻辑器件、实时发射�？�、实时采集�？楹拖允灸？椋鑫⒋砥魍ü诓靠刂谱芟哂敫丛涌杀喑搪呒骷缌樱鍪凳狈⑸淠？�、实时采集�？榉直鹩敫丛涌杀喑搪呒骷缌樱鱿允灸？橛胛⒋砥髁樱凰鍪凳狈⑸淠？榘ǚ⑸淇刂频ピ头⑸湎呷Γ⑸淇刂频ピ氖淙攵肆痈丛涌杀喑搪呒骷⑸淇刂频ピ氖涑龆肆臃⑸湎呷Γ凰鍪凳辈杉？榘ú杉刂频ピ筒杉呷Γ杉刂频ピ氖淙攵肆痈丛涌杀喑搪呒骷杉刂频ピ氖涑龆肆硬杉呷Γ凰鍪凳狈⑸淠？榧涓糁芷诜⑸淞街值绱挪ǎ恢治挡傻绱挪ǎ硪恢治詹傻绱挪ǎ鍪凳辈杉？槭凳苯邮占涓糁芷诜⑸涞牧街值绱挪ㄐ藕挪⑼ü丛涌杀喑搪呒骷腿胛⒋砥髦写恚⒋砥鞫越邮盏降牧街值绱挪ㄐ藕沤胁钤怂悖贸鲈怂憬�
^ ο 3[0006]其中，所述发射控制单元包括左半桥导通控制芯片、右半桥导通控制芯片、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管，第一场效应管和第二场效应管构成左半桥结构，第三场效应管和第四场效应管构成右半桥结构；左半桥导通控制芯片包括第一控制输出端、第二控制输出端、第一使能端和第一控制输入端，第一控制输入端和第一使能控制端分别连接到复杂可编程逻辑器件，第一控制输出端连接第一场效应管的栅极，第二控制输出端连接第二场效应管的栅极，第一场效应管的源极连接高电平，第二场效应管的漏极接地，第一场效应管的漏极与第二场效应管的源极连接的公共端点连接发射线圈的一端；右半桥导通控制芯片包括第三控制输出端、第四控制输出端、第二使能端和第二控制输入端，第二控制输入端和第二使能控制端分别连接到复杂可编程逻辑器件，第三控制输出端连接第三场效应管的栅极，第四控制输出端连接第四场效应管的栅极，第三场效应管的源极连接高电平，第四场效应管的漏极接地，第三场效应管的漏极与第四场效应管的源极连接的公共端点连接发射线圈的另一端。其中，所述电磁仪还包括用于人机交互的触摸屏，所述触摸屏与所述微处理器电连接。其中，所述电磁仪还包括USB通信接口，所述USB通信接口与所述微处理器电连接。其中，所述电磁仪还包括用于移动供电的可充电电池组。为解决上述技术问题，本实用新型采用的另一个技术方案是提供一种瞬变电磁信号处理方法，包括以下步骤a.实时发射�？榧涓糁芷诜⑸淞街掷嘈偷牡绱挪ǎ恢治挡傻绱挪ǎ硪恢治詹傻绱挪ǎ籦.实时采集�？槭凳苯邮占涓糁芷诜⑸涞牧街值绱挪ㄐ藕牛⑺腿敫丛涌杀喑搪呒骷籧.复杂可编程逻辑器件通过内部控制总线送入微处理器中处理，微处理器对接收到的两种电磁波信号进行差运算，得出运算结果。其中，在步骤a中，所述的实采电磁波的一个周期内的波形为方波信号，所述的空采电磁波的一个周期内的波形为静默信号。其中，在所述的步骤c之后还包括将微处理器进行差运算得到的运算结果通过 USB送入现场分析软件得到地质分析图形的步骤。其中，所述的复杂可编程逻辑器件采用MAX1270高速数字响应处理芯片。其中，所述的微处理器采用高端ARM2440高速运算处理芯片。本实用新型的有益效果是区别于现有技术的矿用瞬变电磁仪采集速率不高且对采集的随机干扰信号的没有进行有效处理，在干扰严重时，偏于正常值的缺陷，本实用新型的微处理器(MCU)与复杂可编程逻辑器件(CPLD)通过总线通信，在发射电磁波时，间隔周期发射实采和空采两种类型的电磁波，并实时采集这两种类型的电磁波送入微处理器进行差运算，在高速采集与高速运算处理的情况下，无缝得到滤除干扰后的采集数据。
