专利名称：闪烁器、闪烁器的制造方法以及放射线检测器的制作方法
技术领域：
本发明涉及闪烁器、闪烁器的制造方法以及放射线检测器。
背景技术：
放射线检测器例如被运用于PET (Positron Emission Tomography)装置。被运用
于PET装置的放射线检测器检测在已投入了正电子放出同位素(RI线源)的被检测体内 的伴随着电子·正电子对的湮没(araiihilation)而产生并彼此逆方向飞行的一对伽马线。 PET装置是根据利用多个放射线检测器的同时计数法来检测一对伽马线，并且存储该同 时计数信息来制作直方图。然后，PET装置根据该直方图对表示在测定空间中的一对伽 马线产生频率的空间分布的图像进行再构成。该PET装置在核医学领域等当中起到了一 个非常重要的角色，使用该装置例如就能够对生物体机能和脑的高级机能进行研究。作为在如此的PET装置等当中被优选使用的放射线检测器是一种具备闪烁器以 及光检测器的装置。闪烁器吸收所入射的伽马线而产生闪烁光。光检测器被安装于闪烁 器表面并能够检测出闪烁光。通过这样的结构，能够对在闪烁器中的伽马线入射位置以 及伽马线量进行确定。在专利文献1中公开有具备闪烁器以及光检测器的放射线检测器。该文献所记 载的闪烁器在其内部具有限制闪烁光行进方向的光导体区域。作为这样的光导体区域的 例子可以列举实质上折射率不同的介质之间的界面、反射膜、气泡、缺陷、结晶晶界那 样的结晶缺陷。另外，在专利文献2中公开有运用由于飞秒(femtosecond)脉冲激光而引起的多 光子吸收，在硅基板、二氧化硅玻璃以及蓝宝石等的加工对象物内部形成折射率与周围 不同的非晶态构造的改质区域的技术。专利文献1 日本专利发表2007-532864号公报专利文献2 日本专利申请公开2005-293735号公报
发明内容
发明所要解决的课题一直以来，在PET等当中所使用的放射线检测器的闪烁器是由将多个闪烁器 排列成二维或者三维的闪烁器阵列来实现的。对于在这样的闪烁器中提高位置分解能 (position resolution)来说有必要将每一个闪烁器单元制得尽可能的�。昀瓷了钙鞯ピ� 的间隔不断被要求成为不到几个毫米的亚毫米(submillimeter)程度。但是，将闪烁器制 得越小闪烁器阵列的组装就会变得越困难，并且还会导致制造周期的长期化和制造成本 增大。另外，因为有必要机械性地加工各个闪烁器单元，所以在闪烁器单元的小型化方 面出现了极限。因此，不但放射线检测器的位置分解能而且PET的解像度的提高受到了 抑制。此外，在专利文献1所记载的技术中，光导体区域相对于放射线会变成无感应区域，且闪烁器的放射线检测灵敏度降低。另外，专利文献2所记载的技术是一种生产 光记忆元件的方法，与放射线检测器有所不同。本发明是有鉴于上述问题而完成的悉心研究，其目的为提供一种能够容易制造 而且能够实现高的位置分解能的闪烁器、闪烁器的制造方法以及放射线检测器。解决课题的手段为了解决上述课题，本发明的闪烁器的制造方法是一种制造被运用于放射线检 测器的闪烁器的制造方法，该放射线检测器具备闪烁器以及与该闪烁器的表面光学结合 的多个光检测器或者位置检测型光检测器；包括形成多个改质区域的工序，通过将激光 照射至成为闪烁器的结晶块的内部从而在结晶块的内部形成具有与周围不同的折射率且 三维散布的多个改质区域。另外，本发明的闪烁器是通过将激光照射到成为闪烁器的结 晶块的内部而形成的，并包含在结晶块的内部形成具有与周围不同的折射率且三维散布 的多个改质区域。另外，本发明的放射线检测器具备包含多个改质区域的闪烁器以及与闪烁器 的表面光学结合的多个光检测器或者位置检测型光检测器，多个改质区域通过将激光照 射至成为闪烁器的结晶块的内部而形成，在闪烁器的内部具有与周围不同的折射率且以 三维进行散布。由上述的制造方法进行制造的闪烁器以及放射线检测器中，通过具有与周围不 同的折射率且三维散布的多个改质区域来控制在闪烁器内的闪烁器光的行进方向，能够 合适地将闪烁光分配给多个光检测器的各个或者位置检测型光检测器。