专利名称：一种空间电子的探测装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种空间电子的探测装置，具体涉及0. 1 IMeV电子的探测装置，属于空间带电粒子探测领域。
背景技术：
对空间低能电子进行探测的传统方法是磁偏转法、静电分析器法和飞行时间法等。磁偏转法中需要高压和永磁体，静电分析器法和飞行时间法中都需要高压形成强电场对电子进行加速，这三种探测方法，尽管能探测电子，但由于在探测器中需要引入磁体或高压电�。贾滦纬傻奶讲馄骶哂薪洗蟮奶寤椭柿浚苣崖阆衷诤教焯讲饣疃卸蕴讲馄餍⌒突�、低功耗的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种空间电子的探测装置，该装置能够对空间0. 1 IMeV 电子能谱进行探测，具有小型化、低功耗、高分辨率、高效率的特点，便于航天器搭载探测。本发明的目的由以下技术方案实现一种空间电子的探测装置，所述装置采用的设备包括探测器和信号处理电路。所述探测器包括探头、重金属外壳和金属底座，其中探头包括挡光片、探测单元 D1、探测单元D2、闪烁体框架、光电倍增管和模拟处理电路板，其中，闪烁体框架包裹在探测单元Dl和探测单元D2周围；挡光片为厚60 μ m的铝箔；探测单元Dl为双边硅微条探测器，厚度为200 300 μ m ；探测单元D2为离子注入型PIN硅探测器，厚度为2500 沈00 μ m ；探测单元Dl 与探测单元D2的厚度之和为2750 观00 μ m，根据实际情况确定，所构成望远镜的半张角为15 30° ；重金属外壳材料为铜，厚度为0. 40cm 0. 60cm ；金属底座为铜或铝合金；探测单元Dl和探测单元D2用于探测入射粒子在其中沉积的能量；挡光片用于屏蔽能量低于 0. IMeV的电子进入探测器内部；闪烁体框架起主动准直仪的作用，用于吸收从探测器周围进入探测器内部的高能粒子；重金属外壳作为探测器的装配空间，用于吸收从探测器周围射向探测器的粒子，对探测器提供保护。将具有凹槽的金属底座通过螺栓固定在航天器或卫星的指定位置上，下绝缘片放置在探测器凹槽最底部，模拟处理电路板置于下绝缘片上方，光电倍增管置于模拟处理电路板上方，下绝缘片、模拟处理电路板和光电倍增管的直径都与探测器凹槽直径吻合，保证下绝缘片、模拟处理电路板和光电倍增管抵触连接，光电倍增管上端与探测器凹槽上端处于同一高度；闪烁体框架由两块完全一样的剖面为L型的塑料闪烁体左右对称紧密对接在一起，形成上端开口的圆筒结构；闪烁体框架底部和顶部内侧分别开有凹槽，凹槽的深度和高度根据实际情况确定；探测单元D2上方与环状的探测单元D2上电极固连，下方与环状的探测单元D2下电极固连；探测单元Dl上方与环状的探测单元Dl上电极固连，下方与环状的探测单元Dl 下电极固连；安装时先将带有电极的探测单元D2和探测单元Dl分别放入两块L型塑料闪烁体底部、顶部凹槽中，探测单元D2上电极与底部凹槽上端抵触，探测单元D2下电极与底部凹槽下端抵触，探测单元Dl上电极与顶部凹槽上端水平，探测单元Dl下电极与顶部凹槽下端抵触；再将两块L型塑料闪烁体的底部抵触连接在一起，并放置在光电倍增管正上方， 闪烁体框架尺寸根据实际情况确定；上绝缘环放置在探测单元Dl上电极上方，挡光片置于上绝缘环上方；上绝缘环的尺寸根据实际情况确定，以保证良好绝缘性能且不影响粒子入射为准；将上端开口的圆筒形重金属外壳安装在探头外部，挡光片通过紧固环与重金属外壳上端保持紧密固定；重金属外壳内部高度和紧固环尺寸根据实际情况确定，以重金属外壳与探头紧密固定且紧固环不影响粒子入射为准；重金属外壳内径与探测器底座凹槽外径相吻合，以能够紧密安装为准；上端开口尺寸与望远镜张角有关，开口处截面为斜面，不影响粒子入射为准；闪烁体框架通过一对或一对以上的紧固弹片与重金属外壳固定；闪烁体框架在与探测单元D1、探测单元D2和光电倍增管相应的位置分别开有通孔用来穿过信号电缆，金属底座凹槽的壁面上开有通孔用来穿过信号电缆，探测单元Dl和探测单元D2探测到的信号均通过信号电缆送入模拟处理电路板上；光电倍增管中的信号通过信号电缆送入模拟处理电路板；模拟处理电路板输出端引出电缆穿过金属底座凹槽的壁面与信号处理电路相连。