图1是本实用新型矿用瞬变电磁仪实施例的结构方框图；[0020]图2是本实用新型矿用瞬变电磁仪实施例的实时发射�？榈缏吠迹煌�3是本实用新型矿用瞬变电磁仪实施例的实时采集时间示意图；图4是本实用新型瞬变电磁信号处理方法步骤流程图；图5是本实用新型瞬变电磁信号处理方法发射波形采集时序图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1，本实用新型实施例的矿用瞬变电磁仪，包括微处理器10、内部控制总线11、复杂可编程逻辑器件12、实时发射�？�13、实时采集�？�14和显示�？�15，所述微处理器10通过内部控制总线11与复杂可编程逻辑器件12电连接，所述实时发射�？�13、 实时采集�？�14分别与复杂可编程逻辑器件12电连接，所述显示�？�15与微处理器10 连接；所述实时发射�？�13包括发射控制单元和发射线圈，发射控制单元的输入端连接复杂可编程逻辑器件12，发射控制单元的输出端连接发射线圈；所述实时采集�？�14包括采集控制单元和采集线圈，采集控制单元的输入端连接复杂可编程逻辑器件12，采集控制单元的输出端连接采集线圈；所述实时发射�？榧涓糁芷诜⑸淞街值绱挪ǎ恢治挡傻绱挪ǎ硪恢治詹傻绱挪ǎ鍪凳辈杉？�14实时接收间隔周期发射的两种电磁波信号并通过复杂可编程逻辑器12件送入微处理器10中处理，微处理器10对接收到的两种电磁波信号进行差运算，得出运算结果。实采电磁波为方波信号，空采电磁波为静默信号，实时采集�？椴杉玫降氖挡傻绱挪ㄐ藕牌涫凳前ㄓ锌捎眯藕藕突肪掣扇旁胍粜藕诺母春闲藕牛凳辈杉？椴杉玫降目詹傻绱挪ㄐ藕牌涫到鼋霭ɑ肪掣扇旁胍粜藕牛敲蠢梦⒋砥鞫越邮盏降牧街值绱挪ㄐ藕沤胁钤怂悖纯傻贸隹捎眯藕�。区别于现有技术的矿用瞬变电磁仪采集速率不高且对采集的随机干扰信号的没有进行有效处理，在干扰严重时，偏于正常值的缺陷，本实用新型的微处理器(MCU)与复杂可编程逻辑器件(CPLD)通过总线通信，在发射电磁波时，间隔周期发射实采和空采两种类型的电磁波，并实时采集这两种类型的电磁波送入微处理器进行差运算，在高速采集与高速运算处理的情况下，无缝得到滤除干扰后的采集数据。请参阅图2，所述发射控制单元包括左半桥导通控制芯片F1、右半桥导通控制芯片F2、第一场效应管Q1、第二场效应管Q2、第三场效应管Q3和第四场效应管Q4，第一场效应管Ql和第二场效应管Q2构成左半桥结构，第三场效应管Q3和第四场效应管Q4构成右半桥结构；左半桥导通控制芯片Fl包括第一控制输出端H0、第二控制输出端L0、第一使能端SD和第一控制输入端IN，第一控制输入端IN和第一使能控制端SD分别连接到复杂可编程逻辑器件12，第一控制输出端HO连接第一场效应管Ql的栅极，第二控制输出端LO连接第二场效应管Q2的栅极，第一场效应管Ql的源极连接高电平，第二场效应管Q2的漏极接地，第一场效应管Ql的漏极与第二场效应管Q2的源极连接的公共端点连接发射线圈WW2 的一端；右半桥导通控制芯片F2包括第三控制输出端H0、第四控制输出端L0、第二使能端 SD和第二控制输入端IN，第二控制输入端IN和第二使能控制端SD分别连接到复杂可编程逻辑器件12，第三控制输出端HO连接第三场效应管Q3的栅极，第四控制输出端LO连接第四场效应管Q4的栅极，第三场效应管Q3的源极连接高电平，第四场效应管Q4的漏极接地， 第三场效应管Q3的漏极与第四场效应管Q4的源极连接的公共端点连接发射线圈WW2的另一端。