而且，通过照射 激光形成这样的多个改质区域，能够将例如如直径数微米(Pm)的极其细微的改质区域 高密度地形成于闪烁器内部的任意位置。因此，根据上述闪烁器的制造方法以及放射线 检测器，与以二维或者三维排列多个闪烁器单元的以往的方法相比较，能够实现高的位 置分解能。另外，根据上述闪烁器的制造方法以及放射线检测器，因为通过将激光照射至 成为闪烁器的结晶块来形成多个改质区域，所以在形成多个改质区域的时候没有必要进行 机械加工，与排列多个闪烁器单元的以往的方法相比闪烁器的制造将变得格外的容易。另外，闪烁器的制造方法中可将各个改质区域配置为闪烁器中的闪烁光以对 应于其产生位置的分配比率被分配给多个光检测器的各个或者位置检测型光检测器。同 样，放射线检测器中，多个改质区域也可被配置为采用闪烁器中的闪烁光以对应于其产 生位置的分配比率被分配给多个光检测器的各个或者位置检测型光检测器。由此，能够 容易地计算出入射到闪烁器的放射线入射位置。另外，闪烁器的制造方法以及放射线检测器也可为多个改质区域为对光进行 散射的区域以及构成衍射型透镜的区域当中的至少一者。由此，就能够合适地实现由激 光照射而形成的、具有与周围不同的折射率的多个改质区域。发明效果根据本发明的闪烁器、闪烁器的制造方法以及放射线检测器，能够以容易的方 法进行制造并且能够实现高的位置分解能。
图1是表示本发明的一个实施方式所涉及的放射线检测器外观的立体图。
图2是表示闪烁器内部结构的截面图。图3是用于说明制造包含多个改质区域的闪烁器的一个工序的图。图4是表示变形例所涉及的放射线检测器外观的立体图。图5是表示变形例所涉及的放射线检测器结构的图。图6是作为图5的另外的变形例来表示放射线检测器结构的侧边截面图。图7是表示变形例所涉及的放射线检测器结构的图。图8是作为图7的另外的变形例来表示放射线检测器结构的侧边截面图。图9是表示其它的实施方式所涉及的放射线检测器外观的立体图。符号说明IA IF…放射线检测器2A 2F···闪烁器3…光检测器3A…位置检测型光检测器21…改质区域22…结晶块100…光源部102…聚光光学系统Lf···飞秒(femtosecond)脉冲激光SC…闪烁光实施方式以下一边参照附图一边详细说明本发明的闪烁器制造方法以及放射线检测器的 实施方式。此外，在附图的说明过程中对相同的要素标以相同的符号，从而省略重复说 明。首先，关于具备由本发明所涉及的闪烁器制造方法进行制造的闪烁器的放射线 检测器的一个实施方式进行说明。图1是表示本实施方式所涉及的放射线检测器IA外观 的立体图。本实施方式的放射线检测器IA具备闪烁器2A和多个光检测器3。闪烁器2A可以具有例如多面体状或者球状等的各种各样的外观，本实施方式的 闪烁器2A具有大致长方体状的外观，并具有一对正方形的板面20a、20b以及与该板面 20a、20b相垂直的4个长方形的侧面20c、20d、20e、20f。闪烁器2A吸收伽马线等的 放射线并产生对应其射线量的强度的闪烁光。这样的闪烁器2A优选是由例如Ce被掺杂 的 Gd2SiO5(GSO)、Lu2SiO5(LSO)以及 Bi4Ge3O12 (BGO)等的结晶而构成的。多个光检测器3由例如光电子倍增管和雪崩光电二极管(avalanchephotodiode)或 者MPPC (Multi-Pixel Photon Counter)等的光传感器构成。此外，MPPC是由多个盖革模 式(Geiger mode) APD (雪崩光电二极管)的像素构成的光子计数装置。各个光检测器3 是通过以其光检测面与闪烁器2A的表面相对的方式被安装于闪烁器2A上，从而与闪烁 器2A光学结合。在本实施方式中，放射线检测器IA具备4个光检测器3，该4个光检 测器3全部被配置于闪烁器2A的一个方向的板面20b上。更具体而言，4个光检测器3 分别被配置于将板面20b分割成4个正方形区域的各个区域上。