模拟处理电路板包括第一前置放大器、第二前置放大器和第三前置放大器；探测单元Dl探测到的信号通过信号电缆送入模拟处理电路板上的第一前置放大器；探测单元D2探测到的信号通过信号电缆送入模拟处理电路板上的第二前置放大器；光电倍增管中的信号通过信号电缆送入模拟处理电路板上的第三前置放大器；所述信号处理电路包括累加器，第一成形电路，第一主放大器，第二主放大器，第二成形电路，对数放大电路，第一峰值保持电路，第一脉冲高度分析器，计数器，第二脉冲高度分析器，第二峰值保持电路，第三主放大器，第三成形电路。第一前置放大器、第一成形电路、第一主放大器和对数相加电路依次连接；第二前置放大器、累加器、第二成形电路、第二主放大器和对数相加电路依次连接；对数相加电路、 第一峰值保持电路和第一脉冲高度分析器依次连接；第三前置放大器、第三成形电路、第三主放大器、第二峰值保持电路、第二脉冲高度分析器和第一脉冲高度分析器依次连接；第一脉冲高度分析器和计数器连接；此外，第一前置放大器的输出还与累加器连接；第一前置放大器用于将探测单元Dl产生的脉冲电荷信号进行初次放大，并输出给第一成形电路和累加器；第一成形电路使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第一主放大器；第一主放大器对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给对数相加电路；第二前置放大器用于将探测单元D2产生的脉冲电荷信号进行初次放大，并输出给累加器；累加器将来自第一前置放大器和第二前置放大器的脉冲电荷信号叠加后输出给第二成形电路；第二成形电路使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第二主放大器；
第二主放大器对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给对数相加电路；对数相加电路将来自第一主放大器和第二主放大器的脉冲电荷信号取对数后相力口，并输出给第一峰值保持电路；第一峰值保持电路将脉冲电荷信号的峰值进行保持、记录后输出给第一脉冲高度分析器；第三前置放大器将来自光电倍增管的脉冲电荷信号进行初次放大，并输出给第三成形电路；第三成形电路使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第三主放大器；第三主放大器对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给第二峰值保持电路；第二峰值保持电路将脉冲电荷信号的峰值进行保持、记录后输出给第二脉冲高度分析器；第二脉冲高度分析器用于去除脉冲电荷信号的噪声信号，并输出给第一脉冲高度分析器；第一脉冲高度分析器用于分析脉冲电荷信号的幅值，且将脉冲电荷信号与第一脉冲高度分析器内部各个比较器的阈值进行比较，将各个脉冲电荷信号进行分类，实现粒子鉴别，得到0. 1 IMeV电子的信号，并输出给计数器；计数器用于对0. 1 IMeV电子信号的脉冲幅值、信号个数进行记录并存储。有益效果本发明所述的空间低能电子的探测方法能够对空间0. 05 IMeV电子能谱进行探测，且利用本发明所述方法设计的探测器具有小型化、低功耗、高分辨率、高效率等的特点， 便于航天器搭载探测，具有一定的空间应用前景。
图1为本发明所述的一种空间电子的探测方法探测器剖面图；图2为本发明所述的一种空间电子的探测方法信号处理电路示意图；其中，1-1 望远镜半张角，1-2 紧固环，1-3 挡光片，1-4 探测单元D1，1-5 紧固弹片，1-6 闪烁体框架，1-7 探测单元D2上电极，1-8 探测单元D2，1-9 探测单元D2下电极，1-10 光电倍增管，1-11 模拟处理电路板输出端，1-12 信号处理电路，1-13 下绝缘片，1-14 螺孔，1-15 金属底座，1-16 模拟处理电路板输入端，1-17 模拟处理电路板， 1-18 信号电缆，1-19 重金属外壳，1-20 探测单元Dl下电极，1_21 探测单元Dl上电极，
1-22上绝缘环，2-1 第一前置放大器，2-2 第一成形电路，2-3 第一主放大器，2_4 第二主放大器，2-5 第二成形电路，2-6 累加器，2-7 第二前置放大器，2-8 对数相加电路，