请参阅图2，VA连接芯片Fl的1脚，ctl信号来自于CPLD并连Fl的2脚，FB信号也来自于CPLD并连Fl的3脚，DG连接芯片Fl的4脚，二极管F12与电阻R12并联成一个二端支路，其一端连接芯片Fl的5脚，另一端连接Q2的栅极，芯片Fl的6脚接VLGND端， 二极管Fdl与电阻Rfl并联成一个二端支路，其一端连接芯片Fl的7脚，另一端连接Ql的栅极，芯片Fl的8脚连接VLP0WER端子，并通过电容Cu21接VLGND端子。请参阅图2，VA连接芯片F2的1脚，ct2信号来自于CPLD并连F2的2脚，FA信号也来自于CPLD并连F2的3脚，DG连接芯片Fl的4脚，二极管F13与电阻R13并联成一个二端支路，其一端连接芯片F2的5脚，另一端连接Q3的栅极，芯片F2的6脚接VRGND端， 二极管F22与电阻Rf2并联成一个二端支路，其一端连接芯片F2的7脚，另一端连接Q4的栅极，芯片F2的8脚连接VRP0WER端子，并通过电容Cu31接VRGND端子。请参阅图2，本实用新型的实现过程包括以下几个步骤(1)左桥上侧与右桥下侧导通(发射线圈正向得电)控制PWM发生芯片Fl，第三脚使能端(SD)为高电平，波形输出随输入第二脚IN输入，控制IN输入为高电平，Ql(Hiosfet)高电平，Q2 (mosfet)低电平，使左桥上侧导通。控制 PWM发生芯片F2，第三脚使能端(SD)为高电平，波形输出随输入第二脚IN输入，控制IN输入为低电平，Q3 (mosfet)低电平，Q4 (mosfet)高电平使右桥下侧导通。这样在一个发射频率四分之一周期内发射线圈正向得电。(2)左桥上侧与右桥下侧不导通(发射线圈正向间隙采集)发射线圈在发射频率四分之一周期内发射线圈正向得电完成后。控制PWM发生芯片Fl，第三脚使能端(SD)为低电平，使Ql (mosfet)低电平，Q2 (mosfet)低电平，使左桥上下侧都不导通。控制PWM发生芯片F2，第三脚使能端(SD)为低电平，使Q3 (mosfet)低电平， Q4(mosfet)低电平，使右桥上下侧都不导通。这样产生一个发射频率四分之一周期，发生线圈正向间隙，即接收线圈接收产生的二次磁场电信号。按图3方式进行AD采样，规定40 个中心时间，及中心时间两旁采集点，例如下面所示各个采集点采集中心时间T左侧T4、 T3，T2、Tl采集，中心时间T右侧Tl’、T2’、T3’、T4’采集，其累加后平均为中心时间T 一道正向间隙采集数据。(3)左桥下侧与右桥上侧导通(发射线圈反向得电)控制PWM发生芯片Fl，第三脚使能端(SD)为高电平，波形输出随输入第二脚IN输入，控制IN输入为低电平，Ql (mosfet)低电平，Q2 (mosfet)高电平，使左桥下侧导通。控制 PWM发生芯片F2，第三脚使能端(SD)为高电平，波形输出随输入第二脚IN输入，控制IN输入为高电平，Q3 (mosfet)高电平，Q4 (mosfet)低电平使右桥上侧导通。这样在一个发射频率四分之一周期内发射线圈反向得电。(4)左桥上侧与右桥下侧不导通(发射线圈反向间隙采集)发射线圈在发射频率四分之一周期内发射线圈正向得电完成后。