在闪烁器2A中所产生的 闪烁光对应于其产生位置被分配到各个光检测器3，根据从各个光检测器3的输出比对闪烁光SC的产生位置进行确定。此外，也可以取代4个光检测器3而安装使用单一的位置 检测型光检测器3A(参照图9)。位置检测型光检测器是输出对应于受光面上光入射位置 的电信号的元件。图2是表示本实施方式中的闪烁器2A内部结构的截面图。图2(a)表示了闪烁器 2A的平面截面。图2(b)表示了闪烁器2A的侧边截面。如图2(a)以及图2(b)所示， 在闪烁器2A的内部形成有多个改质区域21。多个改质区域21在闪烁器2A中具有与周 围不同的折射率，例如可以由对光进行散射的区域以及构成衍射型透镜的区域中的至少 一个区域来构成。各个改质区域21例如是直径数微米(μ m)程度的极其微小的点状区域。各个改 质区域21在闪烁器2A的内部以三维进行散布，并随机性地或者有规则地进行分布。作 为各个改质区域21的优选的配置例如可以以在闪烁器2A上产生的闪烁光SC以对应于其 产生位置的分配比率而被分配到各个光检测器3 (或者位置检测型光检测器3A的受光面) 的方式来配置各个改质区域21。此外，所谓以对应于产生位置的分配比率来分配是意味 着例如由闪烁光SC的产生而入射到各个光检测器3的光的强度为该产生位置离光检测器 3越近则越强，另外，该光强度成为从板面20a—侧看到的闪烁光SC的产生位置与各个 光检测器3的距离的函数。在此，就关于在闪烁器2A上的改质区域21的配置图形(密度分布)的决定方法 进行说明。在决定改质区域21的配置图形时，即使是在闪烁器2A内任意位置上产生闪 烁光SC的情况，优选为以使解像能力(resolving power)最大(即，分解能成为最小)的 分配比率，将闪烁光SC分配到各个光检测器3，所述解像能力为在对闪烁光SC的产生位 置进行确定时的解像能力。例如，在X方向的长度为L的棒状闪烁器中，2个光检测器a、b被结合于与X 轴相平行的面的两端的情况下，此时，一维的位置运算(X方向)中的各个光检测器a、b 的最适应答函数Fa以及Fb由下式给出。Fa (x) =Ksin2(ax)Fb (χ) = Kcos2 ( α χ)此外，在上式中K为常数，α为π/(2L)，L为闪烁器的宽度。另外，在将上式二维扩张成4个光检测器被连接的情况(即，如本实施方式那样 配置光检测器3的情况)下，各个光检测器a、b、c以及d的最适应答函数Fa、Fb、Fc 以及Fd由下式给出。Fa (X，y) = Ksin2 ( α χ) sin2 ( β y)Fb (χ, y) = Ksin2 ( α χ) cos2 ( β y)Fc (χ, y) = Kcos2 ( α χ) sin2 ( β y)Fd (χ, y) = Kcos2 ( α χ) cos2 ( β y)为了在闪烁器2Α的整体中获得高解像能力(分解能)，可以以实现如以上式那 样的光检测器的应答(光分配)的方式在闪烁器2A内形成改质区域21的密度分布图形。 此外，为了形成这样的密度分布图形，可以适用例如光扩散成像过程中所使用的光扩散 方程式由逐次近似法进行解方程的手法。图3是为了说明制造包含多个改质区域21的闪烁器2A的一个工序的图。如图3所示，各个改质区域21通过将飞秒脉冲激光Lf照射至成为闪烁器2A的结晶块22的内 部而形成。具体而言，使用输出脉冲激光的光源部100和被配置于该光源部100与结晶 块22之间的聚光光学系统102，并通过将脉冲激光的时间宽度调整成为飞秒级从而将脉 冲激光Lf照射到结晶块22。然后，由聚光光学系统102将飞秒脉冲激光Lf聚光至闪烁 器2A的表面或者内部，并通过使该聚光部分中的闪烁器材料改质(非晶态化)从而使在 闪烁器2A中具有与周围不同的折射率的区域，例如折射率比周围小的区域、对光进行散 射的区域以及构成衍射型透镜的区域当中的至少一个区域在闪烁器2A的内部产生，从而 形成各个改质区域21。此外，也可在光源部100与聚光光学系统102之间设置束径调整部，其调整从光 源部100输出的飞秒脉冲激光Lf的光束直径。此外，例如将加工前的结晶块22装载放 置于移动平台，通过该移动平台可沿着垂直于飞秒脉冲激光Lf光轴的任意方向或者光轴 方向平行移动结晶块22的话，则将各个改质区域21形成于规定位置的操作会变得更加容