2-9第一峰值保持电路，2-10 第一脉冲高度分析器，2-11 计数器，2-12 第二脉冲高度分析器，2-13 第二峰值保持电路，2-14 第三主放大器，2-15 第三成形电路，2_16 第三前置放大器。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例来详述本发明，但不限于此。实施例
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一种空间电子的探测方法，所述方法包括探测器和信号处理电路。所述探测器由探头、重金属外壳1-19和金属底座1-15组成，其中探头主要由挡光片1-3、探测单元D11-4、探测单元D21-8、闪烁体框架1_6、光电倍增管1_10和模拟处理电路板1-17组成，其中，闪烁体框架1-6包裹在探测单元D11-4和探测单元D21-8周围；挡光片1-3为厚60 μ m的铝箔；探测单元D11-4为双边硅微条探测器，厚度为 200 μ m ；探测单元D21-8为离子注入型PIN硅探测器，厚度为沈00 μ m, 二者间距1. 92cm,所构成望远镜的半张角1-1为30° ；光电倍增管1-10厚度为4. 45cm ；探测单元Dl和探测单元D2用于探测入射粒子在其中沉积的能量；挡光片用于屏蔽能量低于0. IMeV的电子进入探测器内部；闪烁体框架起主动准直仪的作用，用于吸收从探测器周围进入探测器内部的高能粒子；重金属外壳作为探测器的装配空间，用于吸收从探测器周围射向探测器的粒子， 对探测器提供保护。将具有凹槽的金属底座1-15通过螺栓固定在航天器或卫星的指定位置上，凹槽材料为铜，凹槽深度为5. 95cm，外径2. 49cm,内径2. OOcm ；下绝缘片1_13放置在探测器凹槽最底部，模拟处理电路板1-17置于下绝缘片1-13上方，光电倍增管1-10置于模拟处理电路板1-17上方，下绝缘片1-13、模拟处理电路板1-17和光电倍增管1-10的直径都与探测器凹槽直径吻合，保证下绝缘片1-13、模拟处理电路板1-17和光电倍增管1-10抵触连接，光电倍增管1-10上端与探测器凹槽上端处于同一高度；下绝缘片1-13厚0. 50cm，模拟处理电路板1-17厚1.00cm;闪烁体框架1-6由两块完全一样的剖面为L型塑料闪烁体左右对称紧密对接在一起，形成上端开口的圆筒结构；闪烁体框架1-6底部内侧开有凹槽，深度0. 50cm,高度 0. 66cm ；闪烁体框架1-6顶部内侧开有凹槽，深度0. 50cm，高度0. 42cm ；探测单元D21-8上方与环状的探测单元D2上电极1-7焊接，下方与环状的探测单元D2下电极1-9焊接；探测单元D11-4上方与环状的探测单元Dl上电极1_21焊接，下方与环状的探测单元Dl下电极1-20焊接；探测单元D11-4和探测单元D21-8的上电极和下电极厚度均为0. 20cm ；安装时先将焊接有电极的探测单元D21-8和探测单元D11-4分别放入两块L型塑料闪烁体底部、顶部凹槽中，探测单元D2上电极1-7与底部凹槽上端抵触，探测单元D2下电极1-9与底部凹槽下端抵触；探测单元Dl上电极1-21与顶部凹槽上端水平，探测单元Dl下电极1-20与顶部凹槽下端抵触；再将两块L型塑料闪烁体的底部抵触连接在一起，并放置在光电倍增管1-10正上方，闪烁体框架1-6外径2. OOcm,内径1. 00cm，夕卜侧高度5. OOcm,内部深度3. 70cm ；上绝缘环1-22放置在探测单元Dl上电极1_21上方，挡光片1_3置于上绝缘环 1-22上方；上绝缘环1-22外径2. OOcm,内径1. 20cm,厚0. 50cm,挡光片1-3直径为4. OOcm ；将上端开口的圆筒形重金属外壳1-19安装在探头外部，挡光片1-3通过紧固环 1-2与重金属外壳1-19上端保持紧密固定；重金属外壳1-19厚度为0. 50cm,内径2. 50cm, 内部高度12. OOcm ；紧固环1-2外径2. 50cm,内径1. 75cm，厚度0. 50cm ；重金属外壳上端开口的上端直径3. 60cm，下端直径3. OOcm ；闪烁体框架1_6通过一对紧固弹片1_5与重金属外壳1-19固定。闪烁体框架1-6在与探测单元D11-4、探测单元D21-8和光电倍增管相应的位置分别开有通孔用来穿过信号电缆1-18，金属底座凹槽的壁面上也开有通孔用来穿过信号电缆1-18，信号电缆1-18与模拟处理电路板输入端1-16相连；探测单元D11-4和探测单元 D21-8探测到的信号均通过信号电缆1-18送入模拟处理电路板1-17，光电倍增管1_10中的信号通过信号电缆1-18送入模拟处理电路板1-17 ；模拟处理电路板输出端1-11引出电缆穿过金属底座凹槽的壁面与信号处理电路1-12相连。