控制PWM发生芯片Fl，第三脚使能端(SD)为低电平，使Ql (mosfet)低电平，Q2 (mosfet)低电平，使左桥上下侧都不导通。控制PWM发生芯片F2，第三脚使能端(SD)为低电平，使Q3 (mosfet)低电平，Q4(moSfet)低电平，使右桥上下侧都不导通。这样产生一个发射频率四分之一周期，发生线圈正向间隙，即接收线圈接收产生的二次磁场电信号。请参阅图4，按(2)步骤同样归定的采集方法点进行采集，中心时间T左侧T4、T3，T2、Tl采集，中心时间T右侧Tl，、T2，、 T3’、T4’采集，其累加后平均为中心时间T 一道反向采集间隙数据。请参见图1，在一实施例中，所述电磁仪还包括用于人机交互的触摸屏16，所述触摸屏16与所述微处理器10电连接。请参见图1，在一实施例中，所述电磁仪还包括USB通信接口 17，所述USB通信接口 17与所述微处理器10电连接。在一实施例中，所述电磁仪还包括用于移动供电的可充电电池组18。请参阅图3，本实用新型实施例的瞬变电磁信号处理方法，包括以下步骤a.实时发射模块间隔周期发射两种类型的电磁波，一种为实采电磁波，另一种为空采电磁波；b.实时采集�？槭凳苯邮占涓糁芷诜⑸涞牧街值绱挪ㄐ藕牛⑺腿敫丛涌杀喑搪呒骷籧.复杂可编程逻辑器件通过内部控制总线送入微处理器中处理，微处理器对接收到的两种电磁波信号进行差运算，得出运算结果。请参阅图5，在一实施例中，在步骤a中，所述的实采电磁波的一个周期内的波形为方波信号，所述的空采电磁波的一个周期内的波形为静默信号。在一实施例中，在所述的步骤c之后还包括将微处理器进行差运算得到的运算结果通过USB送入现场分析软件得到地质分析图形的步骤。在一实施例中，所述的复杂可编程逻辑器件采用MAX1270高速数字响应处理芯片。MAX1270CPLD进行实时采集，MAX1270是高速数字响应处理芯片，其速度可达到5ns响应相应数字信号，在高频采集系统中，对应单片机及其它处理器，其硬件架构不一样，其实现无缝采集系统。在一实施例中，所述的微处理器采用高端AR1C440高速运算处理芯片。使用高端 ARM处理器，其型号为arm2440，高速运算处理能力，其弥补MAX1270CPLD，高速运算占资源， 软件架构不容易处理等劣势。整个软硬件架构，其实现达到无缝处理，其实现了高速、实时采集，高速运算目地。采集与处理500ns采集信号，对比以前Ius采集信号，有了很大进步。请参阅图5，本实用新型采用在原取样积分器的积分窗口多点采样，然后取平均输出的方法。早期中心窗口间隔较�。杉德式细撸缓笾行拇翱诩涓糁鸾�
η
增大，采样间隔变梳。在窗口区里多次采样，根据公式f/ = +^7 Vi为同一个窗口
Z=I
中的各采样数据，η为各采样点，依据VI求出窗口的标准离差，其为偏离平均值范围
1 η1J Σ (Vi-Vi、2],每7 ±)Jι=1
每一个窗口的各个采样值按上述公式剔除偏离
α =
平均值，去除随机干拢，剩下的值累加，除以其剩下的数目，其为这一个窗口的值。这样提高了抗干拢能力。按照叠加次数多次采集同一测点数据，然后根据公式f/ = + ^7 Vi为在一
Z=I
个窗口中最终值采样数据(其为道数采样值)，η为采样叠加次数，依据VI求出各道的标准
离差，其为偏离平均值范围α
