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一种超高频局放测试仪考核校验装置的制作方法

时间:2025-04-08    作者: 管理员

专利名称:一种超高频局放测试仪考核校验装置的制作方法
技术领域
一种超高频局放测试仪考核校验装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种对超高频局放测试仪进行考核校验的装置,尤其涉及一种对超高频传感器性能进行检测的装置。
背景技术:
[0002]超高频局放测试仪的关键技术之一是超高频传感器。传感器的性能直接影响检测信号的灵敏度及信号波形,间接影响局放类型的模式识别。目前,测量超高频传感器幅频特性的常规方法是扫频测量,但由于外界电磁干扰的存在,往往影响其测量准确度;而另一种能够排除外界电磁干扰和驻波影响的方法是在一个预校正无反射的室内测试环境中进行测试,目前主要使用电波暗室,电波暗室是一个经屏蔽设计的六面体盒,内部覆盖有电磁波吸波材料,其缺点是尺寸过大,设备成本昂贵。发明内容[0003]本实用新型要解决的技术问题在于提供一个能有效对超高频局放测试仪进行考核校验的装置,其具备屏蔽外界电磁干扰的能力。[0004]本实用新型采用以下技术方案:[0005]本实用新型包括金属密闭外壳、宽带信号发射天线、超高频传感器,宽带信号发射天线和超高频传感器置于由金属密闭外壳构成的密闭空间内;所述的宽带发射天线通过信号线与外界仪器相连,超高频传感器通过信号线与外界测量仪器相连。[0006]宽带信号发射天线和超高频传感器之间的距离可调节。[0007]外界仪器为超高频信号发生器或频谱分析仪。[0008]外界测量仪器为频谱分析仪。[0009]本实用新型的有益效果:能够有效屏蔽外界电磁信号的干扰,实现对超高频局放测试仪的考核校验,提高考核校验的准确度,使用方便。


[0010]图1是超高频局放测试仪考核校验装置示意图;[0011]图2是点频测量示意图;[0012]图3是扫频测量示意图。[0013]图中,1.宽带发射天线,2.超高频传感器,3.金属密闭外壳,4.超高频信号发生器,5.信号输入线,6.信号输出线,7.频谱分析仪,8.扫频信号输入线。
具体实施方式
[0014]
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。[0015]如图1所示,一种超高频局放测试仪考核校验装置,包括宽带发射天线、超高频传感器和金属密闭外壳。其具体实施方式
如下:[0016]1.点频测量[0017]如图2所示,由金属材料构建的密闭空间中,内置宽带发射天线和超高频传感器,宽带发射天线通过信号输入线与超高频信号发生器相连,超高频传感器通过信号输出线与频谱分析仪相连。测量步骤如下:[0018]步骤1:根据设置,超高频信号发生器输出某一固定频率的信号,频率范围在300MHz 3000MHz内可调,宽带发射天线将信号向由金属材料构建的密闭空间辐射;[0019]步骤2:调节宽带发射天线和超高频传感器之间的距离;[0020]步骤3:通过频谱分析仪观察超高频传感器在该特定频率下的幅频响应。[0021]重复步骤1,步骤2,步骤3,实现点频测量传感器的幅频响应。[0022]2.扫频测量[0023]如图3所示,由金属材料构建的密闭空间中,内置宽带发射天线和超高频传感器,宽带发射天线通过扫频信号输入线与频谱分析仪相连,超高频传感器通过信号输出线与频谱分析仪相连。测量步骤如下:[0024]步骤1:频谱分析仪连续输出300MHz 3000MHz的扫频信号,宽带发射天线将信号向由金属材料构建的密闭空间辐射;[0025]步骤2:调节宽带发射天线和超高频传感器之间的距离;[0026]步骤3:通过频谱分析仪观察超高频传感器的幅频响应曲线。
权利要求1.一种超高频局放测试仪考核校验装置,包括金属密闭外壳、宽带信号发射天线、超高频传感器,宽带信号发射天线和超高频传感器置于由金属密闭外壳构成的密闭空间内;所述的宽带信号发射天线通过信号线与外界仪器相连,超高频传感器通过信号线与外界测量仪器相连。
2.根据权利要求1所述的一种超高频局放测试仪考核校验装置,其特征在于:宽带信号发射天线和超高频传感器之间的距离可调节。
3.根据权利要求1所述的一种超高频局放测试仪考核校验装置,其特征在于:所述的外界测量仪器为超高频信号发生器或频谱分析仪。
4.根据权利要求2所述的一种超高频局放测试仪考核校验装置,其特征在于:所述的外界测量仪器为频谱分析仪。
专利摘要本实用新型公开了一种超高频局放测试仪考核校验装置。本实用新型包括金属密闭外壳、宽带信号发射天线、超高频传感器,宽带信号发射天线和超高频传感器置于由金属密闭外壳构成的密闭空间内;所述的宽带发射天线通过信号线与外界仪器相连,超高频传感器通过信号线与外界测量仪器相连。本实用新型能够有效屏蔽外界电磁信号的干扰,实现对超高频局放测试仪的考核校验,提高考核校验的准确度,使用方便。
文档编号G01R35/00GK202975308SQ201220653529
公开日2013年6月5日 申请日期2012年12月3日 优先权日2012年12月3日
发明者胡维兴 申请人:杭州西湖电子研究所

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