易ο在本实施方式的闪烁器2A以及具备该闪烁器2A的放射线检测器IA中，在闪烁 器2A的内部所产生的闪烁光SC虽然从该产生位置向全部方向行进，但是由于具有与周 围不同的折射率且三维散布的改质区域21而使得闪烁光SC散射，由此其直行部分被抑制 并且闪烁光SC的扩散范围也被限制。这样，通过控制在闪烁器2A的内部所产生的闪烁 光SC到达各个光检测器3为止的行进方向(传播路径)，从而能够以任意的分配比率适 当地将闪烁光SC分别分配给多个光检测器3。另外，通过照射飞秒脉冲激光Lf来形成 这样的多个改质区域21，从而能够在闪烁器2A内部的任意位置高密度地形成例如直径数 微米的极其细微的改质区域21，而且不会在闪烁器2A的内部产生裂缝并能够只引起折射 率变化。因此，根据本实施方式的闪烁器2A和其制造方法以及该具备该闪烁器2A的放 射线检测器1A，与以二维或者以三维排列多个闪烁器单元的以往的方法相比，能够提高 闪烁光SC的发光位置即放射入射位置的检测解像能力(位置分解能)。另外，根据本实施方式的闪烁器2A的制造方法，因为通过将飞秒脉冲激光Lf照 射至成为闪烁器2A的结晶块22从而形成多个改质区域21，所以在形成多个改质区域21 时没有必要进行机械加工，与排列多个闪烁器单元的以往的方法相比，闪烁器2A的制造 变得格外容易。因此，制造成本的降低以及制造过程的缩短便成为可能。此外，由飞秒 脉冲激光Lf进行改质(非晶态化)的区域可由退火处理返回到加工前的状态。另外，例如前述的专利文献1所记载的光导体相对于放射线会变成无感应区 域，而本实施方式中的改质区域21因为是由飞秒脉冲激光Lf而被形成的所以是极其微小 (直径数微米的程度)的，而且因为闪烁光产生功能不会丧失所以根据本实施方式所涉及 的闪烁器2A的制造方法，能够实现完全没有无感应区域的闪烁器。另外，如本实施方式那样优选以在闪烁器2A上的闪烁光SC以对应于其产生位 置的分配比率被分配至多个光检测器3的各个(或者位置检测型光检测器3A)的方式配置 各个改质区域21。由此，例如像前述的最适应答函数Fa、Fb、Fc以及Fd那样，因为相 对于光检测器3的任意几何学配置能够作出最适当的光应答函数，所以能够容易地计算 出入射到闪烁器2A的放射线入射位置。另外，由此能够增加光检测器3的配置的自由度并且还能够减少光检测器3的个数。另外，如本实施方式那样多个改质区域21优选为对光进行散射的区域以及构成 衍射型透镜的区域中的至少一者。由此，就能够适当地实现由飞秒脉冲激光Lf的照射而 形成的具有与周围不同的折射率的多个改质区域21。此外，在本实施方式中，更优选为通过对改质区域21的密度分布实行最优化来 修正被检测出的发光位置的歪斜，而提高直线性。另外，更优选为通过对改质区域21 的密度分布实行最优化来调整入射到各个光检测器3的光分配，而使位置分解能成为最[第1变形例]图4是表示作为上述实施方式所涉及的放射线检测器变形例的放射线检测器IB 外观的立体图。本变形例所涉及的放射线检测器IB具备闪烁器2B和多个光检测器3。闪烁器2B具有大致正方体状的外观，并具有相对的一对面23a以及23b、与这 两个面23a以及23b相垂直的4个侧面23c、23d、23e、23f。闪烁器2B的构成材料与上 述实施方式的闪烁器2A相同，闪烁器2B吸收伽马线等的放射线并产生对应于其射线量 的强度的闪烁光。在闪烁器2B的内部形成有多个改质区域21 (参照图2)。多个光检测器3与上述实施方式相同，例如由光电子倍增管和雪崩光电二极管 或者MPPC等的光传感器构成。