权利要求1.一种矿用瞬变电磁仪，其特征在于包括微处理器、内部控制总线、复杂可编程逻辑器件、实时发射模块、实时采集�？楹拖允灸？椋鑫⒋砥魍ü诓靠刂谱芟哂敫丛涌杀喑搪呒骷缌樱鍪凳狈⑸淠？�、实时采集�？榉直鹩敫丛涌杀喑搪呒骷缌樱鱿允灸？橛胛⒋砥髁樱凰鍪凳狈⑸淠？榘ǚ⑸淇刂频ピ头⑸湎呷Γ⑸淇刂频ピ氖淙攵肆痈丛涌杀喑搪呒骷⑸淇刂频ピ氖涑龆肆臃⑸湎呷Γ凰鍪凳辈杉？榘ú杉刂频ピ筒杉呷Γ杉刂频ピ氖淙攵肆痈丛涌杀喑搪呒骷杉刂频ピ氖涑龆肆硬杉呷�。
2.根据权利要求1所述的矿用瞬变电磁仪，其特征在于所述发射控制单元包括左半桥导通控制芯片、右半桥导通控制芯片、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管，第一场效应管和第二场效应管构成左半桥结构，第三场效应管和第四场效应管构成右半桥结构；左半桥导通控制芯片包括第一控制输出端、第二控制输出端、第一使能端和第一控制输入端，第一控制输入端和第一使能控制端分别连接到复杂可编程逻辑器件，第一控制输出端连接第一场效应管的栅极，第二控制输出端连接第二场效应管的栅极，第一场效应管的源极连接高电平，第二场效应管的漏极接地，第一场效应管的漏极与第二场效应管的源极连接的公共端点连接发射线圈的一端；右半桥导通控制芯片包括第三控制输出端、第四控制输出端、第二使能端和第二控制输入端，第二控制输入端和第二使能控制端分别连接到复杂可编程逻辑器件，第三控制输出端连接第三场效应管的栅极，第四控制输出端连接第四场效应管的栅极，第三场效应管的源极连接高电平，第四场效应管的漏极接地，第三场效应管的漏极与第四场效应管的源极连接的公共端点连接发射线圈的另一端。
3.根据权利要求2所述的矿用瞬变电磁仪，其特征在于所述电磁仪还包括用于人机交互的触摸屏，所述触摸屏与所述微处理器电连接。
4.根据权利要求3所述的矿用瞬变电磁仪，其特征在于所述电磁仪还包括用于导出所述微处理器进行差运算得到的运算结果的USB通信接口，所述USB通信接口与所述微处理器电连接。
5.根据权利要求4所述的矿用瞬变电磁仪，其特征在于所述电磁仪还包括用于移动供电的可充电电池组。
6.根据权利要求5所述的矿用瞬变电磁仪，其特征在于，所述复杂可编程逻辑器件采用MAX1270高速数字响应处理芯片。
7.根据权利要求5所述的矿用瞬变电磁仪，其特征在于，所述微处理器采用高端 ARM2440高速运算处理芯片。
专利摘要本实用新型公开了一种矿用瞬变电磁仪，所述电磁仪包括微处理器、内部控制总线、复杂可编程逻辑器件、实时发射�？�、实时采集�？楹拖允灸？椋鑫⒋砥魍ü诓靠刂谱芟哂敫丛涌杀喑搪呒骷缌樱鍪凳狈⑸淠？�、实时采集�？榉直鹩敫丛涌杀喑搪呒骷缌樱鱿允灸？橛胛⒋砥髁�。本实用新型的32位高端嵌入式微处理器(MCU)与复杂可编程逻辑器件(CPLD)通过总线通信，在发射电磁波时，间隔周期发射实采和空采两种类型的电磁波，并实时采集这两种类型的电磁波送入微处理器进行差运算，在高速采集与高速运算处理的情况下，无缝得到滤除干扰后的采集数据。
文档编号G01V3/10GK202003036SQ201120061919
公开日2011年10月5日 申请日期2011年3月10日 优先权日2011年3月10日
发明者朱平生 申请人:福州勘达源电子科技有限公司
专业数控铣床产品供应商
20年生产经验，实力工厂，精工品质，质量有保障