模拟处理电路板1-17包括第一前置放大器2-1、第二前置放大器2-7和第三前置放大器2-16 ；探测单元D11-4探测到的信号通过信号电缆1-18送入模拟处理电路板1_17上的第一前置放大器2-1 ；探测单元D21-8探测到的信号通过信号电缆1-18送入模拟处理电路板1-17上的第二前置放大器2-7 ；光电倍增管1-10中的信号通过信号电缆1-18送入模拟处理电路板1-17上的第三前置放大器2-16。 所述信号处理电路1-12包括累加器2-6，第一成形电路2-2，第一主放大器2_3，第二主放大器2-4，第二成形电路2-5，对数放大电路2-8，第一峰值保持电路2-9，第一脉冲高度分析器2-10，计数器2-11，第二脉冲高度分析器2-12，第二峰值保持电路2-13，第三主放大器2-14，第三成形电路2-15。第一前置放大器2-1、第一成形电路2-2、第一主放大器2-3和对数相加电路2_8 依次连接；第二前置放大器2-7、累加器2-6、第二成形电路2-5、第二主放大器2-4和对数相加电路2-8依次连接；对数相加电路2-8、第一峰值保持电路2-9和第一脉冲高度分析器 2-10依次连接；第三前置放大器2-16、第三成形电路2-15、第三主放大器2-14、第二峰值保持电路2-13、第二脉冲高度分析器2-12和第一脉冲高度分析器2-10依次连接；第一脉冲高度分析器2-10和计数器2-11连接；此外，第一前置放大器2-1的输出还与累加器2-6连接。第一前置放大器2-1用于将探测单元D11-4产生的脉冲电荷信号进行初次放大， 并输出给第一成形电路2-2和累加器2-6 ；第一成形电路2-2使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第一主放大器2-3 ；第一主放大器2-3对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给对数相加电路2-8 ；第二前置放大器2-7用于将探测单元D21-8产生的脉冲电荷信号进行初次放大， 并输出给累加器2-6;累加器2-6将来自第一前置放大器2-1和第二前置放大器2-7的脉冲电荷信号叠加后输出给第二成形电路2-5 ；第二成形电路2-5使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第二主放大器2-4 ；第二主放大器2-4对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给对数相加电路2-8 ；对数相加电路2-8将来自第一主放大器2-3和第二主放大器2-4的脉冲电荷信号取对数后相加，并后输出给第一峰值保持电路2-9 ；第一峰值保持电路2-9将脉冲电荷信号的峰值进行保持、记录后输出给第一脉冲高度分析器2-10 ；第三前置放大器2-16将来自光电倍增管1-10的脉冲电荷信号进行初次放大，并输出给第三成形电路2-15 ；第三成形电路2-15使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第三主放大器2-14 ；第三主放大器Q-14)对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给第二峰值保持电路 2-13 ；第二峰值保持电路2-13将脉冲电荷信号的峰值进行保持、记录后输出给第二脉冲高度分析器2-12 ；第二脉冲高度分析器2-12用于去除脉冲电荷信号的噪声信号，并输出给第一脉冲高度分析器2-10 ；第一脉冲高度分析器2-10用于分析脉冲电荷信号的幅值，且将脉冲电荷信号与第一脉冲高度分析器内部各个比较器的阈值进行比较，将各个脉冲电荷信号进行分类，实现粒子鉴别，得到0. 1 IMeV电子的信号，并输出给计数器2-11 ；计数器2-11用于对0. 1 IMeV电子信号的脉冲幅值、信号个数进行记录并存储。