而且，各个光检测器3通过以其光检测面与闪烁器2B 的表面相对的方式被安装于闪烁器2B上，从而与闪烁器2B光学结合。但是，在本变形 例中放射线检测器IB具备8个光检测器3，其中4个光检测器3被配置于闪烁器2B的面 23a上，剩下的4个光检测器3被配置于闪烁器2B的面23b上。即，4个光检测器3被 分别配置于将面23a分割成4个正方形区域的各个区域上，其它4个光检测器3则分别被 配置于将面23b分割成4个正方形区域的各个区域上。在闪烁器2B中所产生的闪烁光对 应于其产生位置而被分配到各个光检测器3，并且根据从各个光检测器3的输出比来确定 闪烁光SC的产生位置。光检测器并不限定于前述的实施方式那样的只配置于闪烁器的一面的方式，也 可以如本变形例那样配置于闪烁器的多个面(也可以是所有的面)。即使是在这样的情况 下也能够获得与上述实施方式相同的各个光检测器3的最适应答函数，因而也就能够进 一步提高放射线入射位置的分解能。[第2变形例]图5是表示作为上述实施方式所涉及的放射线检测器变形例的放射线检测器IC 结构的图。图5(a)是表示放射线检测器IC所具备的闪烁器2C的平面截面。图5(b)是 表示沿着图5 (a)的V-V线的截面即放射线检测器IC的侧边截面。本变形例所涉及的放 射线检测器IC具备闪烁器2C和多个光检测器3。此外，有关多个光检测器3的结构以 及配置因为与前述的实施方式(图1)相同所以省略详细的说明。闪烁器2C的形状(外观)与前述的闪烁器2A相同，具有一对板面24a以及24b、 与这两个面24a以及24b相垂直的4个侧面24c、24d、24e、24f。另外，闪烁器2C的构 成材料与闪烁器2A相同。本变形例的闪烁器2C与上述实施方式的闪烁器2A的不同之处在于多个改质区 域21的配置。S卩，在本变形例的闪烁器2C中改质区域21除了一部分区域之外其余均以相等的密度进行分布。而且，在从配置光检测器3的面24b侧看到的闪烁器2C中心附近 的区域(特别是接近板面24b中心的区域)中，改质区域21的密度被降低。这样，通过 降低在闪烁器2C中心附近的改质区域21的密度，能够使在闪烁器2C的中心附近所产生 的闪烁光SC适当地入射到各个光检测器3。另外，图6是作为另外的变形例来表示放射线检测器ID结构的侧边截面图。该 放射线检测器ID具备拥有与前面所述的第1变形例所涉及的闪烁器2B相同的形状(外 观)的闪烁器2D、在闪烁器2D的相对的一对面25a、25b上分别配置的多个光检测器3。 在该放射线检测器ID中，除了闪烁器2D的一部分区域之外改质区域21是以相等的密度 进行分布，并在从配置光检测器3的面25a、25b侧看到的闪烁器2D中心附近的区域(特 别是接近面25a中心的区域以及接近面25b中心的区域)中，改质区域21的密度被降低。 改质区域21可以以这样的方式被配置，能够使在闪烁器2D中心附近所产生的闪烁光SC 适当地入射到各个光检测器3。[第3变形例]图7是表示作为上述实施方式所涉及的放射线检测器的其它变形例的放射线检 测器IE结构的图。图7(a)是表示具备放射线检测器IE的闪烁器2E的平面截面。图 7 (b)是表示沿着图7 (a)的VII-VII线的截面即放射线检测器IE的侧边截面。本变形例 所涉及的放射线检测器IE具备闪烁器2E和多个光检测器3。此外，有关多个光检测器 3的结构以及配置与前述的实施方式(图1)相同。闪烁器2E的形状(外观)与前述的闪烁器2A相同，具有一对板面26a以及26b、 与这两个面26a以及26b相垂直的4个侧面26c、26d、26e、26f。另外，闪烁器2E的构 成材料与闪烁器2A相同。本变形例的闪烁器2E与上述实施方式的闪烁器2A的不同之处在于多个改质区 域21的配置。S卩，在本变形例的闪烁器2E中，在从配置光检测器3的面26b侧看到的 闪烁器2E中心附近的区域和周边区域，改质区域21的密度不同，从闪烁器2E中心部越 接近于4个侧面26c、26d、26e以及26f，改质区域21的密度越被增大。通过以这样的 方式配置改质区域21，能够抑制在周边区域所产生的闪烁光SC向闪烁器2A的中心方向 扩散，并能够减少放射线入射位置(发光位置)的计算结果中的周边区域的歪斜。另外，图8是表示作为另外的变形例的放射线检测器IF结构的侧边截面图。该 放射线检测器IF具备闪烁器2F和多个光检测器3，所述闪烁器2F具有与前述的第1变 形例所涉及的闪烁器2B相同的形状(外观)、所述多个光检测器3分别配置于闪烁器2F 的相对的一对面27a、27b上。在该放射线检测器IF中，在从配置光检测器3的面27a、 27b侧看到的闪烁器2F中心附近的区域和周边区域中，改质区域21的密度也有所不同， 并且从闪烁器2F中心部越接近于侧面，改质区域21的密度越被增大。改质区域21可以 以这样的方式被配置，能够使在闪烁器2F中心附近所产生的闪烁光SC适当地入射到各 个光检测器3。本发明的闪烁器的制造方法以及放射线检测器并不限定于上述的实施方式，也 可为其它各种各样的变形。例如，在上述实施方式以及各个变形例中虽然例示了作为闪 烁器形状的正方体以及长方体，但是本发明中的闪烁器的形状并不限定于这些形状，也 可为例如除了这些形状之外的多面体和具有曲面的球体等形状。特别是在闪烁器为球状闪烁器的情况下，对于入射的放射线能够获得各向同性的灵敏度。另外，也可以取代飞 秒脉冲激光Lf而既可以使用连续波激光也可以使用皮秒(picosecond)脉冲激光等。
权利要求
1.一种闪烁器的制造方法，其特征在于所述闪烁器被用于放射线检测器，所述放射线检测器具备所述闪烁器以及与该闪烁 器的表面光学结合的多个光检测器或者位置检测型光检测器；所述闪烁器的制造方法包括形成多个改质区域的工序，通过将激光照射至成为所述 闪烁器的结晶块的内部，从而在所述结晶块的内部形成具有与周围不同的折射率且三维 散布的多个改质区域。
2.如权利要求1所述的闪烁器的制造方法，其特征在于将各个改质区域配置为，使得所述闪烁器中的闪烁光以对应于其产生位置的分配比 率被分配给所述多个光检测器的各个或者所述位置检测型光检测器。
3.如权利要求1或2所述的闪烁器的制造方法，其特征在于所述多个改质区域是对光进行散射的区域以及构成衍射型透镜的区域中的至少一者ο
4.一种放射线检测器，其特征在于 具备包含多个改质区域的闪烁器，和与所述闪烁器的表面光学结合的多个光检测器或者位置检测型光检测器， 所述多个改质区域通过将激光照射至成为所述闪烁器的结晶块的内部而形成，并且 在所述闪烁器的内部具有与周围不同的折射率，且所述多个改质区域以三维进行散布。
5.如权利要求4所述的放射线检测器，其特征在于所述多个改质区域的各个被配置为，所述闪烁器中的闪烁光以对应于其产生位置的 分配比率被分配给所述多个光检测器的各个或者所述位置检测型光检测器。
6.如权利要求4或5所述的放射线检测器，其特征在于所述多个改质区域是对光进行散射的区域以及构成衍射型透镜的区域中的至少一者ο
7.—种闪烁器，其特征在于包括多个改质区域，所述多个改质区域通过将激光照射至成为闪烁器的结晶块的内 部而形成，并在所述结晶块的内部具有与周围不同的折射率，且所述多个改质区域以三 维进行散布。
全文摘要
本发明的放射线检测器，其特征在于具备包含多个改质区域(21)的闪烁器(2A)以及与闪烁器(2A)的表面进行光学结合的多个光检测器或者位置检测型光检测器。多个改质区域(21)通过将激光照射至成为闪烁器(2A)的结晶块的内部而形成，在闪烁器(2A)的内部具有与周围不同的折射率且以三维进行散布。
文档编号G01T1/20GK102017010SQ20098011651
公开日2011年4月13日 申请日期2009年3月13日 优先权日2008年5月8日
发明者山下贵司, 挂川诚, 森谷隆广 申请人:浜松光子学株式会社
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