本发明包括但不限于以上实施例，凡是在本发明精神的原则之下进行的任何等同替换或局部改进，都将视为在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种空间电子的探测装置，其特征在于所述装置采用的设备包括探测器和信号处理电路；所述探测器包括探头、重金属外壳(1-19)和金属底座(1-15)，其中探头包括挡光片 (1-3)、探测单元Dl (1-4)、探测单元D2(l-8)、闪烁体框架(1-6)、光电倍增管(1-10)和模拟处理电路板(1-17)，其中，闪烁体框架(1-6)包裹在探测单元Dl (1-4)和探测单元D2(l-8) 周围；其中，挡光片(1- 为厚60μπι的铝箔；探测单元Dl (1-4)为双边硅微条探测器，厚度为200 300 μ m ；探测单元D2 (1-8)为离子注入型PIN硅探测器，厚度为2500 沈00 μ m ； 探测单元Dl (1-4)与探测单元D2 (1-8)的厚度之和为2750 观00 μ m，所构成望远镜的半张角(1-1)为15 30° ；将具有凹槽的金属底座通过螺栓固定在航天器或卫星的指定位置上，下绝缘片(1-13) 放置在探测器凹槽最底部，模拟处理电路板(1-17)置于下绝缘片(1-1 上方，光电倍增管 (1-10)置于模拟处理电路板(1-17)上方，下绝缘片(1-13)、模拟处理电路板(1-17)和光电倍增管(1-10)的直径都与探测器凹槽直径吻合，保证下绝缘片(1-13)、模拟处理电路板 (1-17)和光电倍增管(1-10)抵触连接，光电倍增管(1-10)上端与探测器凹槽上端处于同一高度；闪烁体框架(1-6)由两块完全一样的剖面为L型的塑料闪烁体左右对称紧密对接在一起，形成上端开口的圆筒结构；闪烁体框架(1-6)底部和顶部内侧分别开有凹槽；探测单元D2 (1-8)上方与环状的探测单元D2上电极(1-7)固连，下方与环状的探测单元D2下电极(1-9)固连；探测单元Dl (1-4)上方与环状的探测单元Dl上电极(1-21)固连， 下方与环状的探测单元Dl下电极(1-20)固连；安装时先将带有电极的探测单元D2(l-8) 和探测单元Dl (1-4)分别放入两块L型塑料闪烁体底部、顶部凹槽中，探测单元D2上电极 (1-7)与底部凹槽上端抵触，探测单元D2下电极(1-9)与底部凹槽下端抵触，探测单元Dl 上电极(1-21)与顶部凹槽上端水平，探测单元Dl下电极(1-20)与顶部凹槽下端抵触；再将两块L型塑料闪烁体的底部抵触连接在一起，并放置在光电倍增管(1-10)正上方；上绝缘环(1-22)放置在探测单元Dl上电极(1-21)上方，挡光片(1- 置于上绝缘环(1-22) 上方；将上端开口的圆筒形重金属外壳(1-19)安装在探头外部，挡光片(1-3)通过紧固环 (1-2)与重金属外壳(1-19)上端保持紧密固定；重金属外壳(1-19)内径与探测器底座凹槽外径相吻合，以能够紧密安装为准；上端开口尺寸与望远镜张角有关，开口处截面为斜面；闪烁体框架(1-6)通过一对或一对以上的紧固弹片(1-5)与重金属外壳(1-19)固定；所述闪烁体框架(1-6)在与探测单元Dl(l-4)、探测单元D2(l-8)和光电倍增管 (1-10)相应的位置分别开有通孔用来穿过信号电缆(1-18)，金属底座凹槽的壁面上开有通孔用来穿过信号电缆(1-18)，探测单元Dl (1-4)和探测单元D2(l-8)探测到的信号均通过信号电缆(1-18)送入模拟处理电路板(1-17)，光电倍增管(1-10)中的信号通过信号电缆(1-18)送入模拟处理电路板(1-17)；模拟处理电路板输出端(1-11)引出电缆穿过金属底座凹槽的壁面与信号处理电路(1-12)相连。
2.根据权利要求1所述的一种空间电子的探测装置，其特征在于重金属外壳(1-19) 材料为铜，厚度为0. 40cm 0. 60cm。
3.根据权利要求1所述的一种空间电子的探测装置，其特征在于金属底座为铜或铝合金。
4.根据权利要求1所述的一种空间电子的探测装置，其特征在于所述模拟处理电路板(1-17)包括第一前置放大器0-1)、第二前置放大器(2-7)和第三前置放大器0-16)； 探测单元Dl (1-4)探测到的信号通过信号电缆(1-18)送入模拟处理电路板(1-17)上的第一前置放大器；探测单元D2(l-8)探测到的信号通过信号电缆(1-18)送入模拟处理电路板(1-17)上的第二前置放大器0-7)；光电倍增管(1-10)中的信号通过信号电缆(1-18)送入模拟处理电路板(1-17)上的第三前置放大器0-16)；所述信号处理电路包括累加器0-6)，第一成形电路0-2)，第一主放大器0-3)，第二主放大器0-4)，第二成形电路0-5)，对数相加电路0-8)，第一峰值保持电路0-9)，第一脉冲高度分析器(2-10)，计数器(2-11)，第二脉冲高度分析器(2-12)，第二峰值保持电路 (2-13)，第三主放大器(2-14)，第三成形电路(2-15)；第一前置放大器0-1)、第一成形电路0-2)、第一主放大器(2- 和对数相加电路 (2-8)依次连接；第二前置放大器(2-7)、累加器(2-6)、第二成形电路(2- 、第二主放大器 (2-4)和对数相加电路(2-8)依次连接；对数相加电路0-8)、第一峰值保持电路(2-9)和第一脉冲高度分析器0-10)依次连接；第三前置放大器(2-16)、第三成形电路(2-15)、第三主放大器(2-14)、第二峰值保持电路(2-13)、第二脉冲高度分析器0-1 和第一脉冲高度分析器0-10)依次连接；第一脉冲高度分析器0-10)和计数器0-11)连接；此外，第一前置放大器的输出还与累加器(2-6)连接；第一前置放大器(2-1)用于将探测单元Dl (1-4)产生的脉冲电荷信号进行初次放大， 并输出给第一成形电路(2- 和累加器0-6)；第一成形电路(2- 使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第一主放大器0-3)； 第一主放大器(2- 对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给对数相加电路0-8)； 第二前置放大器(2-7)用于将探测单元D2(l-8)产生的脉冲电荷信号进行初次放大， 并输出给累加器0-6)；累加器(2-6)将来自第一前置放大器(2-1)和第二前置放大器0-7)的脉冲电荷信号叠加后输出给第二成形电路0-5)；第二成形电路(2- 使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第二主放大器0-4)； 第二主放大器(2-4)对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给对数相加电路0-8)； 对数相加电路(2-8)将来自第一主放大器(2- 和第二主放大器(2-4)的脉冲电荷信号取对数后相加，并输出给第一峰值保持电路0-9)；第一峰值保持电路(2-9)将脉冲电荷信号的峰值进行保持、记录后输出给第一脉冲高度分析器0-10)；第三前置放大器0-16)将来自光电倍增管(1-10)的脉冲电荷信号进行初次放大，并输出给第三成形电路0-15)；第三成形电路0-15)使脉冲电荷信号形成矩形，并输出给第三主放大器0-14)； 第三主放大器0-14)对脉冲电荷信号进行二次放大，并输出给第二峰值保持电路 (2-13)；第二峰值保持电路将脉冲电荷信号的峰值进行保持、记录后输出给第二脉冲高度分析器0-12)；第二脉冲高度分析器0-12)用于去除脉冲电荷信号的噪声信号，并输出给第一脉冲高度分析器O-10)；第一脉冲高度分析器O-10)用于分析脉冲电荷信号的幅值，且将脉冲电荷信号与第一脉冲高度分析器内部各个比较器的阈值进行比较，将各个脉冲电荷信号进行分类，实现粒子鉴别，得到0. 1 IMeV电子的信号，并输出给计数器0-11)；计数器(2-11)用于对0. 1 IMeV电子信号的脉冲幅值、信号个数进行记录并存储。
全文摘要
本发明公开了一种空间电子的探测装置，属于空间带电粒子探测领域。该装置所用设备包括探测器和信号处理电路，其中探测器由探头、重金属外壳和金属底座组成；探头主要由挡光片、探测单元D1、探测单元D2、闪烁体框架、光电倍增管和模拟处理电路板组成。本发明的方法能够对空间0.1～1MeV电子能谱进行探测，且利用该方法设计的探测器具有小型化、低功耗、高分辨率、高效率的特点，便于航天器搭载探测。
文档编号G01T1/00GK102508281SQ20111031581
公开日2012年6月20日 申请日期2011年10月18日 优先权日2011年10月18日
发明者安恒, 把得东, 杨生胜, 石红, 薛玉雄 申请人:中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所
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